Estado actual de las memorias en SILICA Enero 2007

Características de las Memorias  Una Memoria es un dispositivo de Almacenamiento de Datos binarios, del tipo código, datos o parámetros.

 La capacidad de información que puede almacenar se mide en bits.

 Según el método de acceso puede ser de acceso Aleatório o de acceso Serie.

 Según las características físicas puede ser Volátil o No Volátil, es decir, que la volátil pierde la información al desconectar la alimentación y la no volátil ls mantiene. 02

Tipos de memorias

Memorias Volátiles

No Volátiles

DRAM

SRAM

RAM Dinámicas

RAM Estáticas

SDRAM

Tecnología actual

Nuevas Tecnologías

Asíncronas SRAM

Flash

PSRAM

Síncronas SRAM

Eeprom

LPSDRAM

Dual Port SRAM

MROM

FIFO SRAM

PROM

SRAM Serie

EPROM

DDRAM DDR2 SRAM

MRAM

NVRAM 03

Principales funciones de las memorias La siguiente tabla permite identificar cada memoria con su función en un sistema

Memorias

RAM PSRAM

DRAM

SRAM

NVRAM

EEPROM

EPROM



Datos Código + Datos Código



Código + Parámetros



Parámetros Memoria de trabajo

 



Rotat orio

No Volátil











H D D

NOR

NAND

FLASH

FLASH

FLASH

CARD



























O D D

 

 

Aplicación típica



Uso posible 04

Memorias dentro de un Procesador • Cada día más los procesadores (microcontroladores o DSPs) incluyen más periféricos y uno de ellos son las memorias. • Empezaron con las SRAM, Eprom, OTP, Eeprom, Flash….. •Estas simplemente hay que fijarse en las características propias del procesador correspondiente.

Peripherals

FLASH

Peripherals

SRAM

CPU

05

Memorias externas Serie Las memorias externas pueden ser con interfaz serie y paralelo, las que usan una interfaz serie más utilizadas son via SPI, I2C y Microwire. • La ventaja es la reducción de pistas y tamaño del circuito impreso. • La desventaja del uso de las memorias serie es la velocidad de acceso, con I2C hasta 400kHz, con SPI/Microwire hasta 10MHz, con Flash hasta 50MHz.

Peripherals

FLASH

Peripherals

SRAM

CPU

I2C SRAM/EEPROM

SPI o Microwire EEPROM Flash

06

Memoria Boot Flash Serie SPI FLASH (NOR) Peripherals SPI Bus 25 - 50 MHz SDRAM Bus

CPU

4 /

Async bus for Peripherals

SRAM

SPI FLASH (NOR) Peripherals 4 / Shared SDRAM/Async Bus SPI Bus 25 - 50 MHz

CPU

SRAM

SDR SDRAM 32-bit

Peripheral 8-bit

07

Memorias externas a un Microprocesador

Peripherals

FLASH

FLASH (NOR) 16-bit

Peripheral 8-bit

Peripherals

SRAM

SDRAM 16-bit

SDRAM 32-bit

CPU

SDRAM

SDRAM

16-bit

32-bit

Address

A[19:0]

Data Byte Select

Component

Flash

Peripheral

A[19:0]

A[19:0]

A[19:0]

D[31:16]

D[31:0]

D[31:16]

D[31;24]

B[3:2]

B[3:0]

B[3:2]

B3

08

Memorias externas con Bus Unificado

Boot FLASH (NOR) 8-bit or 16-bit

Peripherals

Bus Unificado con SDRAM y Boot Flash

CPU

SDR SDRAM 32-bit

SRAM

SDR SDRAM

Boot Flash

Boot Flash

32-bit

8-bit

16-bit

Address

A[19:0]

A[19:0]

A[19:0]

Data

D[31:0]

D[31:24]

D[31:16]

Byte Select

B[3:0]

B3

B[3:2]

Component

09

Memorias con Split Bus Boot FLASH (NOR) 8-bit or 16-bit

Peripherals Control CPU

Address

Data Data

Split Bus

Control

SRAM

DDR1 SDRAM 16-bit

DDR1 SDRAM

Boot Flash

Boot Flash

16-bit

8-bit

16-bit

Address

A[15:0]

A[19:0]

A[19:1]

Data

D[31:16]

D[15:8]

D[15:0]

Byte Select

B[0:1]

B2

B[2:3]

Component

010

Memorias externas con Buses dedicados Boot FLASH (NOR) 8-bit

Peripherals

Peripheral 8-bit

FlexBus - 32-bit muxed Addr/Data, or non-muxed 24 Addrr / 8 Data CPU

Dedicated SDRAM Bus

DDR1/SDR SDRAM 16-bit

SRAM

Component Address

Data

Byte Select

DDR1/SDR SDRAM 16-bit

DDR1 SDRAM

Boot Flash

Peripheral

16-bit

8-bit

8-bit

SDADDR[12:0]

A[19:0]

A[19:0]

D[31:24]

D[31:24]

B3

B3

SDDATA[31:0] SDDQS[3:0] SDDM[3:0]

011

Memorias externas - Buses dedicados 2 Bus completamente no multiplexado Boot FLASH (NOR) 16-bit

Peripherals

SRAM 32-bit

FPGA

Non-multiplxed Bus, 32 Addr / 32 Data CPU

Dedicated SDRAM Bus - 133MHz (CPU frequency/2)

DDR1/SDR SDRAM 16-bit

SRAM

Component Address

Data

Byte Select

DDR1/SDR SDRAM 16-bit

DDR1 SDRAM

Boot Flash

16-bit

16-bit

SDADDR[12:0]

A[19:0]

A[19:0]

A[19:0]

D[31:16]

D[31:0]

D[31:0]

B3

B[3:0]

B[3:0]

SDDATA[31:0] SDDQS[3:0] SDDM[3:0]

FPGA

SRAM 32-bit

012

Memorias DRAM

DRAM SDRAM

DDR SRAM

Micron

Micron

PSRAM

DDR2 SRAM

Micron - Cypress

Micron

RLDRAM Micron

Módulos de Memoria Micron

DRAM (Dynamic Random Access Memory)

 Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio  Es un tipo de RAM que almacena cada bit de Datos en la capacidad parásita de puerta de un transistor mosfet, que tiene que ser recargado periódicamente, operación que se denomina “refresco”.  Si se deja de aplicar alimentación se pierden los datos.  La celda de memoria DRAM es mucho más sencilla, lo que permite construir matrices de memoria muy grandes por chip, a un coste por bit muy menor que la de las memorias SRAM. Por el contrario, necesitan una circuitería de refresco. El tiempo de acceso a una DRAM es algo menor que en una SRAM, pero consumen menos.

 Tipos:  SDRAM (Memoria RAM Dinámica de Acceso Síncrono): Es capaz

de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Trabaja a la velocidad del bus del sistema.  DD SRAM (Double Data Rate SDRAM): Es una memoria síncrona, envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. Trabaja al doble de la velocidad del bus del sistema. 014

SDRAM  La familia SDRAM de Micron consiste de 64Mb, 128Mb, 256Mb y    

512Mb. Interface síncrono a 3V3. Encapsulados en TSOP o FBGA Familia MT48LCxxx SDRAM (hasta 200Mhz) y Mobile SDRAM (hasta 133MHz) que son las más conocidas.

 Nomenclatura, ejemplos y encapsulados    

MT48LC128M4 (128Mb x 4bits de ancho de bus) MT48LC16M16 (16Mb x 16bits de ancho de bus) P y T = TSOP F y B = FBGA

 www.micron.com  http://www.micron.com/support/designsupport/documents/guides 015

DDR SDRAM  Micron ofrece memorias DDR SDRAM con una amplia variedad de capacidades,    

velocidades y configuraciones. Desde 128Mb hasta 1Gb Ancho de bus x4, x8, x16 Alimentación 2,5V Encapsulados TSOP y FBGA hasta 300MHz

 DDR Mobile de 128Mb hasta 256Mb x16 y x32, encapsulado en VFBGA hasta 166MHz

 Nomenclatura, ejemplos y encapsulados  MT46Vxx, MT46V16M16 16Mb x 16 de ancho de bus  Tipos B y F encapsulados FBGA  Tipos P y T encapsulados en TSOP

 www.micron.com  http://www.micron.com/support/designsupport/documents/guides 016

DDR2 SDRAM  Micron ofrece memorias DDR2 SDRAM que duplica la velocidad de acceso de las DDR, permitiendo cuatro transferencias de Datos por cada ciclo de reloj.

   

Capacidades desde 256Mb hasta 2Gb. Ancho de bus x4, x8 y x16 Alimentación a 1,8V Encapsulados en FBGA y VFBGA.

