Memoria RAM (Random Access Memory)

Memorias estáticas y dinámicas. Biestables. MOSFET. Escritura y lectura

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REALIZAR UNA MEMORIA Memor−−>[Author:RCS]ias RAM Su denominación responde a la expresión inglesa Radom Access Memory (memoria de acceso aleatorio) . Se trata de una memoria de lectura−escritura, debido a que admite la posibilidad de efectuar ambas operaciones,dividiéndose en dos grandes categorías: ESTÁTICAS y DINÁMICAS Las RAM estáticas utilizan como elementos de memoria biestables y almacenan la información hasta que la cambiemos o la desconectemos la alimentación. En cambio, las RAM dinámicas almacenan los datos por carga de condensadores, normalmente , las capacidades de puerta de un MOSFET. Debido a la tendencia a desaparecer de este tipo de carga,depués de unos pocos milisegundos las RAM dinámicas deben ser refrescadas continuamente para mantener su carga y evitar que los datos se pierdan. Proceso de escritura y de lectura en una memoria RAM 2114A de INTEL Proceso de escritura: Para efectuar el proceso de escritura en la memoria RAM hacemos lo siguiente: En primer lugar alimentamos el integrado .Depués conectamos a masa las patillas 4,3,2,1,17 y 16.A continuación conectamos las patillas 14 y 13 y las llevamos a un interruptorPor medio de estas patillas introducimos los datos en la memoria RAM. Hacemos lo mismo con las patillas 12 y 11. A continuación llevamos a cuatro interruptores las patillas 5 ,6,7 y 15 para poder direccionar el contenido de la RAM.Depués la patilla 8 la ponemos a 1 y la patilla 10 a 0. Proceso de lectura: Una vez que hemos introducido datos en la RAM,procedemos a su lectura: Primeramente ponemos la patilla 8 a 0 y la 10 a 1.Desconectamos los puentes que unían las patillas 14−13 y 12−11 y las conectamos a unos LED;también quitamos los interruptores.Con las patillas de selección de fila direcionaremos el contenido de la memoria que lo podremos visualizar gracias a los diodos LED.

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