5. EL TRANSISTOR TRABAJANDO EN CONMUTACION. En líneas generales, el transistor puede trabajar de dos formas diferenciadas:

5. EL TRANSISTOR TRABAJANDO EN CONMUTACION EL TRANSISTOR En líneas generales, el transistor ciadas: puede trabajar de dos formas diferen- 1." En la
Author:  Sara Rivas Ríos

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5. EL TRANSISTOR TRABAJANDO EN CONMUTACION

EL TRANSISTOR En líneas generales, el transistor ciadas:

puede trabajar de dos formas diferen-

1." En la zona lineal de una recta de carga. 2.a En conmutación, es decir, bloqueado y saturado. Cuando el transistor trabaja en la zona lineal. el principio de su funcionamiento es el "control de corriente», que consiste en que pequeñas variaciones de la corriente de entrada lB originan variaciones más importantes en la corriente de salida le. En esta zona, la relación entre le e lB es el parámetro hfE, tal como se expresa de forma gráfica en la figura Ap-3. El funcionamiento lidades de trabajo:

del transistor en conmutación, sólo le permite dos posibi-

1} Bloqueado, es decir, sin circulación de corriente, al no estar polarizada la base del transistor lo suficiente. En la figura Ap-4 la base tiene O V, o sea, la miSma tensión que el emisor y se recordará que para empezar a conducir un transistor de silicio, NPN, precisa que la base sea positiva respecto al emisor en unos 0,7 V. Cuando el transistor está bloqueado su tensión de salida es la máxima. C(N)

ff0fRABíjAr~;:-;> ~§N.:f~~A:.~~~~~~

+

B (p)

e

E(N)

~;~~~~E~9~; +5V

le' o

+-+---- v

SAL -

5V

av

1

2) Saturado, lo que supone Que el transistor es atravesado por la máxima corriente posible, le SATURACION, con lo que la tensión de alimentación del circuito se queda, prácticamente toda, en la resistencia de carga situada en el colector del transistor, mientras que en el colector la tensión de salida es nula. Esta situación es sólo teórica, puesto Que si no tuviese tensión el colector, el transistor no conduciría. En la práctica, cuando el transistor está saturado, la tensión entre colector y emisor es del orden de 0,3 V. (Ver la figura Ap-5.) Cuando la VBE directa del transistor origina la saturación del mismo ya no se mantiene la relación entre la le y la lB' que en la zona lineal era hFE; en este caso es superior y para asegurar la saturación del transistor la relación por lo menos debe llegar al doble que en la zona lineal, o sea, a 2 . hFE•

+5V

-.-----i

"f I

Ó VSAL

.

-ov

"

En la figura Ap-6 se observa el comportarnientode un transistor trabajando en saturación. La señal cuadrada de entrada se obtiene a la salida invertida. Sobre la figura Ap-6 se pueden deducir las siguientes condiciones de trabajo del transistor.

SAUDA

~--.-----

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