 DDR3 duplica la velocidad de la DDR2, disponibles hasta 1Gb.  Nomenclatura, ejemplos  MT47Hxxx, MT47H128M16 128Mbits x 16 de ancho de bus

 www.micron.com  http://www.micron.com/support/designsupport/documents/guides 017

RLDRAM II

 RLDRAM II ™ (Reduncy Latency DRAM II) arquitectura de altas prestaciones (hasta 4,6GB/s) para aplicaciones de networking, caché de nivel 3 y graficos.  Desde 256Mb hasta 576Mb  Ancho de bus x9, x16, x18, x32 y x36  Encapsulado T-FBGA.  I/O Votage 1.5V/1.8V.  Hasta 533MHz

 Nomenclatura:  MT49Hxx, MT49H16M18BM33 FBGA 144, 16Mbits, ancho de bus x18, 1V5,

 www.micron.com  http://www.micron.com/support/designsupport/documents/guides 018

PSRAM (PSeudo SRAM)

 PSRAM (PowerSaving SRAM) que internamente es una DRAM con interface de SRAM     

Desde 8Mb hasta 256Mb Ancho de bus x16 y x32 Encapsulado VFBGA. I/O Voltage1.70V-3.30V. Hasta 133MHz

 Nomenclatura:  MT45Wx, MT45W1MW16BDG708WT 1Mbit x16 VFBGA 70ns

 www.micron.com  http://www.micron.com/support/designsupport/documents/guides

019

PSRAM (PSeudo SRAM)  Cypress ofrece las memorias que denomina Specialty DRAM, las Pseudo SRAM que internamente es una DRAM con interface de SRAM

No  Capacidades: desde 1Mbits hasta 16Mbits  Compatibles con SRAM pero mas baratas  Están destinadas, principalmente, al mercado de teléfonos móviles. PSRAM CYK001M16SCCA CYK001M16ZCCA CYK128K16MCCB CYK128K16SCCB CYK256K16MCCB CYK256K16SCCB CYK512K16SCCA CYU01M16SCG CYU01M16SFE

Packages

Power

Access

SAP

Memory

Organization

Temp range

Vcc

16Mb

1Mb x 16

48 FBGA

Ultra Low Power

55ns, 70ns

Ind (-25 to 85 C )

3V

16Mb

1Mb x 16

48 FBGA

Ultra Low Power

70ns

Ind (-25 to 85 C )

3V

2Mb

128Kb x 16

48 VFBGA

Ultra Low Power

55ns, 70ns

Ind (-25 to 85 C )

3V

2Mb

128Kb x 16

48 VFBGA

Ultra Low Power

55ns, 70ns

Ind (-25 to 85 C )

3V

4Mb

256Kb x 16

48 VFBGA

Ultra Low Power

55ns, 70ns

Ind (-25 to 85 C )

3V

4Mb

256Kb x 16

48 VFBGA

Ultra Low Power

55ns, 70ns

Ind (-25 to 85 C )

3V

8Mb

512Kb x 16

48 FBGA

Ultra Low Power

55ns, 70ns

Ind (-25 to 85 C )

3V

16Mb

1 Mb X 16

FBGA

Ultra Low Power

70ns

Ind (-40C to 85C )

16Mb

1Mb x 16

48 VFBGA

Ultra Low Power

70ns

Ind (-40 to 85 C )

3V 1.8 V

020

Módulos de Memoria  Micron ofrece módulos DIMM, MiniDIMM (244pins) y SODIMM (200pins) de SDRAM, DDR y DDR2 con capacidades hasta 4GB y velocidades hasta PC2-6200 en rango comercial e industrial.  Tipos y Nomenclatura: FBDIMM (Fully Buffered DIMM), UDIMM (Unbuffered DIMM), VLPDIMM (VeryLowProfile DIMM), VLPminiDIMM (VeryLowProfile miniDIMM),RLDIMM (ReducedLatency DIMM), Mini DIMM, SODIMM (SmallOutline DIMM)  UDIMM MT18HTF12872 128Mbits x72 DDR2  UDIMM MT9HTF6472 64Mbits x72 DDR2  SODIMM MT16HTF12864 128Mbits x64 DDR2  MiniDIMM MT9HTF6472Y40 64Mbits x72

MiniDIMM

DIMM SODIMM 021

Memorias SRAM SRAM RAM Estática

SRAM Serie NXP

Síncronas

Asíncronas

Dual Port

FIFO

Cypress

Cypress

Cypress

Cypress

FAST SRAM Cypress - Renesas

LowPower SRAM Cypress - Renesas

SRAM (Static Random Access Memory)

 Memoria Estática de Acceso Aleatorio  La palabra “estática” indica que la memoria retiene el contenido

mientras se le aplica alimentación.  "Acceso aleatorio" significa que la localización de las posiciones en la memoria no siguen ningún orden donde los datos serán leídos o escritos.  Las celdas de almacenamiento son registros o biestables (flip-flop).

 Tipos  Asíncronas SRAM: Independientes de la frecuencia de reloj; los

Datos de entrada y los Datos de salida están controlados por la transición de las Direcciones.

 Síncronas SRAM: Todas las sincronizaciones se inician por el tiempo de subida y de bajada del reloj. Las Direcciones, Datos de entrada y otras señales de control están asociadas con las señales del reloj.

023

SRAM Asíncronas

 Distinguimos 2 tipos:

 Fast: debajo de 25ns  Micropower o Slow: 45ns y superior

 Cypress es el líder en SRAM y concretamente en las FAST SRAM, con un ancho catálogo de dispositivos.

 Capacidades desde 4 Kb hasta 32 Mb, en varias opciones de voltage, ancho de bus, y encapsulados, con un tiempo de acceso muy rápido.  Fast Asynchronous SRAMs estan fabricadas usando tecnología CMOS de Cypress, uno de los más antiguos fabricantes de Fast Asynchronous SRAM.  Las aplicaciones de las Fast Asynchronous SRAMs es muy amplio, desde switches y routers, teléfonos IP, IC-Testers, DSLAM Cards, Automoción o cualquier aplicación que requiera estas características.

 Nomenclatura: Tabla siguiente página

024

Fast SRAM Asíncronas Memory

Organization

Vcc

Memory

Organization

Vcc

CY7C1006D

1Mb

256Kbx4

5

CY7C1049CV33

4Mb

512Kb x8

3.3

CY7C1007B

1Mb

1Mb x1

5

CY7C1051DV33

8Mb

512Kb x16

3.3

CY7C1009B

1Mb

128Kb x8

5

CY7C1059DV33

8Mb

1Mb x8

3.3

CY7C1010CV33

2Mb

256Kb x8

3.3

CY7C1061AV33

16Mb

1Mb x16

3.3

CY7C1011CV33

2Mb

128Kb x16

3.3

CY7C1062AV25

16Mb

512Kb x32

2.5

CY7C1012AV33

12Mb

512Kb x24

3.3

CY7C1062AV33

16Mb

512Kb x32

3.3

CY7C1018CV33

1Mb

128Kb x8

3.3

CY7C1069AV33

16Mb

2Mb x8

3.3

CY7C1019B

1Mb

128Kb x8

5

CY7C106B

1Mb

256Kb x4

5

CY7C1019CV33

1Mb

128Kb x8

3.3

CY7C107B

1Mb

1Mb x1

5

CY7C1020B

512Kb

32Kb x16

5

CY7C109B

1Mb

128Kb x8

5

CY7C1020CV26

512Kb

32Kb x16

2.6

CY7C128A

16Kb

2Kb x8

5

CY7C1020CV33

512Kb

32Kb x16

3.3

CY7C1399B

256Kb

32Kb x8

3.3

CY7C1020DV33

512Kb

256Kb x16

3.3

CY7C148

4Kb

4Kb x4

5

CY7C1021B

1Mb

64Kb x16

5

CY7C164

64Kb

16Kb x4

5

CY7C1021CV26

1Mb

64Kbx16

2.6

CY7C166

64Kb

16Kb x4

5

CY7C1021CV33

1Mb

64Kb x16

3.3

CY7C167A

16Kb

16Kb x1

5

CY7C1024DV33

3Mb

128Kb x24

3.3

CY7C168A

16Kb

4Kb x4

5

CY7C1034DV33

6Mb

256Kbx24

3.3

CY7C185

64Kb

8Kb x8

5

CY7C1041B

4Mb

256Kb x16

5

CY7C187

64Kb

64Kb x1

5

CY7C1041CV33

4Mb

256Kb x16

3.3

CY7C192

256Kb

64Kb x4

5

CY7C1046B

4Mb

1Mb x4

5

CY7C194BN

256Kb

64Kb x4

5

CY7C1046CV33

4Mb

1Mb x4

3.3

CY7C197BN

256Kb

256Kb x1

5

CY7C1049B

4Mb

512Kb x8

CY7C199C

256Kb

32Kb x8

5

5

025

Fast SRAM  QDR SRAM QDR™ (Quad Data Rate) SRAMs, son ideales para las aplicaciones de la

siguiente generación de comunicaciones. Las QDRs están organizadas x9, x18 y x36 en BGA 165, con una rango de frecuencias desde 167MHz hasta 333MHz, a 1,8V. Aplicaciones: Network switches, routers y otras soluciones de comunicaciones basadas en diseños LA-1 (Look-Aside Interface). Estan especialmente diseñadas a los estándars de network como OC-48, OC-192 y OC-768.

 Nomenclatura: HM66AQB9402BP-60 36Mbit 4Mbitx9 BGA 1,8V

 Network SRAM Es una compatible ZBT™ (Zero Bus Turnaround™ (ZBT®) *1), son de 18 Mbits.

 Nomenclatura: HM5M5V5A36GP-85 18Mbit 512kbitx36 TQFP100 3V

 Late Write Synchronous SRAM Se usan especialmente como “cache” y “buffer”, son de 16Mb, con ancho x36, BGA 119, 2,5 V (I/O a 1.5V.), 300MHz.

