Memorias RAM. Basilio B. Fraguela Rodríguez. Copyright Basilio B. Fraguela 2006

Memorias RAM Basilio B. Fraguela Rodríguez Copyright Basilio B. Fraguela 2006 Evolución de la velocidad del procesador y la memoria 1000 CPU “Ley

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Memorias RAM Basilio B. Fraguela Rodríguez

Copyright Basilio B. Fraguela 2006

Evolución de la velocidad del procesador y la memoria 1000

CPU

“Ley de Moore”

100

La diferencia de velocidad crece aprox. un 50% / año DRAM DRAM 7%/año 1990 1991 1992 1993 1994 1995 1996 1997 1998 1999 2000

1982 1983 1984 1985 1986 1987 1988 1989

1980 1981

10 1

µProc 60%/año

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Soluciones • Aumento de la tolerancia a la latencia • Planificación dinámica de instrucciones • Accesos especulativos a memoria • Procesamiento multihebra

• Mejora de las prestaciones del sistema de memoria • Jerarquía de memoria • Entrelazado • Tecnologías, buses, protocolos más rápidos Copyright Basilio B. Fraguela 2006

Tipos de Memoria RAM • SRAM (Static Random Access Memory) – Cada celda está constituida por un biestable • Aproximadamente requiere 6 transistores/bit

– Rápidas pero costosas

• DRAM (Dynamic Random Access Memory) – Cada celda consta de un condensador • Tendencia a descargarse ⇒ requiere circuitería de refresco

– Celda más simple ⇒ mayor densidad, menos consumo y más baratas que las SRAM – Se usan en tamaños de memoria grandes • El coste de la circuitería de refresco se compensa por el menor coste de las celdas • Constituyen la memoria principal del computador

– Más lentas que las estáticas Copyright Basilio B. Fraguela 2006

Algunas estadísticas • Para configurar una SRAM con la misma capacidad de una DRAM se requerirían hasta 16 veces el número de chips de la DRAM • El coste por bit de la SRAM es entre 8 y 16 veces el de la DRAM • El tiempo de acceso a una memoria DRAM es entre 8 y 16 veces el tiempo de acceso a una SRAM • La capacidad de las DRAM se duplica aproximadamente cada dos años

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Evolución del tamaño de los chips de DRAM

Fuente: In-Stat, Semico Research, WSTS, iSuppli, Micron Marketing

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Grado de integración (nm)

Evolución de la escala de integración de los chips

Año de Producción Copyright Basilio B. Fraguela 2006

Fuente: ITRS, 2002

Mejora de prestaciones de las DRAM • Sus accesos presentan mucha localidad espacial – Razón: un fallo en las cachés implica la lectura de una línea completa de caché – Varias técnicas para mejorar el acceso a posiciones consecutivas – El rendimiento del acceso a datos aislados es similar Acceso convencional

Matriz de celdas

FPM EDO

Buffer

BEDO Copyright Basilio B. Fraguela 2006

Familias de memorias DRAM asíncronas • FPM DRAM (Fast Page Mode) – Mantiene constante la dirección de fila mientras se leen consecutivamente los datos de varias columnas – Este modo de acceso se mantiene en las siguientes arquitecturas

• EDO DRAM (Extended Data Out) – Añade un latch entre los amplificadores y los terminales de salida – Permite desactivar CAS antes y mantener el estado del terminal mientras se inicia el acceso a la siguiente línea

• BEDO DRAM (Burst EDO) – Se añade un contador que genera números sucesivos de columnas a acceder – Evita tener que generar las sucesivas señales CAS Copyright Basilio B. Fraguela 2006

SDRAM (DRAM Síncronas) • Interfaz síncrona – Intercambia señales de control con el controlador de memoria sincronizándose con una señal de reloj – Permite al procesador hacer otras tareas mientras realiza operaciones de acceso a memoria en lugar de esperar

• DDR SDRAM (Double Data Rate) – Transfiere datos tanto en el flanco de subida como en el de bajada de la señal de reloj – Doble ancho de banda con la misma frecuencia de reloj – Reducen el voltaje un 30% respecto a la SDRAM

• QBM DDR SDRAM (Quad Band Memory DDR) – – – –

Varios bancos por módulo con salidas desfasadas Permite dos transferencias DDR por ciclo Similaridades con el entrelazado Latencia similar a las DDR, pero mucho mayor ancho de banda Copyright Basilio B. Fraguela 2006

SDRAM (DRAM Síncronas) • DDR2 SDRAM (Double Data Rate 2) – Los búferes de E/S trabajan al doble de la velocidad de la frecuencia del núcleo – En cada ciclo de reloj se realizan 4 transferencias. – Mucho mayor ancho de banda DDR – Casi doble de latencia que las DDR – Reduce el voltaje aprox. un 50% (2.5 a 1.8V)

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Comparación DDR/DDR II/QBM

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Rambus DRAM (RDRAM) • Diseño propietario ⇒ precio elevado • Gran ancho de banda con menor número de módulos que otras tecnologías • Inicialmente mayor latencia que las DDR • Evolucionó a – Direct Rambus DRAM (DRDRAM) • Bus más ancho • Transferencias segmentadas

– XDR DRAM • Actualmente funciona a 3.2 GHz con un ancho de 2 bytes • Planes para llegar a 8 GHz Copyright Basilio B. Fraguela 2006

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