Memorias RAM. Basilio B. Fraguela Rodríguez. Copyright Basilio B. Fraguela 2006

Memorias RAM Basilio B. Fraguela Rodríguez Copyright Basilio B. Fraguela 2006 Evolución de la velocidad del procesador y la memoria 1000 CPU “Ley

0 downloads 126 Views 327KB Size

Recommend Stories


PROPONENTE: BASILIO RIVAS SANCHEZ
RELATORIO DE IMPACTO MEDIOAMBIENTAL (RIMA) PROYECTO: ESTACION DE SERVICIOS. PROPONENTE: BASILIO RIVAS SANCHEZ Consultor: Lic. Orlando Oporto . Agos

UVEITIS. Prof. Dr. Basilio Rojas U
UVEITIS Prof. Dr. Basilio Rojas U. La úvea es la capa vascular del globo ocular, ubicada entre la esclera y la retina. Ricamente vascularizada se la

Hemocultivos B B B B B B B B
B0720586 B0720581 B0720483 B0720489 B0720484 B0720490 B0720585 B0720588 Hemocultivos Uso Medio utilizado para el cultivo de microorganismos a

Memorias RAM (Random Access Memory)
{RAM}. {DIMM}. Hardware. {ESDRAM}. Fast Page Mode. {SRAM}. {DRAM}. {ROM}. {SIMM}. {VRAM}. Mapara Virtual. Memoria Cache. Acceso Aleatorio

Story Transcript

Memorias RAM Basilio B. Fraguela Rodríguez

Copyright Basilio B. Fraguela 2006

Evolución de la velocidad del procesador y la memoria 1000

CPU

“Ley de Moore”

100

La diferencia de velocidad crece aprox. un 50% / año DRAM DRAM 7%/año 1990 1991 1992 1993 1994 1995 1996 1997 1998 1999 2000

1982 1983 1984 1985 1986 1987 1988 1989

1980 1981

10 1

µProc 60%/año

Copyright Basilio B. Fraguela 2006

Soluciones • Aumento de la tolerancia a la latencia • Planificación dinámica de instrucciones • Accesos especulativos a memoria • Procesamiento multihebra

• Mejora de las prestaciones del sistema de memoria • Jerarquía de memoria • Entrelazado • Tecnologías, buses, protocolos más rápidos Copyright Basilio B. Fraguela 2006

Tipos de Memoria RAM • SRAM (Static Random Access Memory) – Cada celda está constituida por un biestable • Aproximadamente requiere 6 transistores/bit

– Rápidas pero costosas

• DRAM (Dynamic Random Access Memory) – Cada celda consta de un condensador • Tendencia a descargarse ⇒ requiere circuitería de refresco

– Celda más simple ⇒ mayor densidad, menos consumo y más baratas que las SRAM – Se usan en tamaños de memoria grandes • El coste de la circuitería de refresco se compensa por el menor coste de las celdas • Constituyen la memoria principal del computador

– Más lentas que las estáticas Copyright Basilio B. Fraguela 2006

Algunas estadísticas • Para configurar una SRAM con la misma capacidad de una DRAM se requerirían hasta 16 veces el número de chips de la DRAM • El coste por bit de la SRAM es entre 8 y 16 veces el de la DRAM • El tiempo de acceso a una memoria DRAM es entre 8 y 16 veces el tiempo de acceso a una SRAM • La capacidad de las DRAM se duplica aproximadamente cada dos años

Copyright Basilio B. Fraguela 2006

Evolución del tamaño de los chips de DRAM

Fuente: In-Stat, Semico Research, WSTS, iSuppli, Micron Marketing

Copyright Basilio B. Fraguela 2006

Grado de integración (nm)

Evolución de la escala de integración de los chips

Año de Producción Copyright Basilio B. Fraguela 2006

Fuente: ITRS, 2002

Mejora de prestaciones de las DRAM • Sus accesos presentan mucha localidad espacial – Razón: un fallo en las cachés implica la lectura de una línea completa de caché – Varias técnicas para mejorar el acceso a posiciones consecutivas – El rendimiento del acceso a datos aislados es similar Acceso convencional

Matriz de celdas

FPM EDO

Buffer

BEDO Copyright Basilio B. Fraguela 2006

Familias de memorias DRAM asíncronas • FPM DRAM (Fast Page Mode) – Mantiene constante la dirección de fila mientras se leen consecutivamente los datos de varias columnas – Este modo de acceso se mantiene en las siguientes arquitecturas

• EDO DRAM (Extended Data Out) – Añade un latch entre los amplificadores y los terminales de salida – Permite desactivar CAS antes y mantener el estado del terminal mientras se inicia el acceso a la siguiente línea

• BEDO DRAM (Burst EDO) – Se añade un contador que genera números sucesivos de columnas a acceder – Evita tener que generar las sucesivas señales CAS Copyright Basilio B. Fraguela 2006

SDRAM (DRAM Síncronas) • Interfaz síncrona – Intercambia señales de control con el controlador de memoria sincronizándose con una señal de reloj – Permite al procesador hacer otras tareas mientras realiza operaciones de acceso a memoria en lugar de esperar

• DDR SDRAM (Double Data Rate) – Transfiere datos tanto en el flanco de subida como en el de bajada de la señal de reloj – Doble ancho de banda con la misma frecuencia de reloj – Reducen el voltaje un 30% respecto a la SDRAM

• QBM DDR SDRAM (Quad Band Memory DDR) – – – –

Varios bancos por módulo con salidas desfasadas Permite dos transferencias DDR por ciclo Similaridades con el entrelazado Latencia similar a las DDR, pero mucho mayor ancho de banda Copyright Basilio B. Fraguela 2006

SDRAM (DRAM Síncronas) • DDR2 SDRAM (Double Data Rate 2) – Los búferes de E/S trabajan al doble de la velocidad de la frecuencia del núcleo – En cada ciclo de reloj se realizan 4 transferencias. – Mucho mayor ancho de banda DDR – Casi doble de latencia que las DDR – Reduce el voltaje aprox. un 50% (2.5 a 1.8V)

Copyright Basilio B. Fraguela 2006

Comparación DDR/DDR II/QBM

Copyright Basilio B. Fraguela 2006

Rambus DRAM (RDRAM) • Diseño propietario ⇒ precio elevado • Gran ancho de banda con menor número de módulos que otras tecnologías • Inicialmente mayor latencia que las DDR • Evolucionó a – Direct Rambus DRAM (DRDRAM) • Bus más ancho • Transferencias segmentadas

– XDR DRAM • Actualmente funciona a 3.2 GHz con un ancho de 2 bytes • Planes para llegar a 8 GHz Copyright Basilio B. Fraguela 2006

Get in touch

Social

© Copyright 2013 - 2024 MYDOKUMENT.COM - All rights reserved.