 Nomenclatura: HM64YGB36100BP-33 32Mbit 1Mbitx36 BGA 119 3V

 Asynchronous SRAM Se usan en aplicaciones industrial y comunicaciones, 4Mb SRAM asíncronas, organizadas x4, x8, y x16

 Nomenclatura: R1RW0416DSB-2PR 4Mbit 256kbitx16 TSOP 3V

Ninguna en SAP

 http://www.renesas.com/ 026

LowPower SRAM

 MicroPower SRAM  Cypress's MoBL(TM) SRAMs domina el mercado “low-power” con dispositivos desde 64 Kb hasta 64 Mb con diferentes opciones de tensiones y ancho de bus, tiempos de acceso de 45 ns, con una disipación muy baja en “standby”, se ofrecen en opciones de encapsulado estandard (RoHS) y en rangos de temperatura Industrial y de Automocion. Las MoBL SRAMs en combinacion con baterias y controlador de memoria, como circuiteria de seguridad, forma una “Super-Fast Non-Volatile-SRAM” para salvaguardar datos como una memoria no-volatil con una vida entre 7 – 9 años.

 Ideales en aplicaciones de altas prestaciones y alimentadas con baterias como teléfonos móviles, PDAs, terminales Punto de Venta (POS), maquinas de juego portables, Automoción, Audio portables, Navegación y sistemas Telemáticos.

 Nomenclatura:  CY62xxx, CY62128 128Kbits x8, CY62157EV30LL-45 256Kbits x16 3V 45ns TSOP   Terminaciones: V 3V, V30 3V, V18 1,8V

027

LowPower SRAM     

Renesas ofrece memorias Low Power SRAM Desde 256Kb hasta 32Mb) Alimentación a 5V, 3V, 1,8V Ancho de bus x8, x16 Encapsulados en SOP/TSOP/STSOP/FBGA

 Nomenclatura:  R1LV0408CSB-5SI 4Mbit 256Kbitsx8 TSOP 3V  M5M51008DVP-70HI 1Mbit 128Kbitx8 TSOP 5V  M5M51008DFP-70HI 1Mbit 128Kbitx8 SOP 5V  http://www.renesas.com/ 028

SRAMs Síncronas 

Cypress ofrece SRAM síncronas de alta velocidad que incluyen “pipelined” síncrono estándard, NoBusLatency™ (NoBL™), QuadDataRate™(QDR™), TagRAM, y Doble Data Rate (DDR) SRAMs, que se usan típicamente en aplicaciones de redes. Adicionalmente, Cypress es líder en el mercado de memorias síncronas de 72-Mbits, dispositivos NoBL, QDR-II, y DDR-II SRAM.



Tipos:



Synchronous SRAM: SDR y DDR.  Single Data Rate Synchronous SRAM (SDR SRAM)  Pipelined Sincrona SRAM: memoria con registros en la entrada y en la salida. La escritura se realiza en un ciclo de

  

reloj y la lectura en dos ciclos. Flowtrough: no tiene registros en la salida. La escritura se realiza en un ciclo de reloj y la lectura, también en uno. Burst SRAM: característica que permite obtener datos de posiciones contiguas a partir de una dada. Los datos se consiguen con cada ciclo de reloj.

Doble Data Rate Synchronous SRAM (DDR SRAM)  QDR: Poseen dos puertos separados (para operaciones de lectura y escritura) que pueden correr independientemente



a doble velocidad (hasta 2 palabras pueden ser escritas y dos pueden ser leídas al mismo tiempo; el resultado son 4 datos por ciclo de reloj) DDR: Como QDR pero un único puerto.

 Nomenclatura:     

CY7C11xx No SAP CY7C12xx CY7C13xx CY7C14xx CY7C15xx

No usuales

 www.cypress.com/dualport 029

Dual Port SRAM  Cypress ofrece más de 160 dispositivos de memoria Dual Port síncronas o

asíncronas, en densidades desde 8Kb hasta 36Mb y velocidades de hasta 250 MHz.

 Las memorias Dual-Port son ideales para interconectar procesadores, DSPs o FPGAs para su comunicación o compartición de Datos.

   

Capacidades: 8 Kb hasta 36 Mb Alimentación: 5V, 3.3V, 1.8V y 1.5V Operación: Síncronas y asíncronas Ancho de Bus: x8, x9, x16, x18, x36, y x72

 Nomenclaturas:  Familias: CY7C0xx, CY7C1xx, CYD0xx, CYD18Sxx, CYD3x

 www.cypress.com/dualport 030

FIFO SRAM  FIFO (First In, First Out): Primero en Entrar, Primero en Salir, es decir el primer Dato que

se escribe es el primero que se lee.  Esta memoria se puede utilizar para comunicar dos sistemas con diferentes velocidades, por ejemplo donde el sistema transmisor envía Datos a una velocidad superior a la que el receptor la puede aceptar.  Las memorias FIFO se usan comúnmente como “buffer” y en control de flujo, como en Video, comunicaciones de Datos, Telecomunicaciones, Network switching/routing.

 Las memorias FIFO pueden ser:

 Síncronas: Una FIFO síncrona usa el mismo reloj tanto para leer como para escribir la   

memoria. Asíncronas: Una FIFO asíncrona usa diferentes relojes leer y para escribir la memoria. Existen en una variedad de velocidades y ancho de bus, densidades y encapsulados. También tener las siguientes configuraciones:  Unidireccionales  Bidireccionales  Tri-bus  Doble sincronismo.

 www.cypress.com/fifo

031

SRAM I2C  NXP (antes Philips) ofrece una única memoria RAM serie I2C, el PCF8570, de muy bajo consumo, organizada como 256 palabras de 8-bits.

 Las direcciones y los Datos son transferidos vía serie a un bus de dos líneas

bidireccional (I²C-bus). El registro de direcciones se incrementado automáticamente después de cada byte escrito o leído. Los tres pins de direcciones, A0, A1 y A2 se usan para definir las direcciones hardware, permitiendo usar hasta 8 dispositivos iguales conectados al bus sin hardware adicional.

       

Alimentación: 2.5 a 6.0 V Muy bajo Voltaje para retención de Datos; mínimo 1.0 V Muy baja corriente en standby; máximo 15 µA Modo power-saving; 50 nA I²C-bus 3 pins de direcciones hardware Incremento automático de dirección Encapsulados en DIP8 y SO8.

 www.nxp.com/I2C

032

Memorias No Volátiles RAM

NVRAM

BBSRAM STM

NVSRAM Cypress Texas Instruments

MRAM Freescale

NVRAM (Ram No Volátil)

 STM BBSRAM (Battery-Backed Static RAM): Consiste en una SRAM, una batería y una circuitería de control.  SRAM  Tiempo de acceso: 70/100 ns  Retención de datos: 10 años  Desde 16kbits hasta 16 Mbits  Opciones con RTC (Real Time Clock)  Circuito de control de fallo de alimentación  Batería para no perder la información  BUS PARALELO….

 Dos tipos:

 ZEROPOWER®: dispositivos NVRAM desde 16Kbits hasta 32Mbits,  TIMEKEEPER®: dispositivos que incluyen RTCs (Real-Time Clocks) y un rango desde 1Kbit hasta 4Mbits.

 http://www.st.com/stonline/products/families/memories/nvram/nvram.htm 034

NVRAM (Timekeeper) Part Number

Package

Memory

M440T1MV

PBGA 44.5X44.5 168 MODULE 1.27

32Mb (1M x 32)

M48T02

PDIP 24 .7 ZERO POWER

M48T08

Min V

Max V

Programmable Alarm

WDT

3

3.6

-

Yes

16Kb (2K x 8)

4.75

5.5

No

No

PDIP 28 .7 ZERO POWER

64Kb (8K x 8)

4.75

5.5

No

No

M48T08Y

SO 28 BATTERY

64Kb (8K x 8)

4.5

5.5

No

No

M48T12

PDIP 24 .7 ZERO POWER

16Kb (2K x 8)

4.5

5.5

No

No

M48T128Y

HYBRID MODULE 32L

1Mb (128K x 8)

4.75

5.5

No

No

M48T129V

HYBRID MODULE 32L

1Mb (128K x 8)

3

3.6

Yes

No

M48T129Y

HYBRID MODULE 32L

1Mb (128K x 8)

4.5

5.5

Yes

No

M48T18

PDIP 28 .7 ZERO POWER

64Kb (8K x 8)

4.5

5.5

No

No

M48T248Y

HYBRID MODULE 32L

1Mb (128K x 8)

4.5

5.5

No

No

M48T251Y

HYBRID MODULE 32L

4Mb (512K x 8)

4.5

5.5

No

No

M48T35

PDIP 28 .7 ZERO POWER

256Kb (32K x 8)

4.75

5.5

No

No

M48T35AV

PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERY

256Kb (32K x 8)

3

3.6

No

No

M48T35Y

PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERY

256Kb (32K x 8)

4.5

5.5

No

No

M48T37V

SO44.350 BATT C u w/socket

256Kb (32K x 8)

3

3.6

Yes

Yes

M48T37Y

SO44.350 BATT C u w/socket

256Kb (32K x 8)

4.5

5.5

Yes

Yes

M48T512Y

HYBRID MODULE 32L

4Mb (512K x 8)

4.5

5.5

No

Yes

M48T58

PDIP 28 .7 ZERO POWER

64Kb (8K x 8)

4.75

5.5

No

No

M48T58Y

PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERY

64Kb (8K x 8)

4.5

5.5

No

No

M48T59Y

PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERY

64Kb (8K x 8)

4.5

5.5

Yes

Yes

M48T86

PDIP 24 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERY

1Kb (128 x 8)

4.5

5.5

Yes

No

035

NVRAM (Zero Power) Part Number

Package

Memory

Min V

Max V

M48Z02

PDIP 24 .7 ZERO POWER

16Kb (2K x 8)

4.75

5.5

M48Z08

PDIP 28 .7 ZERO POWER

64Kb (8K x 8)

4.75

5.5

M48Z12

PDIP 24 .7 ZERO POWER

16Kb (2K x 8)

