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Contenido PRESENTACION

1

OBJETIVO

2

INTRODUCCION

3

DEFINICION DE MEMORIA Diferencia entre memoria y almacenamiento

5

Tipos de RAM

5

CLASIFICACION DE MEMORIA RAM Tecnologías Apariencia física

5

Fabricantes

5

Formatos de memoria RAM

5

SIMM DIMM

7

DDR

7

RIMM

7

TARJETAS PCMCIA

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Instalación de memoria Verificación de datos Memorias del mañana Guía general para actualizar memoria

5

CONCLUSION

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GLOSARIO

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Presentación En el momento que una empresa ingresa en un mercado para ofrecer sus productos y servicios, esta entrando a un proceso de competencia con otras empresas que también ofrecen sus productos y servicios y con las que va a entablar una permanente lucha por cada cliente, por cada sector del mercado y por cada punto de utilidad. Para Gigacom de México S.A. de C.V., el resultado de esta competencia, favorable o no, lo determina el nivel táctico, por ello, la búsqueda de la táctica consiste en indagar acerca de un ángulo, un hecho, un concepto, o una característica de nuestra empresa o de nuestro producto que nos sirva para identificarnos y que nos diferencie ventajosamente de los demás (empresas o productos). Gigacom de México S.A. de C.V. define en este manual dos de sus tácticas: la especialización en el conocimiento de sus productos y la implementación de una cultura de servicio en la prestación de los mismos. Ambas tácticas exigen una vez mas a nuestra empresa una valoración del recurso humano, en reciprocidad, sobre ellos recae el compromiso de adoptar una actitud constante sobre las tácticas, induciéndolas a que estas se deriven en una estrategia de empresa. Una táctica se convierte en estrategia cuando adquiere la característica de ser permanente. Obvio es entonces, que la capacitación y la actualización sean las vías para el logro de nuestros propósitos y es el objetivo del presente manual, los términos y modismos nuevos que ameriten una definición breve muy probablemente se encuentren en el glosario de este manual, para una mejor compresión.

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Objetivo Crear un instrumento pedagógico de apoyo en la capacitación de personal en nuestra empresa, a cualquier nivel de conocimiento, estatus o desempeño, incorporándolo con ello a las estrategias previamente establecidas por Gigacom de México S.A. de C.V.

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Introducción Hoy en día no importa cuanta memoria tenga tu computadora, nunca parece tener lo suficiente. Hace poco tiempo, no se pensaba que una computadora tuviera más de 1 o 2 MB de memoria, hoy en día, se necesitan por lo menos 256 MB para que una computadora trabaje adecuadamente con los sistemas operativos actuales. Para algunas personas, la ecuación de memoria es muy simple: cuanta más memoria, mejor. Sin embargo, para quienes desean saber un poco más, la siguiente guía de referencia proporciona una visión general de lo que es memoria y como funciona.

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Definición de memoria. En un sistema de computo podremos hallar dos tipos de memoria en general: memoria ROM y memoria RAM. Memoria ROM La memoria ROM es sólo para lectura, y contiene rutinas preestablecidas tales como la inicialización del sistema. Un ejemplo de ello es la BIOS1, la cual contiene las rutinas necesarias para revisar el estado del sistema al encenderlo y cargar el Sistema Operativo. Memoria RAM La memoria RAM es de lectura y escritura y es el motivo de estudio en el presente manual, en consecuencia, con el término memoria haremos referencia desde ahora a Random Access Memory (Memoria de Acceso Aleatorio) o RAM. La RAM es la memoria que utiliza la Unidad Central de Proceso (CPU) o procesador de un ordenador para almacenar la información que utiliza más frecuentemente. El procesador cuando requiere de un dato primeramente recurre a la memoria caché L1, si no está lo busca en la caché L2, y si no está lo busca en la RAM. La estructura lógica de la memoria es el de una matriz2 de celdas, como una hoja cuadriculada, donde se almacena la información. Se dice que es de acceso aleatorio por que podemos acceder a una celda determinada sin necesidad de leer toda una fila de celdas, para acceder a una celda determinada se utiliza el numero de fila y de columna, De ésta manera, el procesador puede acceder rápidamente a las instrucciones y a los datos almacenados en la memoria. Unidades de Medida La unidad básica de memoria es el bit, un bit puede tener 2 valores, es decir, pueden ser 0 o 1, o estar prendido o apagado como si fuera un interruptor. Para poder representar un carácter o símbolo como una letra o número es necesario agrupar 8 bits, este agrupamiento recibe el nombre de byte. Por tanto, se tienen las siguientes relaciones, haciendo la aclaración que son valores aproximados para facilitar la nomenclatura: 1 byte = 8 bits 1 KB = 1,000 bytes 1 MB = 1,000 KB = 1,000,000 bytes 1 GB = 1,000 MB = 1,000,000 KB = 1,000,000,000 bytes Diferencia entre memoria y almacenamiento Muchas veces se confunden los términos memoria y almacenamiento, especialmente cuando se trata de la cantidad que tiene cada uno. El término de memoria se refiere a la cantidad de RAM instalada en la computadora, mientras que almacenamiento hace referencia a la capacidad del disco duro.

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BIOS (Basic Input Output System). Una matriz se entiende como una agrupación de elementos de manera tal que conforman filas y columnas, así que cada elemento puede ser referenciado de acuerdo a un número de fila y columna particular. 2

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Para aclarar esta confusión, podemos comparar a la computadora con una oficina que tiene una mesa de trabajo y varios archiveros. Los archiveros representan el disco duro de la computadora, el cual proporciona el almacenamiento masivo. La mesa de trabajo representa la memoria, la cual ofrece un acceso rápido y fácil a los archivos con los que se esta trabajando en un momento dado.

Tipos de Ram A continuación se enlistan los tipos de Ram actualmente conocidos: SRAM (Static RAM) La SRAM es más cara, requiere cuatro veces el espacio que un equivalente DRAM (Dynamic RAM), pero mantiene su contenido sin necesidad de refrescamiento eléctrico. Esto hace que el acceso sea más rápido, pasando de 60ns de una DRAM a 25ns. Actualmente, los tiempos de acceso se han reducido. Normalmente se usan en las cachés L1 y L2 de los procesadores. BSRAM (Burst o SynchBurst SRAM) Memoria SRAM que está sincronizada con el reloj del sistema o del reloj del sistema de caché; lo que facilita la sincronización con cualquier dispositivo y disminuye el tiempo de espera en el acceso. Se utilizó en la memoria caché L2 externa del chipset para Pentium II. DRAM (Dynamic RAM) Este tipo de memoria RAM es la más económica, y utiliza un capacitor que requiere un refrescamiento eléctrico frecuente para retener su carga, dado que al momento de haber una lectura el chip descarga su contenido, debe haber un refrescamiento después de cada operación. El refrescamiento se da cada 15 microsegundos. FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM) Apareció en 1987 y es uno de los primeros tipos de DRAM, accesa toda una fila de direcciones de forma simultánea, esto reduce el tiempo de acceso (50ns) y consumo de energía. EDRAM (Enhanced DRAM) Tecnología que combina SRAM y DRAM en un sólo paquete, normalmente usada para cachés L2, la lectura a la SRAM es de 15ns, y si no encuentra el dato ahí, busca en la DRAM con tiempo de acceso de 35ns.

