Facultad: Ingeniería Escuela: Electrónica Asignatura: Interfaces y Perifericos Lugar de Ejecución: Fundamentos Generales. Edificio 3

Tema: USO RAM Y ROM

DE

MEMORIAS

Objetivo general gENEspecífico

Usar memorias RAM y ROM

Objetivos específicos Manejar operaciones básicas en memorias. gENEspecífico Utilizar memorias para implementar bloques de mayor capacidad.

Materiales y equipo gENEspecífico 1 Unidad PU-2000 1 Computadora con el programa Circuit maker 1 Breadboard 1 RAM CY7C185 1 74245 1 7404 1 Resistencias limitadoras 1 Display 2 Puntas para PU 1 Pinza 1 Cortadora de alambre

Tarea previa Estudie el tema de la clase correspondiente y complemente con la lectura de la referencia bibliográfica de la guía. Simule los dos circuitos que se presentan en la guía: figuras 10.1 y 10.2. Presente los circuitos impresos al docente de laboratorio.

Procedimiento Bibliografía Guía 1

MEMORIA ROM 1.

Simule el circuito mostrado en la figura 10.1 en el Circuit Maker.

Dirección

Dato

000

01

001

03

002

07

003

1F

004

3F

005

7F

006

FF

007

AA

Figura 10.1 Memoria PROM

Tabla 10.1. Contenido de las posiciones de la memoria PROM

2.

Haga clic derecho sobre la memoria PROM y seleccione la opción “Edit PROM/RAM”, se mostrará la tabla con las localidades de memoria y sus datos respectivos (que inicialmente están en cero).

3.

Deben ingresarse los datos que se almacenaran en las localidades de memoria, para ello dé doble clic sobre la dirección 0000, se le abrirá una ventana para que ingrese el dato que quiere guardar en esa localidad, escriba 01 y haga clic en el botón “OK”.

4.

Siga el mismo proceso para llenar los datos en las direcciones que muestra la tabla 10.1

5.

Ya ingresados los datos ejecute la simulación.

6.

Coloque CS en +5V anote LEDs:________________________

7.

Coloque el terminal CS esta a cero voltios y observe los datos.

8.

Ajuste todos los interruptores conectados a las líneas de dirección a cero voltios, y observe los LEDs y debería aparecer el dato 01h.

9.

De la misma forma verifique que los otros datos están almacenados en las direcciones indicadas en la tabla 10.1.

el

código

binario

en

los

10. Duplique la memoria PROM32 ya programada. 11. Implemente el circuito de la figura 10.2 12. Verifique el contenido almacenado en las siguientes direcciones: Dirección

Dato

Dirección

000h

020h

001h

021h

002h

022h

003h

023h

004h

024h

005h

025h

006h

026h

007h

027h

Dato

Tabla 10.2. Contenido de las posiciones de la memoria con expansión de cantidad de palabras

Fig. 10.2 Combinación de memorias

MEMORIA RAM

13. Analice el circuito que se muestra en la figura 10.3, tome en cuenta la siguiente información: Este circuito posee un CI74244 o 74245 que son buffer tri-estado, los cuales son muy usados para proteger memorias a las que se les sobrescriba, o que le entren datos cuando deberían estar saliendo. La compuerta NOT es para garantizar que los datos a la salida serán los que procedan de la RAM y no los que entran a la misma. Los terminales A9 a A3 se conectan a tierra debido a que no se utilizarán direcciones de memorias mayores a 007 14. Arme en breadboard el circuito mostrado en la figura 10.3, el pin-out de la memoria RAM CY7C185 y del buffer 74245 se muestra en la figura 10.4.

Figura 10.3 circuito de control para programación de RAM.

Note que vamos a armar un circuito para el manejo de un display, cátodo común, por lo que debemos de pensar que lo que vamos a formar son números y algunas letras, por lo que los datos deben de ser coherentes para que tengan sentido.

Figura 10.4 Terminales de la memoria RAM y del buffer triestado 74245.

15. Para garantizar que una memoria no se dañe por mal uso es necesario tomar algunas medidas, entre las principales medidas que tomaremos en cuenta es verificar que el 7404 este bien colocado y que funcione, lo siguiente es respetar los datos de la tabla que se presenta a continuación. tabla de operaciones.

Como notara es necesario que CE1 este en “bajo” y que CE2 este en “alto” para que pueda trabajar la memoria esto nos permitirá tener una doble protección para no dañar la memoria. Coloque el dato en la entrada esto será llevando los puentes a tierra y/o a VCC ,por ejemplo el dato 10101111 en la localidad de memoria 001 (00000000001), luego pase a “cero” el SW, completar la tabla siguiente. Dirección de Segmento almacenamiento del (Hexa) display 0

Dato Bin

Dirección de Segmento almacenamiento del (Hexa) display 8

Dato Bin

1 2 3 4 5 6 7

9 A B C D E F

16. Realice el mismo proceso para escribir los datos en las direcciones que se muestran en la tabla 10.1 17. Ajuste el interruptor que está conectado a la línea WE en uno, coloque en las líneas de direcciones el dato 004h y compruebe que ahí está el dato almacenado. 18. Compruebe que los otros datos también están presentes en las direcciones indicadas. 19. Apague la fuente un momento y vuélvala a encender, verifique que los datos se borraron de la memoria RAM. 20. Apague el equipo y deje ordenado su lugar de trabajo.

Análisis de resultados gENEspecífico 1. Los datos que observó en el paso 6 ¿Están almacenados en la memoria? Explique ___________________________________ 2. ¿Cuantas palabras se pueden almacenar en el circuito de la figura 10.1? Explique su respuesta __________________ 3. ¿Cuantas palabras se pueden almacenar en el circuito de la figura 10.2? Explique su respuesta ________________________________________________________ 4. ¿Qué función hace el inversor de la figura 10.2? ________________________________________________________ 5. En circuito de la figura 10.3 ¿Cuantas palabras almacenar?_______________________________________

se

pueden

6. ¿En qué estado lógico se encuentran las salidas Yb3 a Yb0 del buffer triestado de la figura 10.3 cuando se están escribiendo datos?________________________________

¿Y cuando se leen datos?_______________________________

Bibliografía GuíaM. 3 Mano, “Diseño Digital”, 3ª Ed., México, Ed. Prentice Hall, 2003, pp. 255275.

Guía 4 fía