4.5

5.5

M48Z128

HYBRID MODULE 32L

1Mb (128K x 8)

4.75

5.5

M48Z128Y

HYBRID MODULE 32L

1Mb (128K x 8)

4.5

5.5

M48Z129V

HYBRID MODULE 32L

1Mb (128K x 8)

3

3.6

PDIP 28 .7 ZERO POWER

64Kb (8K x 8)

4.5

5.5

M48Z2M1V

HYBRID MODULE 36L .6 ZEROPOWER

16Mb (2Mb x 8)

3

3.6

M48Z2M1Y

HYBRID MODULE 36L .6 ZEROPOWER

16Mb (2Mb x 8)

4.5

5.5

SO 44 .350 BAT Cu wo/socket

256Kb (32K x 8)

3

3.6

PDIP 28 .7 ZERO POWER

256Kb (32K x 8)

4.75

5.5

M48Z35AV

PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERY

256Kb (32K x 8)

3

3.6

M48Z35Y

PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERY

256Kb (32K x 8)

4.5

5.5

M48Z512A

HYBRID MODULE 32L

4Mb (512K x 8)

4.75

5.5

M48Z512AY

HYBRID MODULE 32L

4Mb (512K x 8)

4.5

5.5

PDIP 28 .7 ZERO POWER

64Kb (8K x 8)

4.75

5.5

PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERY

64Kb (8K x 8)

4.5

M48Z18

M48Z32V M48Z35

M48Z58 M48Z58Y

5.5

036

NVRAM (RAM No Volátil)

 Texas Instruments NVSRAM  Consta de una SRAM, una célula de Litio y una circuitería de control.

 Vida: 10 años de retención de Datos  Desde 64kbytes hasta 2048kbytes.  Zócalo compatible con SRAM y Eeprom.

 Opción dos chips, el controlador y la SRAM  BQ2201: Controlador externo para SRAM y batería. 037

NVSRAM Part Number   

Memor y   (Kb)  

Controlle r  

Mod .

Yes

BQ2201

Supply Voltag e     (V)   5

Pin/Package  

Price 1KU (US$)   1.85

SRAM Nonvolatile Controller IC for 1 SRAM Bank

2.30

SRAM Nonvolatile Controller IC for 4 SRAM Banks

6.50

8Kx8 Nonvolatile SRAM, 5% Voltage Tolerance

6.50

8Kx8 Nonvolatile SRAM, 10% Voltage Tolerance

7.50

32Kx8 Nonvolatile SRAM, 5% Voltage Tolerance

7.50

32Kx8 Nonvolatile SRAM, 10% Voltage Tolerance

9.50

128Kx8 Nonvolatile SRAM, 5% Voltage Tolerance

9.50

128Kx8 Nonvolatile SRAM, 10% Voltage Tolerance

20.00

256Kx8 Nonvolatile SRAM, 5% Voltage Tolerance

20.00

256Kx8 Nonvolatile SRAM, 10% Voltage Tolerance

8PDIP 8SOIC 5

BQ2204A

16PDIP 16SOIC BQ4010

64

Yes

5 28DIP MODULE

BQ4010Y

64

Yes

5 28DIP MODULE

BQ4011

256

Yes

5 28DIP MODULE

BQ4011Y

256

Yes

5 28DIP MODULE

BQ4013

1024

Yes

5 32DIP MODULE

BQ4013Y

1024

Yes

5 32DIP MODULE

BQ4014

2048

Yes

5 32DIP MODULE

BQ4014Y

2048

Yes

5 32DIP MODULE

Description  

038

NVSRAM (Ram No Volátil)

 Cypress NVSRAM (No Volatil Static RAM): Consiste en una SRAM, una Eeprom y una circuitería de control.  SRAM + Eeprom  16k, 1Mbit  Interface: SRAM  Alimentación: 3V y 5V  Tiempo de acceso: 15/25/35/45 ns  Retención de datos: 20 años a 85ºC  Opciones con RTC (Real Time Clock)  Condensador para no perder la información cuando se pasa la información de la SRAM a la Eeprom NVSRAM

Memory

Vcc

RTC

Package - access

RTC

SSOP, 25ns/45ns

CY14B101K

128Kb x8

3

CY14B101L

128Kb x8

3

SOIC, 35ns

CY14B101L

128Kb x8

3

SSOP, 25ns

CY14B256K

32Kb x8

3

CY14B256L

32Kb x8

3

SSOP, SOIC, 25ns/35ns

CY14E064L

8Kb x8

5

SOIC, 25ns/35ns

CY14E256L

32Kb x8

5

SOIC, 25ns/35ns

CY22E016L

2Kb x8

5

RTC

SSOP, 25ns/45ns

SOIC, 25ns/35ns

039

MRAM (Magnetoresistive Random Access Memories)

 Freescale (MRAM)

 Usa materiales ferromagnéticos (Ni, Fe, Co) para producir dos capas magnéticas       

que contienen un estado “1” o “0”. Las capas están separadas por un fino dieléctrico de óxido de aluminio. Una capa es magnéticamente fija, mientras que la otra puede conmutar en orientación polar. La capa libre tiene la habilidad de orientar los momentos magnéticos en el material en la misma dirección (paralela) que la orientación de la placa fija o con la orientación opuesta (antiparalela). Ambos estados son estables, pero se diferencian en la resistencia. La información se almacena como polarización magnética y detectada como un cambio en la resistencia. Vida muy alta, de rápida programación. Programable byte a byte Se necesita baja energía en la programación comparado con la Flash y la Eeprom. El tamaño del bit de la celda competitiva con la eDRAM. Competitiva en velocidad con la SRAM (excepto con las más rápidas).

N S

S N

Alta Resistencia = “1”

Capa Libre Capa fija

S S

N N

Baja Resistencia = “0” 040

Freescale MRAM Memoria MRAM MR216ATS35C  4Mbits organizado (256Kx16bits)  Alimentación: 3.3V  Tiempo de acceso: 25ns r/w.  Pinout como una Fast SRAM (alimentación y masa en el centro).  Rango de Temperatura Comercial (0-70°C)  Encapsulado TSOP tipo-II.  Bus de Datos flexible (acceso 8/16-bits)  LVI previene perdidas de escrituras  I/O compatible TTL  Operación completamente estática.  10 años en retención de Datos.  Vida: >1016

A16 A17 A10 A11 A12 E DQL0 DQL1 DQL2 DQL3 V DD VS S DQL4 DQL5

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14

44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31

A15 A14 A13 G UB LB DQU15 DQU14 DQU13 DQU12 VSS VDD DQU11 DQU10

DQL6 DQL7 W A0 A1 A2 A3 A4

15 16 17 18 19 20 21 22

30 29 28 27 26 25 24 23

DQUS9 DQU8 NC A9 A8 A7 A6 A5

041

EEPROM

EEPROM Serie

I2C™

SPI™

Microwire®

STM - NXP Microchip

STM Microchip

STM Microchip

Eeprom  Eeprom o E2Prom (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)  Es una memoria programable y borrable eléctricamente.  Se pueden conectar a un bus paralelo o serie (I2C, SPI, Microwire ™)  Se puede escribir byte a byte

 STM, Microchip y Philips (NXP) ofrecen EEPROMs con un ancho rango de tamaños de memoria y de comunicaciones serie.    

Desde 1kb hasta 512kb. 3 tipos de buses: I2C, SPI, Microwire Varios rangos de alimentación (5.5V, 2.5V, 1.8V) Encapsulados muy pequeños en 8-pins.

www.st.com/eeprom/

www.microchip.com/eeprom

www.nxp.com/i2c

043

EEPROM I2C™ Part Number

Memory

Min V

Max V

Write Cycle Time (ms)

Erase/write (Kcycles)

M24128-BR

128Kb x8

1.8

5.5

10

1000

M24128-BW

128Kb x8

2.5

5.5

5

M24256-BR

256Kb x8

1.8

5.5

M24256-BW

256Kb x8

2.5

M24512-R

512Kb x8

M24512-W

Data Retention (years)

Page Size (byte)

Standby (uA)

40

64

1

1000

40

64

2

10

1000

40

64

5

5.5

5

1000

40

64

2

1.8

5.5

10

100

40

128

2

512Kb x8

2.5

5.5

5

100

40

128

2

M24C01-R

1Kb x8

1.8

5.5

10

1000

40

16

0.3

M24C01-W

1Kb x8

2.5

5.5

5

1000

40

16

0.5

M24C02-R

2Kb x8

1.8

5.5

10

1000

40

16

0.3

M24C02-W

2Kb x8

2.5

5.5

5

1000

40

16

0.5-2.0

M24C04-R

4Kb x8

1.8

5.5

10

1000

40

16

0.3

M24C04-W

4Kb x8

2.5

5.5

5

1000

40

16

0.5-2.0

M24C08-R

8Kb x8

1.8

5.5

10

1000

40

16

0.3

M24C08-W

8Kb x8

2.5

5.5

5

1000

40

16

0.5-2.0

M24C16-R

16Kb x8

1.8

5.5

10

1000

40

16

0.3

M24C16-W

16Kb x8

2.5

5.5

5

1000

40

16

0.5

M24C32-R

32Kb x8

1.8

5.5

10

1000

40

32

0.2

M24C32-W

32Kb x8

2.5

5.5

5

1000

40

32

2

M24C64-R

64Kb x8

1.8

5.5

10

1000

40

32

0.2

M24C64-W

64Kb x8

2.5

5.5

5

1000

40

32

2

M34D64-W

64Kb x8

2.5

5.5

5

1000

40

32

10

044

EEPROM I2C™  Microchip ofrece una familia de Eeprom serie I2C compatible con un rango de capacidad desde 128 bits hasta 1Mbit. 1.000.000 ciclos, >200 años retención.