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EDO RAM (Extended Data Output RAM) Apareció en 1995, y es un 25% más rápida (50ns) que los chips DRAM estándar, y reduce la necesidad de cachés L2. Tipo de RAM utilizado con sistemas Pentium, originalmente optimizada para trabajar con el Pentium de 66MHz. Existe una variante conocida como BEDO RAM (Burst EDO RAM), la cual tiene la capacidad de enviar los datos de una dirección de memoria mientras comienza a accesar la siguiente dirección. Esto le permite hacer envíos de datos por cada ciclo de reloj. Ambas funcionan con buses que corran hasta 66MHz. NVRAM (Non-Volatile RAM) Tecnología RAM especial, la cual no pierde los datos al apagar el sistema o al haber una falla de corriente. De forma similar a la ROM, utiliza una batería interna para mantener sus datos, se utiliza para almacenar datos en dispositivos tales como números en teléfonos, configuraciones en módems, etc. SDRAM (Synchronous DRAM) Nombre genérico dado a varios tipos de RAM que se sincronizan con el reloj del procesador, lo cual aumenta el número de instrucciones que puede operar el procesador. La SDRAM se mide en MHz en lugar de ns, lo que facilita la comparación entre la velocidad del bus de datos y el chip. Se puede convertir la velocidad de MHz a ns, dividiendo la velocidad del chip entre mil millones de ns. Ej.: Un chip de 83MHz es de 12ns. JEDEC SDRAM (Joint Electron Device Engineering Council SDRAM) Estándar de la industria para SDRAM, el cual salió en 1997 y tiene una arquitectura de doble banco y varios modos de acceso en ráfaga que pueden ser ajustados, funcionan a 83, 100 y 133MHz, también se le conoce como PC66 SDRAM, para distinguirlo de la arquitectura estándar PC100 y PC133 DRAM. PC100 SDRAM Especificación creada por Intel en 1998, para usarse con el chipset i440BX de 100MHz. Presenta una mejora del 10 al 15% en sistemas que usan o utilizaron Socket 7. PC133 SDRAM PC-133 es una nueva especificación de memoria basada en las anteriores PC-66 y PC-100, estándar JEDEC, promovida fundamentalmente por IBM. DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) Tecnología creada en el 2000, la cual puede mejorar el acceso de la SDRAM hasta llegar a 266MHz. Utiliza el flanco de subida y bajada del reloj, multiplicando por dos las operaciones. ESDRAM (Enhanced SDRAM) Creado por Enhanced Memory Systems, incluye una pequeña SRAM en el chip, compite con DDR SDRAM en sistemas que usan Socket 7.

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DRDRAM (Direct Rambus DRAM) Tecnología creada por Rambus Inc. e Intel en 1999, la cual puede obtener velocidades hasta de 800MHz. Este tipo de RAM es el primer modelo propuesto para Pentium 4. SLDRAM (SyncLink DRAM) Al igual que la Rambus DRAM, está basada en un protocolo donde todas las señales dirigidas a la RAM están en una misma línea. Dado que el tiempo de acceso no depende de la sincronización de múltiples líneas, puede obtener velocidades hasta de 800MHz y duplicar las operaciones por cada ciclo de reloj. FRAM (Ferroelectric RAM) Tipo de RAM que combina el funcionamiento de la DRAM con la capacidad de mantener su contenido al apagarse el sistema. Su capacidad es muy inferior a las tecnologías DRAM existentes, por lo que no se espera que las reemplace, sin embargo se espera que tengan mucha aplicación en dispositivos móviles como PDAs, celulares, etc. Es más rápida que la memoria Flash, y se espera que reemplace a la EEPROM (Programmable ROM). Memoria FLASH Memoria en estado sólido, no volátil y rescribible, la cual funciona como una combinación de RAM y almacenamiento secundario, es de alta velocidad, y por no perder los datos al apagar el dispositivo, es ideal para usarse con cámaras digitales, celulares, PDAs, etc. PC CARD y CREDIT CARD MEMORY Antes de la salida de los SO-DIMM, los fabricantes de portátiles desarrollaron soluciones propietarias, una de ellas fue utilizar dispositivos llamados PC CARD o PCMCIA, semejantes a tarjetas de crédito a ser insertadas en ranuras especiales, debido a la lentitud de la comunicación del procesador con estos dispositivos, aún no existe un estándar para RAM en PCMCIA. VRAM (Video RAM) Memoria de video genérica, la cual es dos veces más rápida que la DRAM estándar. RAMDAC (RAM Digital-to-Analog Converter) Microchip que convierte la imagen digital en una señal analógica requerida por el monitor. incluye una pequeña SRAM con la paleta de colores y tres convertidores Digital-a-Analógico, uno para cada color básico: Rojo, verde y azul. SGRAM (Synchronous Graphics RAM) Memoria de video de bajo costo sincronizada por reloj. Puede escribir usando máscaras de bits o bloques completos. La Matrox Mistique usa esta RAM. WRAM (Window RAM) Memoria de video de alto rendimiento, la cual utiliza dos puertos y a un menor costo. Sus características aceleran operaciones de representación de texto y

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llenado de áreas. Es para imágenes de alta resolución (1600x1200) a 32 bits de color. La Matrox Millenium utiliza WRAM, y el nombre no está relacionado con Microsoft Windows. MDRAM (Multibank Dynamic RAM) Memoria RAM para video, desarrollada por MoSys, la cual divide la memoria en bancos de 32 KB, los cuales pueden ser accesados individualmente. La memoria RAM tradicional es monolítica, donde todo el buffer es accesado de una sola vez. En cambio, la MDRAM permite el acceso de forma entrelazado, aumentando el desempeño general. RDRAM Rambus Dynamic RAM Memoria de video rediseñada por Rambus Inc., la cual contiene un bus propietario que acelera la transferencia entre la RAM de video y el buffer. Existen dos variantes: Base Rambus y Concurrent Rambus. Está optimizada para el streaming de video. Esta tecnología es utilizada por algunas consolas de juego de Nintendo. Clasificación de memoria RAM: Para la memoria existen múltiples clasificaciones, por ejemplo: Según medio de soporte: • •

Volátil. Se pierde la información al desconectar la alimentación. No volátil. Información permanente.

Según el refresco de datos: • •

Estáticas. Utilizan Flip-Flop Dinámicas. Necesitan refrescar la información.

Según el modo de acceso: • •

Por dirección. Se da una dirección y se obtiene el dato. Por contenido. Dado el dato se proporciona la dirección.

Según la tecnología y prestaciones: • • •

RAM Dinámica (DRAM): Se necesita gran capacidad de almacenamiento → Memoria principal (SDRAM). RAM Estática (SRAM): Se necesita tiempo de acceso rápido → Memoria Caché. ROM: Contenido importante que no se pierda ni al apagar el computador → BIOS (Flash) La diferencia estriba, aparte de las características intrínsecas, en la velocidad de acceso, siendo RAM mucho más rápida que ROM.

En este manual utilizaremos la clasificación de acuerdo a la característica del refresco de datos, luego entonces, existen dos clasificaciones principales de RAM: RAM estática (SRAM) y RAM dinámica (DRAM). De a cual, es trascendental comenzar a distinguir que el producto que comercializa Gigacom de México S.A. de C.V. se concentra en la clasificación de RAM Dinámica, y de ella hablaremos a continuación:

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DRAM (Dynamic RAM) El DRAM es el tipo más común de memoria para computadora, se le conoce como RAM dinámica debido a que requiere ser re-energizada o ¨refrescada¨ millones de veces para retener la información. Debido a que la SRAM es significativamente cara, se utiliza la memoria DRAM que es más barata y más pequeña, pero también es más lenta, como ya se mencionó, debido que hay que refrescarla periódicamente para que no pierda la información, esta memoria es la más antigua, y es asíncrona. La SDRAM, que es la utilizada hoy día, es síncrona y por tanto más rápida que la DRAM. Se dice que es síncrona porque trabaja sincronizadamente con el procesador, es decir, el procesador sabe exactamente cuando va a tener su petición lista para poder recogerla y cuando puede hacer otra petición sin tener que esperar a que la memoria esté libre. Esto evita que el procesador esté pendiente de la memoria y desperdicie ciclos de reloj. El estándar de la memoria SDRAM es el llamado JEDEC de diciembre de 1996. Los chips de DRAM se presentan en tres formas principales: 1.

DIP. (Dual In-line Package).

2.

SOJ. (Small Outline with J-leads).

3.

TSOP (Thin Small Outline Package).

4.

sTSOP (Shrink Thin Small Outline Package).

El DRAM tipo DIP fue sumamente popular cuando la memoria se instalaba directamente en la placa base. Los DRAM tipo SOJ y TSOP son componentes que actualmente se soldan directamente en la superficie de la PCB3, tal como se muestra:

3

Placa de Circuito Impreso por sus siglas en Ingles.

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Una mirada de cerca Increíble pero cierto: la memoria comienza como arena común de playa. La arena contiene silicio, que es el componente primario en la fabricación de semiconductores o "chips". El silicio se extrae de la arena, se derrite, se corta, se planta y se pule en wafers de silicio. Durante el procesamiento de fabricación de chips, los patrones intricados de circuitos se imprimen en los circuitos mediante una variedad de técnicas. Una vez que se completa esto, los chips se prueban y se cortan. Los chips buenos se separan y se procede a una etapa llamada "enlace": este proceso establece las conexiones entre el chip y las guías de oro o de estaño, o las pines. Una vez que se enlazan los chips, estos se empacan en gabinetes de plástico o cerámica sellados herméticamente. Después de la inspección, estos están listos para su venta. La memoria viene en una variedad de tamaños y de formas. En general, tiene la apariencia de una placa plana color verde con pequeños cubos negros en ella. Obviamente, hay mucho más en la memoria que eso. La ilustración siguiente muestra un módulo típico de memoria y describiremos algunas de sus características más importantes.

Fabricación del módulo de la memoria Aquí es donde los fabricantes incorporan los chips de memoria a la tableta para conformar un módulo de memoria. Hay tres componentes importantes: los chips de memoria, la PCB, además de otros elementos "a bordo" tales como resistores y condensadores. Para el diseño de las PCB los ingenieros utilizan software CAD (Diseño Asistido por Computadora), ya que un mejor diseño de las redunda significativamente no solo en el costo de la producción sino también en el desempeño del modulo, esta es la razón por lo que la apariencia física de un modulo que desempeña el mismo trabajo lógicamente varia de un fabricante a otro. La construcción de una tableta de alta calidad requiere la consideración cuidadosa de la colocación y de la longitud del trazo de cada línea de señal. El

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proceso básico de la fabricación de la PCB es muy similar al de los chips de memoria.

Cómo trabaja la memoria con el procesador

Nos referimos al procesador a menudo como el cerebro de la computadora, sin embargo, también hay otros dispositivos y elementos de relevante trascendencia en un ordenador, tales como: Chipset Contiene generalmente varios "controladores" que gobiernan la manera en que la información viajara entre el procesador y otros componentes del sistema. Algunos sistemas tienen más de un chipset. Controlador de memoria Es un componente importante en cualquier computadora, pues su función principal es la de supervisar la transferencia de datos desde y hacia la memoria. El controlador de memoria determina que tipo de verificación de datos se va a llevar a cabo. El controlador de memoria es parte del chipset, y este controlador establece el flujo de información entre la memoria y la CPU. Bancos de memoria y esquemas de bancos Generalmente, la memoria en una computadora está diseñada y dispuesta en bancos de memoria. Un banco de memoria es un grupo de sockets o módulos que forman una unidad lógica. Por lo tanto, los sockets de memoria que están dispuestos fisicamente en filas pueden ser parte de un banco o pueden dividirse en diferentes bancos. La mayoría de los sistemas computacionales tienen dos o más bancos de memoria, generalmente se llama banco A, banco B, y así sucesivamente. Y cada sistema tiene reglas o convenciones de la forma en que se

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deben llenar los bancos de memoria. Por ejemplo, algunos sistemas computacionales requieren que todos los sockets en un banco se llenen con el mismo módulo de capacidad. Algunas computadoras requieren que el primer banco aloje los módulos de capacidad más altos. Si no se siguen las reglas de configuración, la computadora no encenderá y no reconocerá toda la memoria en el sistema. Con frecuencia puede encontrar las reglas de configuración de memoria específicas para su sistema de computadora en el manual del sistema de la computadora. También puede utilizar lo que se llama el configurador de memoria. La mayoría de los fabricantes de memoria de terceras partes ofrecen configuradores de memoria gratis disponibles en forma impresa o que se accesan en forma electrónica a través de la Web. Los configuradores de memoria le permiten buscar la computadora y encontrar los números de partes y las reglas de configuración de memoria especiales que aplican a su sistema. Bus de datos Un bus de datos es una trayectoria en una computadora, que consiste de una conexión por medio de varios alambres paralelos con los cuales el procesador, la memoria, y todos los dispositivos de entrada-salida están conectados. El diseño del bus, o de la arquitectura del bus, determina cuánto y que tan rápidamente podrán moverse los datos a través de la placa base. Hay diversas clases de buses en un sistema, dependiendo de las velocidades que se requieran para esos componentes en particular. Bus de memoria El bus de memoria trabaja desde el controlador de la memoria a los zócalos de la memoria del computador. Los sistemas más nuevos tienen una arquitectura de bus de memoria en la cual el bus frontal (FSB) funciona del procesador a la memoria central y un bus de la parte posterior (BSB) que funcione del controlador de la memoria a la caché L2. Velocidad de memoria Cuando la CPU necesita la información de la memoria, envía una petición que es manejada por el controlador de la memoria, este, envía la petición a la memoria y le informa al procesador cuando la información estará disponible para poderla leer. Este ciclo entero – del procesador al controlador, luego a la memoria y de nuevo al procesador - puede variar según la longitud y velocidad de la memoria así como otros factores, tales como velocidad del bus. La velocidad de la memoria se mide a veces en megaciclos (Mhz), o en los términos del tiempo de acceso - el tiempo real requerido para entregar datos medidos en nanosegundos (ns). Si la velocidad de la memoria está medida en megaciclos o nanosegundos, puede indicar que tan rápidamente el módulo puede responder a una petición una vez que la petición se reciba. Tiempo de acceso (Ns) El tiempo de acceso mide el tiempo en nanosegundos desde cuando el módulo de la memoria recibe una petición de datos hasta cuando esos datos llegan a estar disponibles. Los chips y los módulos de memoria están marcados con los tiempos de acceso. Mientras las medidas de tiempo de acceso sean más bajos indicaran velocidades más rápidas.

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En este ejemplo de la imagen anterior, el controlador de la memoria solicita datos de la memoria y la memoria reacciona a la solicitud en 70ns. El CPU recibe los datos en aproximadamente 125ns. Así, el tiempo total desde que el CPU hace la primera solicitud de información hasta que la recibe puede ser de hasta 195ns cuando se utiliza un módulo de memoria de 70ns. Esto es debido a que toma tiempo para que el controlador de memoria administre el flujo de información y la información necesita viajar del módulo de memoria al CPU en el bus.

Velocidad (Mhz) Comenzando con el desarrollo de la tecnología SDRAM, la velocidad del módulo de memoria se ha medido en megahertz (MHz). Las marcas de velocidad en los chips de memoria normalmente se encuentran en nano segundos. Esto puede ser confuso, especialmente debido a que las marcaciones de nano segundos ya no miden el tiempo de acceso, si no que ahora miden el número de nano segundos entre los ciclos de reloj. Para los chips SDRAM con velocidades de 66MHz, 100MHZ y 133MHz, por ejemplo, la marca correspondiente en los chips es de -15, -10, y -7.5, respectivamente. Esta tabla muestra el método para determinar las equivalencias de la velocidad entre las clasificaciones MHz y ns.

PASO 1

PASO 2

MHz = 1 millón Multiplique por 1 de ciclos de reloj millón para obtener el total de ciclos de reloj por segundo por segundo.

PASO 3 Constante: 1 mil millones de nano segundos por segundo.

PASO 4 Divida los nano segundos por segundos (del paso 3) entre los ciclos de reloj por segundo (del paso 2) para obtener los nano segundos por ciclo de reloj.