 Familia 24xx  Nomenclatura:  24AAxx 1,5V a 5V (1,8V 100kHz, 5V 400kHz)  24LCxx 2,5V a 5V  24Cxx 5V  Xx = 00 128bit, 01 1kbit, 02 2Kbit, 04 4kbit, 08 8kbit,… 16, 32, 64, 128, 256, 512,…. 1025 1Mbit.

045

EEPROM I2C™  NXP (antes Philips) ofrece Eeprom I2C y con tecnología CMOS con muy bajo consumo.

 Se pueden reprogramar como mínimo 1millon de veces (a 25ºC).  Escritura byte a byte o páginas de 8 bytes.  Lectura secuencial o aleatória.

046

EEPROM Microwire® Part Num ber

Package

M em ory

M in V

M ax V

Write Cycle Tim e (m s)

Eras e/w rite Kcycles

Data Retention (ye ars)

Standby (uA)

PDIP8; SO8

1Kb x8. 1Kb x16

4.5

5.5

5

1000

40

15

PDIP8; SO8; TSSOP8

1Kb x8; 1Kb x16

2.5

5.5

5

1000

40

5

M 93C56

SO8

2Kb x8. 2Kb x16

4.5

5.5

5

1000

40

15

M 93C56-R

SO8

2Kb x8; 1Kb x16; 2Kb x8; 2Kb x16

1.8

5.5

10

1000

40

2

M 93C56-W

SO8; TSSOP8

2Kb x8; 2Kb x16

2.5

5.5

5

1000

40

5

SO8

4Kb x8. 4Kb x16

4.5

5.5

5

1000

40

15

M 93C66-R

UFDFPN 2x3x0.6 8L 0.5MM pitch

4Kb x8; 4Kb x16

1.8

5.5

10

1000

40

2

M 93C66-W

SO8; TSSOP8

4Kb x8; 4Kb x16

2.5

5.5

5

1000

40

5

SO8

8Kb x8. 8Kb x16

4.5

5.5

5

1000

40

15

SO8; TSSOP8

8Kb x8; 8Kb x16

2.5

5.5

5

1000

40

5

SO8

16Kb x8. 16Kb x16

4.5

5.5

5

1000

40

15

PDIP8; SO8; TSSOP8

16Kb x8; 16Kb x16

2.5

5.5

5

1000

40

5

M 93S46

SO8

1Kb x16

4.5

5.5

5

1000

40

15

M 93S46-W

SO8

1Kb x16

2.5

5.5

5

1000

40

5

M 93S56

SO8

2Kb x16

4.5

5.5

5

1000

40

15

M 93S56-W

SO8

2Kb x16

2.5

5.5

5

1000

40

5

M 93S66

SO8

4Kb x16

4.5

5.5

5

1000

40

15

M 93S66-W

SO8

4Kb x16

2.5

5.5

5

1000

40

5

M 93C46 M 93C46-W

M 93C66

M 93C76 M 93C76-W M 93C86 M 93C86-W

047

EEPROM Microwire®  Microchip ofrece una familia de Eeprom serie Microwire compatible con un rango de capacidad desde 1Kbit hasta 16Kbit.

1.000.000 ciclos, >200 años retención.

 Familia 93xx

 Nomenclatura:  93AAxx 1,5V a 5V  93LCxx 2,5V a 5V  93Cxx 5V  xx 46 1kbit, 56 2Kbit, 66 4kbit, 76 8kbit, 86 16Kbit.  Letra final A 8bit, B 16bit, C 8/16bit de tamaño de “word” 048

EEPROM SPI™ Part Number

Package

Memory

Min V

Ma x V

Write Cycle Time (ms)

Erase/write Kcycles

Data Ret. (years)

Standby (mA)

M95010

SO8; TSSOP8

1Kb x8

1.8

5.5

5

1000

40

1

M95010-W

SO8; TSSOP8

1Kb x8

2.5

5.5

5

1000

40

1

TSSOP8

2Kb x8

2.5

5.5

5

1000

40

1

SO8

2Kb x8

2.5

5.5

5

1000

40

1

M95040

SO8; TSSOP8

4Kb x8

1.8

5.5

5

1000

40

0.5-5.0

M95040-W

SO8; TSSOP8

4Kb x8

2.5

5.5

5

1000

40

1.0-2.0

M95080

SO8; TSSOP8; UFDFPN 2x3x0.6 8L 0.5MM pitch

8Kb x8

1.8

5.5

5

1000

40

0.5-2.0

M95080-W

SO8; TSSOP8; UFDFPN 2x3x0.6 8L 0.5MM pitch

8Kb x8

2.5

5.5

5

1000

40

1.0-2.0

M95128-R

SO8; TSSOP8

128Kb x8

1.8

5.5

5

1000

40

0.5

M95128-W

SO8

128Kb x8

2.5

5.5

5

1000

40

1

SO8; TSSOP8; UFDFPN 2x3x0.6 8L 0.5MM pitch

16Kb x8

1.8

5.5

5

1000

40

0.5-5.0

M95160-W

SO8; TSSOP8

16Kb x8

2.5

5.5

5

1000

40

1.0-2.0

M95256

SO8; TSSOP8

-

-

-

-

-

-

-

SO 08 WIDE .208 (EIAJ); SO8; TSSOP8

256Kb x8

2.5

5.5

5

1000

40

1

SO8

32Kb x8

4.5

5.5

5

1000

40

2

M95320-R

SO8; TSSOP8; UFDFPN 2x3x0.6 8L 0.5MM pitch

32Kb x8

1.8

5.5

5

1000

40

1

M95320-W

SO8; TSSOP8

32Kb x8

2.5

5.5

5

1000

40

1.0-2.0

M95512-R

SO8; TSSOP8

512Kb x8

1.8

5.5

5

100

40

3

M95512-W

SO8; TSSOP8

512Kb x8

2.5

5.5

5

100

40

2

SO8

64Kb x8

2.5

5.5

5

1000

40

2

M95640-R

SO8; TSSOP8; UFDFPN 2x3x0.6 8L 0.5MM pitch

64Kb x8

1.8

5.5

5

1000

40

1

M95640-W

SO8; TSSOP8

64Kb x8

2.5

5.5

5

1000

40

1.0-2.0

M95020 M95020-W

M95160

M95256-W M95320

M95640

049

EEPROM SPI™  Microchip ofrece una familia de Eeprom serie SPI con un rango de capacidad desde 1Kbit hasta 256Kbit. 1.000.000 ciclos, >200 años retención. 10MHz.

 Familia 25xx  Nomenclatura:  25AAxxxA 1,5V a 5V  25LCxxxA 2,5V a 5V  xxx 010 1kbit, 020 2Kbit, 040 4kbit, 080 8kbit, 160 16Kbit, 320 32Kbit, 640 64Kbit, 256 256Kbit.

050

Memorias FLASH

Flash

NOR FLASH

NAND FLASH

STM – Spansion INTEL

STM INTEL

Kripto FLASH STM

FLASH SPI FLASH CARD

STM Spansion Intel

Memorias Flash NAND y NOR  NAND Flash es una memoria no volátil que tiene la capacidad de mantener y almacenar

Datos incluso sin alimentación. Funcionalmente una NAND Flash puede ser vista como una pequeña unidad de disco duro en versión silicio.

 NAND Flash almacena Datos en una larga serie de transistores. Cada transistor puede

almacenar un bit de Datos (nota: la celda multi-nivel (MLC) NAND puede almacenar dos bits de Datos en cada celda). NAND Flash ha ganado la gran popularidad de las tradicionales memorias NOR Flash, porque pueden tener muchas más celdas en la misma área de silicio. Esto da a las NAND Flash ventajas en densidad y coste sobre otras memorias no volátiles. NAND Flash permite estas ventajas compartiendo algunas áreas comunes del transistor de almacenaje, que crea cadenas de transistores conectados en serie (en NOR Flash, cada transistor está solo). Esta arquitectura de celdas sucesivas dan el nombre a este tipo de dispositivos: NAND (Not AND) es la referencia de lógica de Boole a como la información es leída de estas celdas.

 NAND vs. NOR  NOR - Está diseñada para ser un dispositivo de acceso aleatorio, la celda utilizada para



almacenar un bit es mayor que en la NAND, el tiempo de lectura es mas rápido y es la mejor manera para almacenar y ejecutar código en la memoria. Las aplicaciones de almacenar código incluyen Set-Top Boxes, PCs, y teléfonos celulares.... NAND - Es un dispositivo de acceso secuencial (serie), tiempo de lectura lento, célula de almacenado mas pequeña que en NOR por lo que suelen ser mas baratas y es la mejor manera de manejar el almacenaje de Datos como fotos, música o ficheros de Datos. Es la memoria utilizada en las MultimediaCard, SDcard.

 Los sistemas de archivos para estas memorias están en pleno desarrollo aunque ya en

funcionamiento como por ejemplo JFFS originalmente para NOR, evolucionado a JFFS2 para soportar además NAND o YAFFS, ya en su segunda versión, para NAND. Sin embargo, 052

Comparación NOR Flash / NAND Flash PARAMETRO

NOR Flash

NAND Flash

Capacidad

1 a 16 Mbytes

8 a 128 Mbytes

Ejecución de código XIP (Ejecution In Place)

Si

No

Borrado

Muy lenta (5s)

Rápida (3ms)

Escritura

Lenta

Rápida

Lectura

Rápido

Rápida

Durabilidad

Direccionable cada byte

10% más que la mayor vida esperada

Rango de ciclos de borrado

10,000 a 100,000

100,000 a1,000,000

Interface

Como la SRAM, mapa de memoria

Teniendo accesos de 512 bytes; mapa de I/O

Metodo de Acceso

Aleatorio

Secuencial

Precio

Alto

Muy bajo

053

Memorias NOR Flash  Spansion ofrece memorias Flash tipo NOR en dos tecnologías:  Floating gate – Tecnología tradicional. Almacena un único bit por célula. Tiempo de acceso mas rápido. Altas prestaciones. Desde 1Mb hasta 128Mb.  MirrorBit® – Innovadora tecnología de Spansion capaz de almacenar dos bits independientes en una única célula. Mas bajo coste. Alimentación 3 V. Desde 16Mb a 1Gb.

 Todas las Flash de Spansion soportan XIP (execution in place) y todas las MirrorBit® soportan lecturas en modo pagina.

 Tecnología MirrorBit®:  La célula MirrorBit® de doble la densidad intrínseca,

almacenando dos bits físicos distintos en los lados opuestos de la célula de la memoria.  Cada bit dentro de una célula sirve como una unidad binaria de Datos (por ejemplo, 0 o 1) que está directamente en el mapa de memoria.  La lectura o la programación de un lado de la célula de memoria ocurre independientemente de que cualquier Dato sea almacenado en el lado opuesto de la célula.

054

NOR Flash 1 Mb

2 Mb

4 Mb

8 Mb

16 Mb

32 Mb

64 Mb

128 Mb 256 Mb 512 Mb

GL

1 Gb

GL

AL

LV

FL JL PL

2005 CD BL F

2006

FL

(small sectors)

GL

AL

2007

GL LV AL FL

= = = =

3V MirrorBit, page-mode 3V floating gate, standard 3V floating gate, standard 3V MirrorBit, serial peripheral interface

90 nm

110 nm

JL PL CD BL

= = = =

3V floating gate, simul R/W 3V floating gate, page mode + simul R/W 3V floating gate, burst mode + simul R/W 3V floating gate, burst mode

F

= 5V floating gate, standard

130 nm

200 nm

230+ nm 055

NOR FLASH 4 Mb 48 FBGA (0.8 mm pitch)

S29AL004D

8 Mb

S29AL008D

64 Mb

16 Mb

32 Mb

S29AL016D

S29AL032D

S29GL016A S29GL032A S29PL032J

128 Mb

256 Mb

512 Mb

1 Gb

S29GL064A S29PL064J

64-Ball Fortified BGA (1 mm pitch)

To 4Gb

S29GL016A S29GL032A

S29GL064A S29GL128N S29GL256N S29GL512N S29GL01GP

S29GL032A

S29GL064A S29GL128N S29GL256N S29GL512N S29GL01GP

To 4Gb

56 TSOP

48 TSOP S29AL004D S29AL008D S29AL016D S29AL032D S29GL016A S29GL032A

S29GL064A

S29JL032H

S29JL064H

Los encapsulados de Spansion permite la máxima libertad entre densidad, familia de producto y proceso de tecnología 056

Codificación de las NOR FLASH 1. Codificación Base

S 2 9 GL 5 1 2 N 1

2

3

4

5

6

7

8

9

Designación de Tecnología

Tecnología

D

200 nm Floating Gate

+

G

170 nm Floating Gate

H

130 nm Floating Gate

1 1 T A I 0 2 0

J

110 nm Floating Gate

M

230 nm MirrorBit™

A

200 nm MirrorBit™

N

110 nm MirrorBit™

Prefijo

Serie

Familia

Densidad

Tecno logía

2. Opciones 10

11

Velocidad de Acceso

12

13

Encapsulado/ libre Pb

14

15

16

Rango

Número de

Temp

Modelo

17 Tipo Encap sulad o

057

ORNAND FLASH  Nueva tecnología de Spansion que aprovecha lo mejor de las NOR y de las NAND. Optimizada para aplicaciones que requieran gran capacidad de almacenar datos.

     

Alta capacidad (1Gb, 1.8v - 2Gb, 3.0v) en 90nm Tecnología MirrorBit® Rápida escritura y lectura. Ambos software y hardware interface (NOR y NAND) Bajo coste. Capaces de ejecutar código. Product

Description

Sample Availability

Production Release

S30ML512P

512Mb 3V ORNAND, 90nm MirrorBit ®

Now

Dec'06

S30ML256P

256Mb 3V ORNAND, 90nm MirrorBit ®

Feb'07

Q1'07

S30ML128P

128Mb 3V ORNAND, 90nm MirrorBit ®

Feb'07

Q1'07

058

NOR FLASH StrataFlash™  StrataFlash™: Es una memoria Flash con tecnología de célula multinivel (MLC Multil Level Cell), de Intel que almacena 2 o 3 bits por célula, en lugar de un bit. El voltaje a través de cada célula está dividido en cuatro niveles, permitiendo cualquiera de las combinaciones posibles de dos bits: 00, 01, 10 o 11. Tres bits por célula se logran con ocho niveles de voltaje.

 Serie P30 64Mbit hasta 512Mbit, 1,8V (I/O 3V) Boot Block, x16

 Nomenclatura: JS28F128P30B85 (56 TSOP) o PC28F128P30B85 (64BGA)   Serie P33 64Mbit hasta 512Mbit, 3,3V Boot Block, x16  Nomenclatura: JS28F128P33B85 (56 TSOP) o PC28F128P33B85 (64 BGA)

 Serie J3 32Mbit hasta 128Mbit, 3V, x8 o x16. Son de sectores iguales (no son Boot Block).  Nomenclatura: JS28F256J3

o PC28F256J3

 Letra B es “bottom” JS28F128P30B85, Letra T es “top” JS28F128P30T85  http://www.intel.com/design/flash/nor/index.htm 059

NOR FLASH Boot Block  Este tipo de memoria tiene un área reservada para el arranque o “boot”,

normalmente de menor tamaño que el resto de sectores. Dependiendo de si esta área está al principio o al final del mapa de memoria, será Top o Bottom.  Boot Block: Es un área de la Flash para la carga y ejecución del sistema operativo necesario para arrancar la aplicación. Este sector es más pequeño  Son las más normales. No son Strataflash con tecnología MLC

   

Desde 16Mbits hasta 32Mbit, Alimentación 3V, x16 56 TSOP y 64 BGA

 Serie C3  http://www.intel.com/design/flash/nor/index.htm 060

NOR FLASH  STM ofrece varias familias de NOR FLASH estándar en la industria.  Nomenclaturas NOR FLASH de 5V  29Fxxx (1, 2, 4, 8, 16, 32Mbit), x8, x16, 45ns, PLCC, TSOP, SOIC

 Nomenclaturas NOR FLASH de 3V  M29Wxxx (1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128Mbit)  M29DWxxx (32, 64, 128Mbit) TSOP48 y TFBGA63 hasta 64Mbit, TSOP56 y TBGA64 para 128Mbit, 70/90ns  M58BWxxx (16, 32Mbit), x32  M28Wxxx (16, 32, 64Mbit), x16, TBGA, Boot Block

 www.st.com/flash

061

NOR Flash Secure o Kripto™ Flash  Es una NOR Flash que incluye seguridad, procurando una autentificación

entre la Flash y la CPU, con prevención de cualquier operación ilegal por un procesador no autorizado o memoria Flash conectada en paralelo.  El sistema de seguridad incluye también un mecanismo de protección de lectura con la reactivación automática. Esto decir, contra la prevención de la lectura no autorizada de la memoria o la duplicación de sus datos en dispositivos piratas, tanto para salvaguardar la Propiedad intelectual (IP) y el código de programa almacenado.

 Solo las hacen en BGA  La diferencia en la nomenclatura con las NOR Flash de STM normales es que incluyen las letras FS y en la última letra si el block es: T(Top), B (Bottom) o U(Uniform).  M28W320FSB 32Mbits, 2Mbx16, B(Bottom)  M28W640FST 64Mbits, 4Mbx16, T(Top)

 http://www.st.com/stonline/products/families/memories/fl_nor_emb/fl_secure.htm

062

NAND FLASH

 STM ofrece memorias NAND Flash  Nomenclaturas Flash NAND SLC Small Page  Tamaño de pàgina: 528 bytes  NANDxxx (128, 256, 512Mbit), x8, 1,8 y 3V. Ejemplo: NAND128W3A  TSOP48, USOP48, VFBGA63  Nomenclaturas Flash NAND SLC Large Page  Tamaño de pàgina: 2112 bytes  NANDxx (1, 2, 4, 8Gbit), x8, 1,8 y 3V. Ejemplo: NAND01GW3B  TSOP48, USOP48, VFBGA63  Flash NAND MLC Large Page  Tamaño de pàgina: 2112 bytes  NANDxx (4, 8Mbit), x8, 3V. Ejemplo: NAND04GW3C2A  TSOP48

 www.st.com/nand 063

NAND FLASH

    

Intel ofrece memorias NAND FLASH. Single Level Cell (SLC). Desde 2 Gbits hasta 16 Gbits Alimentación 3V3 Ancho de bus: x8 Encapsulado 48 TSOP