66

66,000,000

1,000,000,000

15

100

100,000,000

1,000,000,000

10

133

133,000,000

1,000,000,000

7.5

Nanosegundosporsegundo 1,000,000,000ns nanosegundos = = Cicloderelojporsegundo Ciclosdereloj ciclosdereloj

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La velocidad del procesador y la velocidad del bus de la memoria no son iguales normalmente. La velocidad de la memoria es limitada por la velocidad del bus, por lo que el proceso de acoplamiento es más lento. Bytes por segundo La conversión de Mhz a bytes por segundo puede ser confusa al principio. Los dos aspectos más importantes que se necesitan para entender la conversión son: la velocidad (en Mhz) y la anchura de bus (en bits). Anchura Del bus Si tenemos un bus de 8-bits, entonces 1 byte de información a la vez pueden viajar en el bus. Si tenemos un bus 64-bits, entonces 8 bytes de información podrán viajar a la vez. Velocidad Del bus Si la velocidad del bus de la memoria es 100MHz, significa que su velocidad es de 100 millones de ciclos de reloj por segundo. Típicamente, un paquete de información puede viajar en cada ciclo de reloj. Si el bus de 100MHz tiene 1 byte de anchura, entonces los datos pueden viajar a 100 Mbytes por segundo. Los datos viajan a 100MHz, a través de un bus de 64-bits en 800 megabytes por segundo. Los módulos de Rambus se miden a veces en Mhz y otras veces en Mbytes por segundo. Un tipo de módulo de Rambus funciona con un bus de 400MHz, debido a que pueden enviar dos trozos de información por ciclo de reloj en vez de uno, el módulo es clasificado como de 800MHz. Por ello se le hace referencia a veces como PC-800. Debido a que la anchura del bus de Rambus es de 16-bits, o 2 bytes, los datos viajan a 1600MB por segundo, o 1.6GB por segundo. Usando la misma lógica, el PC-600 Rambus transfiere datos a 1.2 gigabytes por segundo. El sistema de reloj Un reloj de sistema informático reside en la placa base. Este envía una señal al resto de los componentes de la computadora de manera armónica, como un metrónomo. Este ritmo se dibuja típicamente como una onda cuadrada, como esto:

En realidad, la señal real del reloj, cuando es vista con un osciloscopio, se ve más como esto:

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Cada onda en esta señal mide un ciclo de reloj. Si un reloj del sistema funciona a 100MHz, significa que son 100 millones de ciclos de reloj en un segundo. Cada acción en la computadora es medido por estos ciclos de reloj, y cada acción toma cierto número de los ciclos de reloj para realizarse. Al procesar una petición de la memoria, por ejemplo, el controlador de la memoria puede reportar al procesador que los datos solicitados llegarán en seis ciclos de reloj. Es posible que el procesador y los otros dispositivos funcionen más rápido o más lento que el reloj del sistema. Los componentes de diversas velocidades requieren simplemente un factor de multiplicación o de división para sincronizarse. Por ejemplo, cuando un reloj del sistema 100MHz interactúa con un CPU de 400MHz, cada dispositivo entiende que cada ciclo de reloj del sistema es igual a cuatro ciclos de reloj en la CPU; y utilizan un factor de cuatro para sincronizar sus acciones. Mucha gente asume que la velocidad del procesador es la velocidad de la computadora, pero es verdad a medias, ya que en la mayoría de las veces, el bus del sistema y de otros componentes funcionan en diversas velocidades. Índices de Restauración (Refresh) Refresh es un término del lenguaje inglés y significa refrescar, sin embargo, muchas veces este término es utilizado de manera coloquial como muchos otros en el medio informático, indistintamente de esto, con el término refresh nos referimos al proceso de recargar, restaurar, o de reenergizar internamente las "celdas de memoria" de un chip. La organización entera de filas y de columnas se llama arreglo de DRAMs. Ahora sabemos que la DRAM se llama RAM "dinámica" porque debe ser reenergizada millones de veces cada segundo para conservar los datos recopilados íntegros ya que es en estos minúsculos condensadores donde se almacenan las cargas eléctricas que dan forma a la información. Estos condensadores funcionan como baterías muy minúsculas que pierden paulatinamente sus cargas almacenadas si no se reenergizan. Las celdas se restauran una fila a la vez. El termino rango de refresh no se refiere al tiempo que toma para restaurar la memoria, sino al número total de las filas que toma para restaurar la matriz de DRAMs entera. Por ejemplo, un índice de restauración de 2K indica que toma 2.048 filas para restaurar la matriz; de la misma manera, un rango de 4K indica 4.096 filas. Normalmente, el controlador de la memoria de sistema es el que inicia la operación de la restauración. Pero algunos chips son "autorefresh”. Esto significa que el chip de la DRAM hace que ellos mismos refresquen el circuito y no requieren de la intervención de la CPU o del controlador externo de la memoria. Los módulos “autorefresh” reducen dramáticamente el consumo de energía y se utilizan a menudo en computadoras portátiles. CAS Latencia El término CAS latencia se refiere al número de los ciclos de reloj que se deberá esperar antes de que una columna pueda ser direccionada al chip DRAM. La latencia es una medida de retrazo, así que un factor de latencia "CL2" indica un retardo de dos ciclos de reloj, y un factor de latencia "CL3" indica un retrazo de reloj de tres ciclos.

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Esparcidores y disipadores de calor del calor Mientras los componentes de memoria son más rápidos, los chips llegan a ser más densos y cada vez más circuitos son soldados a tabletas más pequeñas, con ello, la disipación en el exceso del calor se convierte cada vez más de una necesidad. Por varios años los procesadores han incorporado los ventiladores. Actualmente algunos nuevos diseño de módulos de memoria utilizan los disipadores o esparcidores de calor para mantener temperaturas de funcionamiento seguras. S P D & PP D Cuando un sistema informático se inicializa, entre otras cosas, debe "detectar" la configuración de los módulos de la memoria para funcionar correctamente. El Detector de Presencia Paralela (PPD, Parallel Presence Detect) es el método tradicional de retransmitir la información requerida usando un número de resistores. El método PPD es de cierto uso en SIMMs y algunos DIMMs para identificarse. El detector de presencia serial (SPD, Serial Presence Detect) utiliza un EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) para almacenar la información a cerca del módulo. Número de líneas de reloj (2-clock vs 4-clock) La memoria de SDRAM requiere que las líneas de reloj funcionen desde el reloj del sistema al módulo de memoria. "2-clock" significa que son dos líneas del reloj que funcionan hacia el módulo, y "4-clock" significa que son cuatro líneas del reloj que funcionan hacia el módulo. Los primeros diseños de Intel eran “2-clock” porque había solamente ocho chips en el módulo. Más adelante, los diseños “4clock” fueron desarrollados, permitiendo pocos chips por línea del reloj, permitiendo de tal modo disminuir la carga en cada línea y permitiendo interconectar datos más rápidos. Voltajes Los voltajes tienden a disminuir como consecuencia de que los módulos de memoria deben emitir menos calor, menos consumo de energía, entre otras cosas. La mayoría de los sistemas informáticos funcionaban en un estándar de 5 voltios. Las computadoras portátiles fueron las primeras en utilizar los chips de 3.3 volts. Esto era no solamente por razones de emisión de calor sino también debido a que los chips de una tensión más baja utilizan menos energía y al utilizarlas hicieron más fácil prolongar vida de la batería. Ahora la mayoría de los equipos de escritorio se han estandarizado en memorias 3.3 volts, pero actualmente también estas están siendo substituidas rápidamente por chips de 2.5 volts. Compuestos vs no-compuestos Los términos compuesto y no-compuesto fueron utilizados por Apple para explicar la diferencia entre los módulos de la misma capacidad de memoria pero que utilizaban diversas cantidades de chips. Para ilustrarlo, veremos que se pueden construir un módulo de la misma capacidad con 4 chips o con 8 chips. Apple se refirió al módulo de menor numero de chips como “no-compuesto” y al de mayor numero de chips como “compuesto”. Apple aconseja a menudo a sus clientes utilizar módulos “no-compuestos”, ya que un modulo con mayor numero de chips puede causar problemas de calor y de espacio.

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Tecnologías Para entender de la memoria sus tecnologías, sus evoluciones y las diferencias es necesario tener conocimiento previo de lo que son las formas de acceso a la memoria. Modos de acceso Burst y Timing. Parte del problema al realizar el acceso a la información almacenada en la memoria no esta en la propia transferencia del dato en si, sino en decirle a la memoria que y como hay que realizar la transferencia. La solución adoptada es la de leer en cuatro bloques de forma consecutiva evitando así la necesidad de suministrar las direcciones para el segundo, tercero y cuarto accesos. El timing de los sistemas que emplean el Modo Burts queda determinado de la siguiente forma: “x-y-y-y”. X(Leadoff) – Representa el numero de ciclos que se necesiten para realizar la primera lectura (5-1-1-1). Procedimiento de acceso a la Memoria. 1. La dirección para la localización de la memoria a ser leída se coloca en el bus de direcciones. 2. El controlador decodifica la dirección y determina que chips deben ser accedidos. 3. Se envía la dirección de la fila. 4. Después de permitir un tiempo para que se estabilice la señal de fila el controlador pone a cero la señal row address strobe (RAS) quedando toda la fila seleccionada. 5. Se envía la dirección de la columna. 6. Después de lograr estabilidad se pone a cero la señal Column address strobe (CAS). 7. Se selecciona la columna y se puede tener el acceso al dato que es situado en el buffer de salida donde es accesible para el procesador.