 Nomenclatura JS29Fxx, ejemplo JS29F04G08  www.intel.com/design/flash/nand/

064

NAND FLASH Part Number

Density

Bus

Voltage

Plane

Package

RoHS

Temp

Status

48L

Yes

0C to +70C

Production

Yes

0C to +70C

Production

Yes

0C to +70C

Production

Yes

0C to +70C

Production

Yes

0C to +70C

Production

Yes

0C to +70C

Production

Yes

0C to +70C

Production

Yes

0C to +70C

Production

Yes

0C to +70C

Production

Intel® SS92 NAND Flash Memory - SLC JS29F02G08AANA 2

2 Gb

x8

3.3V

Singl

JS29F04G08BANA 2

4 Gb

x8

3.3V

Singl

JS29F08G08FANA2

8 Gb

x8

3.3V

Singl

e e e

48L 48L

TSO P TSO P TSO P

Intel® SS72 NAND Flash Memory - SLC JS29F02G08AANB 3

2 Gb

x8

3.3V

Singl

JS29F04G08BANB 3

4 Gb

x8

3.3V

Singl

JS29F08G08FANB3

8 Gb

x8

3.3V

Singl

e e e

48L 48L 48L

TSO P TSO P TSO P

Intel® SD74 NAND Flash Memory - SLC JS29F04G08AANB 1

4 Gb

x8

3.3V

Singl

JS29F08G08CANB 1

8 Gb

x8

3.3V

Singl

JS29F16G08FANB1

16 Gb

x8

3.3V

Singl

e e e

48L 48L 48L

TSO P TSO P TSO P

065

NAND FLASH  Micron ofrece únicamente memorias NAND FLASH.  NAND Flash desde 1Gb hasta 8Gb...x8 y x16 en encapsulados TSOP y VFBGA. a 1.8V y 3.3V

Part

Density

Depth

Width

Voltage

Package

Pin Count

I/O

Op. Temp.

MT29F16G08FAAWP

16Gb

2Gb

x8

3.3V

TSOP

48-pin

Common

0C to +70C

MT29F2G08AACWP

2Gb

256Mb

x8

3.3V

TSOP

48-pin

Common

0C to +70C

MT29F4G08AAAWP

4Gb

512Mb

x8

3.3V

TSOP

48-pin

Common

0C to +70C

MT29F8G08DAAWP

8Gb

1Gb

x8

3.3V

TSOP

48-pin

Common

0C to +70C

066

Flash Serie (SPI)  Las Flash Serie de ST están diseñadas para almacenar código, datos y parámetros, permitiendo una reducción de tamaño de circuito impreso y simplificando el trazado de pistas, siendo de alta velocidad y bajo consumo, encapsulados en 8 pins SO8, TSSOP8, MLP8, Interface SPI, 3V

 La serie M25 es pin compatible con las Eeprom serie SPI, la serie M45 no.  La serie P es para código, la serie PE es perfecta para guardar datos y parámetros.

 Nomenclaturas  M25Pxxx (512Kbit, 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128Mbit), 50MHz, Sector erase.  M25PExxx (1, 2, 4, 8, 16Mbit), 33-50MHz, Page erase, H/W Prot  M45PExxx (1, 2, 4, 8, 16Mbit), 33-50MHz, Page erase

067

Flash Serie (SPI)  Spansion también ofrece memorias FLASH con interface serie SPI. Encapsulados muy pequeños (SOIC8 / 16, WSON..). Desde 4Mb hasta 64MB. 50Mhz.

Product Number Interface

Voltage

Density

Bus  Width

Sector Type

MCP

Technology

S25FL008A

Serial

3 Volts

8Mb

x1

Uniform

No

MirrorBit™

S25FL016A

Serial

3 Volts

16Mb

x1

Uniform

No

MirrorBit™

S25FL032A

Serial

3 Volts

32Mb

x1

Uniform

No

MirrorBit™

S25FL040A

Serial

3 Volts

4Mb

x1

Uniform Boot Sector

No

MirrorBit™

S25FL064A

Serial

3 Volts

64Mb

x1

Uniform

No

MirrorBit™

S30MS-P

Serial

512Mb 1Gb

x8/x1 6

No

Mirror Bit™

1.8  Volt s

068

Flash Serie (SPI)  Intel ofrece memorias Flash serie de 16Mb, 32Mb y 64Mb. 3V.  Incluyen seguridad, con un espacio OTP: Identificador único de 64 bits de factoría, 64 bits OTP programable por el usuario, 3920 bits OTP adicionales programable por el usuario.

 Nomenclatura: Familia S33  QH25F320S33B8

016 = 16 Mbit, SOIC-8 160 = 16 Mbit, SOIC-16 320 = 32 Mbit 640 = 64 Mbit Letra B “bottom”, letra T “top”.

 http://www.intel.com/design/flash/index.htm 069

Memorias PROM

PROM

OTP

EPROM STM

MROM

EPROM EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory), memoria que puede ser programada y se puede borrar para volver a usar.

 Para borrarla se necesita poner luz ultravioleta que se aplica en la ventana de cuarzo que hay en la parte superior de la Eprom.

 Nomenclaturas EPROM 5V  M27Cxxx (64, 256, 512kbits, 1, 2, 4, 8Mbit), x8, 5V  M27Cxxx (4Mbit), x16, 5V  M27Cxxx (16, 32Mbit), x8 x16 5V

 Nomenclaturas EPROM Low Voltage  M27Wxxx (256, 512kbit, 1, 2, 4, 8Mbit), x8, 3V  M27Wxxx (4Mbit), x16, 3V3  M27Vxxx (16, 32Mbit), x8 x16, 3V3 071

Convenciones Conventions  0x: Hexadecimal prefix  0b: Binary prefix  K: 1,000  M: 1,000,000  Nibble: 4 bits  Byte: 8 bits  Word: 16 bits  Kword: 1,024 words  Kb: 1,024 bits  KB: 1,024 bytes  Mb: 1,048,576 bits  MB: 1,048,576 bytes  Brackets:  Square brackets ([]) will be used to designate group membership or to define a group of  signals with similar function (i.e. A[21:1], SR[4,1] and D[15:0]).  00FFh: Denotes 16-bit hexadecimal numbers  00FF 00FFh: Denotes 32-bit hexadecimal numbers 072

Otros tipos de memorias

PBSRAM

 PB SRAM  Siglas de Pipeline Burst SRAM. Se llama 'pipeline' a una

categoría de técnicas que proporcionan un proceso simultáneo, o en paralelo dentro de la computadora, y se refiere a las operaciones de solapamiento moviendo datos o instrucciones en una 'tuberia' conceptual con todas las fases del 'pipe' procesando simultáneamente. Por ejemplo, mientras una instrucción se está ejecutándo, la computadora está decodificando la siguiente instrucción. En procesadores vectoriales, pueden procesarse simultáneamente varios pasos de operaciones de coma flotante  La PB SRAM trabaja de esta forma y se mueve en velocidades de entre 4 y 8 nanosegundos. 074

VRAM

 VRAM :  Siglas de Vídeo RAM, una memoria de propósito especial usada por los adaptadores de vídeo. A diferencia de la convencional memoria RAM, la VRAM puede ser accedida por dos diferentes dispositivos de forma simultánea. Esto permite que un monitor pueda acceder a la VRAM para las actualizaciones de la pantalla al mismo tiempo que un procesador gráfico suministra nuevos datos. VRAM permite mejores rendimientos gráficos aunque es más cara que la una RAM normal.

075

Memoria Caché Memoria Caché ó RAM Caché :  Un caché es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tanto un área reservada de la memoria principal como un dispositivo de almacenamiento de alta velocidad independiente. Hay dos tipos de caché frecuentemente usados en las computadoras personales: memoria caché y caché de disco. Una memoria caché, llamada tambien a veces almacenamiento caché ó RAM caché, es una parte de memoria RAM estática de alta velocidad (SRAM) más que la lenta y barata RAM dinámica (DRAM) usada como memoria principal. La memoria caché es efectiva dado que los programas acceden una y otra vez a los mismos datos o instrucciones. Guardando esta información en SRAM, la computadora evita acceder a la lenta DRAM.  Cuando un dato es encontrado en el caché, se dice que se ha producido un impacto (hit), siendo un caché juzgado por su tasa de impactos (hit rate). Los sistemas de memoria caché usan una tecnología conocida por caché inteligente en el cual el sistema puede reconocer cierto tipo de datos usados frecuentemente. Las estrategias para determinar qué información debe de ser puesta en el caché constituyen uno de los problemas más interesantes en la ciencia de las computadoras. Algunas memorias caché están construidas en la arquitectura de los microprocesadores. Por ejemplo, el procesador Pentium II tiene una caché L2 de 512 Kbytes.  El caché de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria caché, pero en lugar de usar SRAM de alta velocidad, usa la convencional memoria principal. Los datos más recientes del disco duro a los que se ha accedido (así como los sectores adyacentes) se almacenan en un buffer de memoria. Cuando el programa necesita acceder a datos del disco, lo primero que comprueba es la caché del disco para ver si los datos ya estan ahí. La caché de disco puede mejorar drásticamente el rendimiento de las aplicaciones, dado que acceder a un byte de datos en RAM puede ser miles de veces más rápido que acceder a un byte del disco duro. 076

SIMM – DIMM - DIP SIMM :  Siglas de Single In line Memory Module, un tipo de encapsulado consistente en una pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un zócalo SIMM en la placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son más fáciles de instalar que los antiguos chips de memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar de bits.  El primer formato que se hizo popular en los computadores personales tenía 3.5" de largo y usaba un conector de 32 pins. Un formato más largo de 4.25", que usa 72 contactos y puede almacenar hasta 64 megabytes de RAM es actualmente el más frecuente.  Un PC usa tanto memoria de nueve bits (ocho bits y un bit de paridad, en 9 chips de memoria RAM dinámica) como memoria de ocho bits sin paridad. En el primer caso los ocho primeros son para datos y el noveno es para el chequeo de paridad. DIMM :  Siglas de Dual In line Memory Module, un tipo de encapsulado, consistente en una pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un zócalo DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos. DIP :  Siglas de Dual In line Package, un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip de memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexión en cada lado.