Al fin podemos observar gráficamente como la memoria está dividida en filas y columnas, ahora bien, ¿cómo accedemos a una celda determinada?. Primero se

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carga en el buffer de fila el numero de fila requerido, cuando llega la señal RAS y después de estabilizarse, se activa la fila, en ese momento cargamos en el buffer de columna la columna que queremos para que cuando llegue la señal CAS se active la columna y se active igualmente el buffer de salida, cuando la señal CAS se estabiliza, la celda se copia en el buffer de salida, ahora podremos comprender mejor sus tecnologías, sus evoluciones y las diferencias. Page Mode La memoria antigua tenia un modo de acceso PM que significa Page Mode, en este modo se mantiene la señal RAS activa y solamente hay que seleccionar la columna, siempre y cuando coincida el número de fila. Fast Page Mode Luego vino la FPM, Las siglas FPM se refieren a FAST PAGE MODE (Modo de Paginación Rápida), que se diferencia de la anterior en que asume que la siguiente petición de memoria que se va a realizar es la columna inmediatamente siguiente manteniendo la fila anterior. Si el dato requerido está localizado en el mismo renglón que el dato anterior, entonces el controlador de memoria no tiene que repetir la localización del renglón, sólo se requiere la localización de la columna. Esto hace que el proceso sea un poco más rápido. Timings 6-3-3-3 o 53-3-3, 120ns a 70ns, 33Mhz de bus, 5v, no sincronizada con la CPU y la información está disponible después de 3 ciclos de reloj. Este tipo de DRAM realiza un acceso más rápido a datos en el mismo “renglón” o página. Extended Data Output Las siglas EDO se refieren a Extended Data Output (Salida de Datos Extendida), es una mejora de la FPM, en este modo no se desactivan los buffers de salida, con lo cual se ahorra el tiempo de activación, mejorando los tiempos de proceso entre un 10 y un 15%. Un sistema de cómputo debe estar diseñado para soportar memoria EDO, para poder utilizar esta función. Si se instala memoria EDO en un sistema que no la requiere, el sistema la reconoce, pero no toma ventajas de su función. Timings 5-2-2-2, 80ns a 45ns, 66Mhz de bus, 3.3v, no sincronizada. Extended Data Output BEDO, Burst Extended Data Out, este acceso a memoria maneja bloques de datos. Timings 4-1-1-1, 60ns a45ns, 66mhz de bus, no sincronizado. Este modo no se ha llegado a utilizar debido a la aparición de la SDRAM y que no soportaba las nuevas frecuencias de 100Mhz. Synchronous DRAM Después de todo ello llegó la SDRAM, que es memoria síncrona. Los modos anteriormente vistos son modos de operación asíncrona. La SDRAM (Synchronous DRAM) o memoria síncrona es la primer tecnología de DRAM diseñada para sincronizarse por sí sola con el reloj del CPU. La SDRAM se basan en un núcleo de DRAM convencional y trabaja de igual manera, solo que incorpora algunas funciones innovadoras: Operación Sincronía

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A diferencia de los DRAM asíncronos, la SDRAM tiene una señal de entrada de reloj, de manera que el reloj del sistema que controla la operación paso a paso, también puede controlar la operación de la SDRAM. Esto significa que el controlador de memoria conoce el ciclo de reloj exacto en el que la solicitud de datos deberá estar lista. Asi, el procesador se libera de tener que esperar cierto tiempo entre los accesos a la memoria. Bancos de celdas Las celdas de memoria dentro del chip SDRAM se divide en dos bancos independientes, puesto que ambos bancos se pueden activar simultáneamente, se puede producir un flujo constante de datos alternando los bancos. Este método, se denomina ¨interleaving¨, acorta el ciclo total de memoria, que se traduce en razones de transferencia más rápidas. Modo Ráfaga El modo ráfaga (bursting) es una técnica de transferencia de datos que genera automáticamente un bloque de información (una serie de direcciones consecutivas) cada vez que el procesador solicita una sola dirección. Esta hace suponer que la siguiente dirección de datos que solicite el procesador, será secuencial a la dirección previa, lo que en la mayoría de las veces es corto. El bursting, se puede aplicar tanto a operaciones de lectura como a operaciones de escritura.En pocas palabras, la memoria Síncrona (SDRAM) es mucho más rápida que la memoria Asíncrona (DRAM). Fabricantes. Existen varios fabricantes de DRAM, los cuales, rotulan los chips. Dentro de los datos que se encuentran en el DRAM tenemos: • • • •

Nombre del Fabricante. Matrícula del chip. Lote de fabricación. Velocidad del DRAM.

Entre los principales fabricantes podemos destacar:

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Es de notarse que para cualquier fabricante de los mostrados anteriormente los datos que aparecen en cada chip DRAM tienen un significado bien definido. Si por algún motivo se nos presenta un módulo que no tiene ninguna etiqueta que nos indica su capacidad de almacenamiento, entonces para poderla determinar debemos referirnos a la matrícula del chip. Calculo de la capacidad de un modulo. La memoria mantiene la información que el CPU necesita procesar. La capacidad de los chips y los modulos de memoria se describe en megabits (millones de bits) y megabytes (millones de Bytes). Cuando se trata de averiguar cuanta memoria se tiene en un modulo hay dos cosas importantes que se deben recordar: Un modelo consiste en un grupo de chips. Si se agregan las capacidades de todos los chips en el modulo, puede obtener una capacidad total del modulo. Las exepciones de esta regla son: •

Si alguna parte de la capacidad se esta utilizando para otra función, tal como una verificación de herrores.

•

Si alguna parte de la capacidad no se esta utilizando, por ejemplo, algunos chips pueden tener filas extras que se utilizan como respaldos (esto no es común).

Mientras la capacidad de los chips generalmente se expresa en megabits, la capacidad del modulo se expresa en megabytes. Esto puede ser confuso, especialmente debido a que mucha gente utiliza sin saber la palabra bit cuando quieren decir byte y viceversa. Para ayudar a aclarar esto, adoptaremos las siguientes normas en este manual: Cuando hablemos de la cantidad de memoria de un modulo, utilizaremos el termino “capacidad del modulo”; cuando nos estemos refiriendo a los chips, utilizaremos el termino “densidad del chip”. La capacidad del modulo se medira en megabytes (MB) con ambas letras de la abreviatura escritas en mayusculas y la capacidad de los chips se medira en Megabits (Mbit) y escribiremos la palabra “bit” en letras minusculas.

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Densidad de los Chips. Cada chip de memoria es una matriz de pequeñas celdas. Cada celda mantiene un bit de información. Los chips de memoria se describen por la cantidad de información que pueden mantener. A esto le llamamos densidad del chip. Cada fabricante tiene sus códigos, lo único que permanece constante es el valor de bits que se puede almacenar en cada chip. Un ejemplo de los valores que se pueden tener son: 1M X 4 1M X 16 2M X 8 4M X 4 8M X 8 4M X 16 16M X 4 16M X 1 1M X 1 256K X 4 4M X 1 La notación anterior tiene el siguiente significado: El primer número indica la profundidad del chip (en ubicaciones) y el segundo numero indica el ancho del chip (en bits). Si se multiplica la profundidad por el ancho, se obtendra la densidad del chip. Capacidad del modulo Es facil calcular la capacidad de un modulo de memoria si se saben las capacidades de los chips que hay en este. Si hay 8 chips de 64Mbits, es un modulo de 512Mbits. Sin embargo, debido a que la capacidad de un modulo se describe en megabytes, y no en megabits, se deben convertir los bits en bytes. Para hacer esto, se divide el numero de bits entre 8. En el caso del modulo de 512Mbit:

512 Mbits = 64 MB 8bitsporByte Tal vez haya escuchado que los modulos de memoria estandar en la industria se describen como “4M x 32” (es decir, “4meg por 32”), o “16M x 64” (“16Meg por 64”). En estos casos, calcule la capacidad del modulo exactamente como si fuera un chip.

Formatos de Memoria La forma mas facil de categorizar la memoria es por el formato, el cual, describe su tamaño y configuración de pines. Generalmente, dichos diseños son resultado de los periodos de transición en la industria cuando no se tiene claro que formatos tenderan a predominar en el mercado.

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Básicamente tenemos los siguientes formatos de memoria: 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 12. 13.

SIMM (Single In-line Memory Module). DIMM (Dual In-line Memory Module). SODIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module). DDR SODDR RIMM SORIMM DDRII SODDRII DDR3 SODDR3 Tarjetas PCMCIA. Módulos Propietarios.

SIMM (Single In-Line Memory Module) Simm de 30 pines

Es un módulo de memoria formado por DRAMs, soldados en una PCB con 30 terminales (pines). En el SIMM, los pines no son independientes entre sus caras, de ahí el nombre de Módulo de Memoria de una Sola Línea (Single In-line Memory Module). Los SIMMs de 30 pines soportan transferencia de datos de 8 bits (1 byte). Hagamos de cuenta que tenemos los siguientes módulos:

Como se ve cada módulo tiene 9 chips, supongamos que son de 8 chips para comenzar. Si cada chip tiene una capacidad de 1MX1, para obtener la capacidad total basta sumar la capacidad de cada chip, teniendo lo siguiente: 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1

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_________ 1MX8 puesto que para representar un carácter se requiere 1 byte, es decir 8 bits, se divide la cantidad de bits total del módulo entre 8 (8/8) lo que resulta en 1, multiplicado por 1M, se tiene lo siguiente: 1MB, 30pin, 8chips, sin paridad. Por el momento no pongamos mucha atención en el término paridad. Ahora tomemos en cuenta el módulo da la figura con sus 9 chips, realizando la misma operación tenemos como total 1Mx9, para este caso tenemos 1 bit más, denominado bit de paridad, el cual se encarga de realizar una verificación que detecta si la información en el módulo es correcta o no. Por lo tanto, cuando se trata de módulos que tienen verificación de errores, se toma como base 9 bits, en consecuencia 9/9 = 1 multiplicado por 1M se tiene: 1MB, 30 pin, 9 chips, paridad real. De lo anterior deducimos que los números base para determinar la capacidad y el tipo de módulo que se tenga son 8 (para módulos sin paridad) y 9 (para módulos con paridad). Consideremos ahora que los DRAM de los módulos anteriores no son de 1MX1, sino de 4MX1, entonces tenemos: 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1 _________ 4MX8 Dividiendo 8/8 = 1 por 4M se tiene: 4MB, 30pin, 8chips, sin paridad. Y para el caso de paridad más un chip de 4MX1, tenemos 4Mx9, dividiendo 9/9 = 1 por 4M se tiene: 4MB, 30pin, 9chips, paridad real. Si ahora, para el módulo mostrado, consideramos que se tienen solamente 2 chips, descartando el chip de la derecha, tomando ahora chips de 1MX4 tenemos:

1MX4 1MX4 ________

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1MX8

Es decir:

1MB, 30pin, 8chips, sin paridad. Como se ve el resultado es igual al del primer caso, la diferencia es el número de chips, de aquí nos podemos apoyar para explicar el concepto de módulos compuestos y no compuestos. Como ya sabemos, estos términos se refieren a la cantidad de chips que tiene el módulo, recordemos que un módulo no compuesto se refiere a un módulo que utiliza pocos DRAMs, lo que ocasiona que éstos DRAMs sean de mayor densidad, mientras que un módulo compuesto tiene un mayor número de chips, estos términos se emplean cuando se utilizan DRAMs de 16 bits. Regresando al último ejemplo y sustituyendo los DRAMs de 1MX4 por DRAMs de 4MX4 se tendrá: 4MX4 4MX4 ________ 4MX8

o:

4MB, 30pin, 2chips sin paridad Para los módulos con paridad se tiene:

Considerando chips de 1MX4, tendríamos 1 módulo de 1MB, 2 chips, sin paridad más un chip de 1MX1 (para la paridad), dando como resultado: 1MX4 1MX4 1MX1 _________ 1MX9 1MB, 30pin, 3chips con paridad real. O en el caso de 4MB, se tendrán 2 chips de 4MX4 y 1 de 4MX1: 4MX4 4MX4 4MX1 ________ 4MX9 4MB, 30pin, 3chips con paridad real. Comercialmente se encuentran módulos de 30 pin con capacidades de: 1MB y 4MB con velocidades de 60ns, 70ns y 80ns, aunque algunos sistemas pueden llegar a requerir módulos de 2MB, 8MB y 16MB. En resumen, un módulo de 30 pin con 2 u 8 chips es sin paridad, mientras que un módulo con 3 o 9 chips es con paridad.

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Simm de 72 pines Es un módulo de memoria formado por DRAMs, soldados en una PCB con 72 terminales (pines). Un SIMM de 72 pines soporta transferencias de datos de 32 bits de datos, es decir, sustituye 4 SIMMs de 30 pin.

Consideremos ahora que en el módulo anterior se tienen DRAMs de 1MX4, entonces la capacidad total será: 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4 _________ 1MX32 puesto que para representar un carácter se requiere 1 byte, es decir 8 bits, se divide la cantidad de bits total del módulo entre 8 (32/8) lo que resulta en 4, multiplicado por 1M, se tiene: 4MB, 72pin, 8chips, sin paridad. Para formar un módulo con paridad debemos tomar en cuenta que por cada 8 bits necesito 1 bit más de paridad, por tanto me faltan 4 bits para lograrlo, entonces: 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4 1MX4 _________ 1MX32

mas

1MX1 1MX1 1MX1 1MX1 ________ 1MX36

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El módulo será:

y su capacidad será: 36 entre 9 (por ser de paridad) igual a 4 por 1M será: 4MB, 72pin, 12chips, paridad real. Como es de notarse los módulos sin paridad son de 32 bits, mientras que los de paridad son de 36 bits. Se pueden realizar sustituciones de DRAMs utilizando chips de mayor densidad, para disminuir el número de chips (módulos compuestos y no compuestos). De lo anterior, en la primera sustitución se están utilizando chips de 1MX16, por tanto para alcanzar los 32 bits del módulo basta con poner 2 chips: 1MX16 1MX16 __________ 1MX32 es decir, 4MB, 72pin, 2chips, sin paridad. Para el módulo de paridad se tienen algunas opciones. Considerando que para alcanzar los 36 bits que requiere el módulo y tomando como base el módulo sin paridad, notamos que faltan 4 bits. La primera opción es considerando el módulo de 8 chips sin paridad y agregando 1 chip de 1MX4, dando como resultado:

1MX32 1MX4 _________ 1MX36 4MB, 72pin, 9chips, paridad real. La segunda opción es tomando como base el módulo de 2 chips y considerar 1 chip de 1MX4, lo que nos daría: 4MB, 72pin, 3chips, paridad real.

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La tercera opción es tomar como base el módulo de 2 chips y considerar 4 chips de 1MX1, lo que resultaría en: 4MB, 72pin, 6chips, paridad real. De las configuraciones anteriores podemos decir que si cambiamos la densidad de los chips o si utilizamos la segunda cara de la PCB, se pueden obtener módulos de memoria de mayor capacidad, por ejemplo, para crear el módulo de 8MB, basta considerar todas las opciones del SIMM de 4MB, pero utilizando ambas caras del board: 1MX32 cara 1 1MX32 cara 2 _________________ 2MX32 32 entre 8 = 4, por 2M = 8MB, 72pin, n chips, sin paridad. Para el caso de paridad real: 1MX36 cara 1 1MX36 cara 2 _________________ 2MX36 36 entre 9 = 4, por 2M = 8MB, 72pin, n chips, paridad real. Para los módulos de 16MB se utilizan algunas configuraciones del módulo de 4MB, utilizando ahora DRAMs de 4MX4 o 2MX8. Para el primer caso, tenemos

Consideremos ahora que en el módulo anterior se tienen DRAMs de 4MX4, entonces la capacidad total será: 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 4MX4 _________ 4MX32 de lo anterior: 32 entre 8 = 4, por 4M = 16MB, 72pin, 8chips, sin paridad. Para el segundo caso, utilizando chips de 2MX8, tenemos:

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2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 _________ 2MX64 de lo anterior: 64 entre 8 = 8, por 2M = 16MB, 72pin, 8chips, sin paridad. Comercialmente se encuentran módulos de 72 pin con capacidades de: 1MB, 4MB, 8MB, 16MB, 32MB y 64MB con velocidades de 50ns, 60ns, 70ns y 80ns, Existen varios tipos de SIMM con 72 pin, entre los cuales destacan: • • • • • •

SIMM con paridad FPM. SIMM sin paridad FPM. SIMM con paridad EDO. SIMM sin paridad EDO. SIMM ECC. Etc

Las siglas ECC se refieren a Error Correction Code (Código de Corrección de Error), que se emplea como técnica de validación de la información en la memoria y se explica mas exhaustivamente en un apartado mas en seguida. Paridad Cuando se utilizan SIMMs con paridad se debe tomar en cuenta que éstos trabajan con un bit más por cada 8 bits de datos, el noveno bit es el denominado bit de paridad. Se tienen básicamente dos formas de paridad, paridad impar y paridad par, ambas funcionan de manera similar, pero cuentan con una limitante importante, el chip encargado de verificar la paridad puede detectar un error, pero no lo puede corregir, esto se debe a que el chip no puede determinar cual de los 8 bits de datos es el que está erróneo. Paridad Lógica o Emulada Algunos fabricantes de memoria utilizan un chip de paridad “artificial”, que aparenta realizar la función de verificación, pero en realidad no la efectúa, simplemente manda el bit de paridad que necesita el controlador para evaluar la información como correcta, obviamente este chip es más barato, y en ocasiones funciona correctamente en equipos que no requieren de la paridad.

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DIMM (Dual In-Line Memory Module) Dimm de 168 pines Es un módulo de memoria formado por DRAMs, soldados en una PCB con 84 terminales (pines) por cara. A diferencia del SIMM, el DIMM (Dual In-line Memory Module) tiene los contactos de una cara aislados de los contactos de la otra cara. Un DIMM de 168 pin soporta transferencias de datos de 64 bits y puede sustituir a 2 SIMMs. Dado que los DIMM se usan para SDRAM (ver más adelante), como cada DIMM contiene dos SIMMs, es posible instalarlos uno por uno.

Como se observa, el DIMM tiene 2 ranuras las cuales se encargan de proporcionar las características del módulo. La ranura de la izquierda nos indica el tipo de módulo:

DIMM Sin buffer.

DIMM Con buffer. El término buffer se refiere a un circuito integrado cuya función es la de controlar las señales de memoria en el mismo módulo, En aplicaciones sin buffer, los buffers se incorporan en el diseño del controlador de memoria, normalmente se localiza en la placa base. La ranura en el centro nos indica el voltaje que utiliza el módulo:

5 Volts.

3 Volts Para ensamblar un DIMM, se utilizan los mismos DRAM que en los SIMM. La única diferencia notable es que un DIMM sin verificación de errores tiene una transferencia de 64 bits (múltiplo de 8), mientras que un DIMM con verificación de errores tiene una transferencia de 72 bits (múltiplo de 9). Por ejemplo, considerando el módulo de la figura, si tomamos chips de 2MX8 tenemos: 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 __________

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2MX64 De lo cual, 64 entre 8 = 8, por 2M = 16MB, 168PIN, 5V, CON BUFFER. Si en el caso anterior quisiéramos que el DIMM tuviera verificación de errores, debemos tomar en cuenta que por cada 8 bits, necesitamos 1 bit adicional para tal efecto, por tanto faltan 8 bits, colocando un chip más de 2MX8 tenemos: 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 __________ 2MX64 mas

2MX8 __________ 2MX72

con una capacidad de: 72 entre 9 = 8 por 2M = 16MB, 168PIN, 5V, CON BUFFER, ECC. Existen varios tipos de DIMM, entre los que destacan tenemos: • • • • • • • • • • • • • •

DIMM FPM, sin buffer, 5V. DIMM FPM, con buffer, 5V. DIMM EDO, sin buffer, 3V. DIMM EDO, con buffer, 3V. DIMM EDO, con buffer, 5V. DIMM EDO, ECC, con buffer, 3V. DIMM EDO, ECC, sin buffer, 3V. DIMM Síncrono PC-66. DIMM Síncrono ECC PC-66. DIMM Síncrono PC-100. DIMM Síncrono ECC PC-100. DIMM Síncrono PC-133. DIMM Síncrono ECC PC-133. Etc.

De la lista anterior, se nota un detalle en cuanto al uso de la palabra buffer, dentro de los DIMM EDO y FPM tenemos los términos sin buffer/con buffer, mientras que para los SDRAM (DIMM Síncrono) se manejan los términos sin buffer/registrado. ECC (Error Correction Code) El sistema de Código de Corrección de Errores, se utiliza principalmente en servidores y PCs avanzadas. La diferencia principal entre la paridad y el ECC es que el segundo es capaz de corregir errores, mientras que el primero los detecta, pero no los corrige. Existe una tecnología relativamente nueva denominada EOS, la cual tiene la misma función que ECC, pero fue desarrollada para equipos IBM.

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Para que funcione, la placa debe soportarlo y debe de estar activada la opción en la BIOS. Con esta memoria tendremos un rendimiento algo inferior que con una memoria sin ECC debido a las operaciones de control que hay que realizar, mas o menos un 3% de penalización. Si la memoria tiene ECC, el número de chips será impar, y el módulo del medio será el del ECC, según las especificaciones de Intel. La antigua memoria con paridad funciona del siguiente modo: por cada 8 bits de información hay un bit adicional de paridad, este bit de paridad tiene el valor 0 o 1 dependiendo de la información contenida en los 8 bits y si es paridad par o impar. Se cuenta el número de unos que hay en los 8 bits de datos, si el número de unos es impar y la paridad es par, el bit de paridad valdrá 1, así el número de unos en los 9 bits, (8 datos + 1 paridad), es un número par. Si la paridad fuese impar el bit de paridad valdría 0, normalmente se utiliza la paridad par. Una vez almacenado este bit de paridad cuando se lee la información de la memoria, los 9 bits, se comprueba que el número de unos es par, en el caso de paridad par, si no fuese así hay un error. Como podemos darnos cuenta, si hay 2 errores el sistema de paridad no se da cuenta. Y este sistema no corrige ningún error. La memoria ECC, detecta hasta 4 errores, cosa muy improbable que ocurra, y si ha habido un sólo error es capaz de corregirlo, esta corrección la realiza mediante un algoritmo matemático y es transparente (imperceptible) para el usuario. Buffer vs. Sin Buffer

Muchos de los requerimientos relacionados con el diseño de la memoria dependen directamente del diseño de la tarjeta base del sistema. Este es también el caso de los DIMMs con o sin Buffer. Un buffer solamente es un controlador. Algunas placas base incluyen controladores para las señales de control de Memoria, mientras que otras prefieren que el controlador de señales de memoria los contenga el propio modulo. Un modulo con buffer contiene los controladores en él, mientras que uno sin buffer no los trae consigo. Un sistema que requiere módulos con buffer no funciona con módulos sin buffer y viceversa.

SO-DIMM (Single In-Line Memory Module) So- Dimm de 72 pines

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Este tipo de SODIMM se utiliza en equipos portátiles (notebooks) con transferencia de datos de 32 bits. Existen algunas clases: • • • • •

SODIMM EDO, 5V. SODIMM EDO, 3V. SODIMM FPM, 5V. SODIMM FPM, 3v. Etc.