077

FPM - EDO FPM  Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseño más comun de chips de RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era leido pulsando la fila y la columna de las líneas seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rápido acceso. La memoria en modo paginado tambien es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El término "fast" fué añadido cuando los más nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds e incluso más.

EDO  Siglas de Extended Data Output, un tipo de chip de RAM dinámica que mejora el rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto de Fast Page, puede ser substituida por chips de modo Fast Page.  Sin embargo, si el controlador de memoria no está diseñado para los más rápidos chips EDO, el rendimiento será el mismo que en el modo Fast Page.  EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo.  BEDO (Burst EDO) es un tipo más rápido de EDO que mejora la velocidad usando un contador de dirección para las siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que solapa las operaciones. 078

Flash CARD FLASH CARD

Compact Flash

PCMCIA

SD

SMART MEDIA

Especiales

MULTIMEDIA CARD

MiniSD

XD Picture Card

Mini SD

Memory Stick

Compact Flash  CompactFlash (CF) fue originalmente un tipo de dispositivo de almacenamiento portátiles.

de

datos,

usado

en

dispositivos

electrónicos

 Principalmente hay dos tipos de tarjetas CF, el Tipo I y el Tipo II, ligeramente más grueso. Hay dos velocidades de tarjetas (CF original y CF de Alta Velocidad (usando CF+/CF2.0), pero pronto pasarán a ser tres cuando se incluya el estándar CF3.0 más rápido incluso que los anteriores, que está previsto ser adoptado en 2005. La ranura CF de Tipo II es usada por Microdrives y algunos otros dispositivos.

 El conector mide de ancho unos 43 mm y la carcasa tiene 36 mm de profundidad y está disponible en dos grosores diferentes, CF (3,3 mm) y CF II (5 mm). Sin embargo, ambos tipos son idénticos. Las tarjetas CF I pueden ser usadas en las ranuras para CF II, pero las tarjetas CF II son demasiado gruesas para poder encajar en las ranuras para CF I. Las tarjetas de memoria son habitualmente del 080

PCMCIA  Una tarjeta PCMCIA es un dispositivo normalmente utilizado en computadoras portátiles para expandir las capacidades de este.

 Estas tarjetas reciben su nombre del estándar PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association), asociación de la industria de fabricantes de hardware para ordenadores o computadores portátiles encargada de la elaboración de estándares. Se usan para ampliar capacidades en cuanto a memoria, disco duro, tarjeta de red, capturadora de radio y TV, puerto paralelo, puerto serie, puerto USB, etc.

 Las tarjetas PCMCIA de 16 bits pueden recibir el nombre de PC Card y las de 32 bits el de Card BUS.

 Hoy día existe una evolución de dichas tarjetas, son las llamadas

Express Card, son más finas pero mantienen las mismas funciones.

 http://www.pcmcia.org/

http://www.expresscard.org/

081

MMC (Multi Media Card)

 Multimedia Card (MMC) es un tipo de tarjeta de memoria, presentes en muchos dispositivos electrónicos, como cámaras digitales. Su forma es prácticamente igual a la SD, la diferencia más palpable es que carecen de una pestaña para evitar sobrescribir la información en ella contenida. Su forma está inspirada en el aspecto que presentan los antiguos discos de 3' 1/2.

 Ancho de Bus x1, x4, x8 bits  Trabajando a 52 MHz en modo x8 bit de ancho de bus, los Datos se pueden transferir hasta 52MB/s, (o 416 Mbits/s)

 http://www.mmca.org/ 082

Secure Digital SD  Segure Digital (SD) es un formato de tarjeta de memoria Flash. Se utiliza en dispositivos portátiles como cámaras fotográficas digitales y ordenadores PDA. Las tarjetas SD se basan en el formato precedente MultiMediaCard (MMC), pero físicamente son un poco más gruesas, su tasa de transferencia de datos es más alta, disponen de un interruptor en un lateral para evitar sobrescrituras accidentales y tienen funciones de DRM (poco usadas).

 Las tarjetas SD miden 32 mm x 24 mm x 2,1 mm. Existen dos tipos: unos que funcionan a velocidades normales, y las tarjetas de alta velocidad que tienen tasas de transferencia de datos más altas.

 Los dispositivos con ranuras SD pueden utilizar tarjetas MMC, que son más

finas, pero las tarjetas SD no caben en las ranuras MMC. Las tarjetas SD se pueden utilizar directamente en las ranuras de CF o de PC Card con un adaptador. Las tarjetas MiniSD y MicroSD se pueden utilizar directamente en ranuras SD con un adaptador. Hay algunas tarjetas SD que tienen un conector USB integrado con un doble propósito, y hay lectores que permiten que las tarjetas SD sean accesibles por medio de muchos puertos de conectividad como USB, FireWire y a un común puerto paralelo. 083

MiniSD  MiniSD es un formato de tarjeta de memoria flash. Presentada por primera

vez por SanDsik en CeBIT 2003, el miniSD se unió a la Memory Stick Duo y xD-Picture en cuanto a dispositivos pequeños.

 La tarjeta miniSD fue adoptada en 2003 por la Asociación SD como una extensión de tamaño ultra-pequeño para el estándar de tarjeta SD.

 Dado que las nuevas tarjetas se diseñaron especialmente para ser usadas

en teléfonos móviles, están envueltas por un adaptador miniSD que permite la compatibilidad con todos los dispositivos equipados con una ranura de tarjeta SD.

 También tiene interface SPI.

 http://www.sandisk.com/ 084

MicroSD

 microSD (Micro Secure Digital / Transflash)  Transflash; Formato de tarjeta de memoria flash más

pequeña que la MiniSD, desarrollada por SanDisk; adoptada por la Asociación de Tarjetas SD (SD Card Association) bajo el nombre de microSD en Julio de 2005. Tarjeta que mide 15 milímetros por 11 por 1, lo cual le da un área de 165 milímetros cuadrados. Esto es tres y media veces más pequeña que la miniSD, que era hasta ahora el formato más pequeño de tarjetas SD, y es alrededor de un décimo del volumen de una SD card.  También tienen interface SPI

 www.transflash.org 085

Comparativa de memorias SD

Tarjeta miniSD

Tarjeta SD

Tarjeta MicroSD

Ancho

20mm

24mm

15mm

Largo

21,5mm

32mm

11mm

Grosor

1,4mm

2,1mm

1mm

Volumen de la tarjeta

589 mm³

1,596 mm³

165mm³

Peso

1g aprox.

2g aprox.

< 1g aprox.

Voltaje de funcionamiento

2,7 - 3,6V

2,7 - 3,6V

2,7 - 3,6V

Interruptor de protección contra escritura

No

Sí

No

Protectores de terminal

No

Sí

No

Número de pines

11 pines

9 pines

8 pines

086

SmartMedia Card  Tarjeta de memoria. Uno de los estándares de almacenamiento de imágenes más difundido junto con las tarjetas "Compact Flash". Por el diferente voltaje al que trabajan se pueden diferenciar dos tipos de tarjeta: 3.3V y 5V. Actualmente la más utilizada es la de 3.3V, con una capacidad máxima de 128 MB.

 Interface 8 bits (16 bits en algunos casos). 2MB/s  Este formato de tarjetas fue desarrollado por Toshiba y destaca por su poco espesor, son muy usadas en reproductores MP3 y PDA. Las medidas son 45mm x 37mm x 0,76mm

 http://ssfdc.or.jp/english/

087

Memory Stick  Memory Stick es un formato de tarjeta de memoria extraíble (memoria flash), comercializado por Sony en 1998. El término también se utiliza para definir a la familia entera de estos dispositivos de memoria (Memory Stick). Dentro de dicha familia se incluye la Memory Stick Pro, una versión posterior que permite una mayor capacidad de almacenamiento y velocidades de transferencia de archivos más altas, y la Memory Stick Duo, una versión de menor tamaño que el Memory Stick.

 Normalmente, la Memory Stick es utilizada como medio de almacenamiento de información para un dispositivo portátil, de forma que puede ser fácilmente extraído para tener acceso a un ordenador. Por ejemplo, las cámaras digitales de Sony utilizan la tarjeta Memory Stick para guardar imágenes y videos. Con un lector de Memory Stick (normalmente una pequeña caja conectada vía USB o alguna otra conexión de serie) una persona puede transferir las imágenes tomadas con la cámara digital Sony a su ordenador.

 http://www.memorystick.com/ 088

XD Picture Card  Tipo de tarjetas propietaria de Olympus que utilizan para sus cámaras de fotos digitales. Actualmente se las puede encontrar en 8 diferentes modelos: 16MB, 32MB, 64MB, 128MB, 256MB, 512MB, 1GB y 2GB.

 Al ser una tarjeta propietaria solamente funciona con cámaras Olympus y

Fujifilm, pero puede ser utilizada por otros dispositivos utilizando adaptadores provistos por el fabricante, los cuales posibilitan su uso como disco USB o que pueda ser conectado a una computadora portátil mediante un adaptador de tarjeta PCMCIA.

 http://www.olympusamerica.com/cpg_section/cpg_xd.asp

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