Para diferenciar entre los dos voltajes se hace referencia a la altura que existe en la esquina inferior izquierda, viendo el SODIMM desde el frente:

So- Dimm de 144 pines

Este tipo de SODIMM también se utiliza en equipos portátiles (notebooks), la diferencia es que su transferencia de datos es de 64 bits. Existen algunas clases: • • • • • •

SODIMM EDO, 5V. SODIMM EDO, 3V. SODIMM FPM, 5V. SODIMM FPM, 3v. SODIMM SDRAM. Etc

Para diferenciar entre los dos voltajes se hace referencia a la abertura situada casi en el centro:

5 Volts.

3 Volts

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La constitución del los SODIMM se lleva a cabo utilizando los mismos procedimientos empleados anteriormente. DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) DDR de 184 pines Es un módulo de memoria formado por DDR SDRAMs, soldados en una PCB con 184 terminales (pines). Al igual que el DIMM, el DDR tiene los contactos de una cara aislados de los contactos de la otra cara. Los DDR de 184 pines soportan transferencia de datos de 64 bits (8 bytes). La tecnología de memoria DDR SDRAM se ha derivado de las tecnologías PC100 y PC133. Esta nueva tecnología de memoria permite una nueva generación de alto rendimiento en los sistemas de computo, así como en los nuevos productos de comunicación tal como los ruteadores y los switches.

Como se observa, para que no exista confusión posible a la hora de instalarlos, los DDR tienen una ranura en lugar de las dos que encontramos en los DIMM clásicos. Existen varios tipos de DDR, entre los que destacan tenemos: • • • • • • • • • •

DIMM DDR Síncrono PC-200. DIMM DDR Síncrono PC-266. DIMM DDR Síncrono ECC PC-266. DIMM DDR Síncrono PC-333. DIMM DDR Síncrono ECC PC-333. DIMM DDR Síncrono ECC Registered PC-333. DIMM DDR Síncrono PC-400. DIMM DDR Síncrono ECC PC-400. DIMM DDR Síncrono ECC Registered PC-400. Etc.

SO-DDR de 200 pines Este tipo de SO-DDR es un módulo de memoria formado por DDR SDRAMs, soldados en una PCB con 200 terminales (pines), se utiliza en equipos portátiles (notebooks), su transferencia de datos es de 64 bits (8 bytes). Existen algunas clases:

• • •

SODDR DDR SDRAM , 2.5V PC266. SODDR DDR SDRAM , 2.5V PC333. SODDR DDR SDRAM , 2.5V PC400.

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•

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Etc

La constitución de los SODDR se lleva a cabo utilizando los mismos procedimientos empleados anteriormente.

Funcionamiento de la DDR-SDRAM Lo único que explicaremos por ahora es el concepto DDR, es decir, Doble Data Rate. Resulta simple: consiste en enviar los datos 2 veces por cada señal de reloj, o sea, una vez en cada extremo de la señal (el ascendente y el descendente), en lugar de enviar datos sólo en la parte ascendente de la señal como sucede en el DIMM. Por ello, las velocidades de reloj de los dispositivos DDR se suelen dar en lo que podríamos llamar "MHz efectivos o equivalentes" (en nuestro ejemplo, 200 MHz = 100 MHz x 2). Se puede pensar que es más fácil incrementar los MHz en lugar de los extremos de la señal del reloj para obtener un mejor rendimiento, bien, intelectualmente es lo más sencillo, pero sucede que cuanto más rápido vaya un dispositivo (en MHz "físicos"), más difícil es de fabricar. Precisamente éste es uno de los problemas de la memoria Rambus: funciona a 266 MHz "físicos" o más, y resulta muy difícil (y cara) de fabricar. Mas adelante explicaremos esto mejor. DDR200 y DDR266 Los DIMMs DDR utilizarán inicialmente velocidades del bus de la memoria de 100 y 133MHz. Puesto que la tecnología DDR puede realizar dos operaciones de datos por ciclo de reloj, el rendimiento de procesamiento de datos de un DIMM DDR es el doble que el de un DIMM SDRAM. Por ejemplo, un DIMM DDR de 200MHz utilizará el bus de memoria de 100MHz y un DIMM DDR de 266MHz utiliza hasta un bus de memoria de 133MHz. Los chips de memoria serán referenciadas por su velocidad nativa, es decir, los chips de memoria DDR SDRAM de 200Mhz se denotaran chips DDR200, y los chips de memoria DDR SDRAM de 266Mhz se denotaran DDR266. Los módulos de DDR DIMM son referenciados por su anchura de banda máxima, que es la cantidad máxima de datos que se puedan introducir por segundo. Así, los DIMM DDR de 200Mhz se llaman DIMM PC1600, los DIMM DDR de 266Mhz se llaman DIMM PC2100. Si un DDR RDRAM se retarda 2 ciclos de reloj, hablaremos de CAS 2, si se retarda 2.5, hablaremos de CAS 2.5. También podemos imaginar que la mezcla de módulos con 'CAS' diferentes no siempre produce buenos resultados. Ilustramos esto con un módulo DIMM DDR de 266Mhz: Cada módulo tiene 64 bits, u 8 bytes (cada octeto = 8 bits). Para obtener la cantidad de transferencia, multiplicaremos la anchura del módulo de DIMM (8 bytes) por la velocidad clasificada del módulo de la memoria (en Mhz): (8 bytes) x (266 MHz/segundo) = 2.128 MB/segundo o cerca de 2.1 Gigabytes/segundo. Por lo tanto, el módulo de la memoria se refiere a menudo al PC2100. Similarmente, un módulo DIMM PC1600 utiliza los chips de memoria clasificadas en 200Mhz DDR333 y DDR400 Actualmente, una nueva evolución esta por penetrar en el mercado: la DDR333 y otra mas se ve al horizonte: la DDR400. La introducción del chipset Springdale de Intel apoya la estrategia del DDR400, que se diseñó desde Marzo del 2002 para optimizar la arquitectura del Bús

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Frontal (FSB) de 800MHz. Manufacturado con tecnologia de 0.13-micrones, el DDR400 ofrecera una operación de 200MHz con velocidades de transmisión de datos de hasta 400Mbps. El DDR333 es una evolución de las memorias actuales DDR200 y DDR266, físicamente el DDR333 seguirá siendo compatible con los modelos precedentes ya que se trata de módulos de 184 pines alimentados en 2.5 Volts y el principio de funcionamiento es idéntico al del DDR-SDRAM actual. Al parecer muchos de los módulos que están en el mercado, tienen un CAS 2.5 y en teoría un módulo DDR266 con un CAS 2 tarda el mismo tiempo en poner los datos a disposición del procesador, es decir; 15 nanosegundos. Pero en realidad, hay otros factores que influyen en el rendimiento. Por el momento podemos decir que en la práctica, la memoria DDR333 con un CAS 2.5 es un poco más rápida que la DDR266 con CAS 2. Pero será con la DDR333 con un CAS 2 que verdaderamente utilizaremos todas las posibilidades de este tipo de memoria. Sabemos que la banda pasante del Pentium 4 es de 3 GHz. y el único tipo de memoria que alcanza esta banda pasante es la RIMM RAMBUS. Sabemos también que cada día se comercializan más placas base dotadas de nuevos chipsets (i845D, entre otros) para que este procesador pueda ser utilizado con memoria DDR266. En este caso la memoria DDR333 permitirá mejorar el rendimiento. En el caso del Athlon, este nuevo tipo de memoria, por el momento, no tiene mucho interés. Como todos sabemos el Bus EV6 de 64 bits de los Athlon actuales, funciona a la frecuencia de 133 MHz. y ofrece una banda pasante, con memoria DDR266, de 1.99 Gb por segundo.

RIMM (Rambus In-Line Memory Module) Tecnología propietaria de Rambus Inc., es un módulo de memoria formado por RDRAMs, soldados en una PCB con 184 terminales (pines) al igual que los DDR pero la diferencia es que su transferencia de datos es de 16 bits.

La rápida transferencia de datos hace que se calienten mucho, por lo que usan una lámina de aluminio para disipar el calor.

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Existen varios tipos de RIMMs, entre los que destacan tenemos: • • • •

RIMM PC-800. RIMM PC-800 con ECC. RIMM PC-1066. Etc.

SO-RIMM de 160 pines. Al igual que el DIMM, el DDR tiene los contactos de una cara aislados de los contactos de la otra cara. Los DDR de 184 pines soportan transferencia de datos de 64 bits (8 bytes). La tecnología de memoria DDR SDRAM se ha derivado de las tecnologías PC100 y PC133. Esta nueva tecnología de memoria permite una nueva generación de alto rendimiento en los sistemas de computo, así como en los nuevos productos de comunicación tal como los ruteadores y los switches.

Existen varios tipos de SO-RIMMs, entre los que destacan tenemos: • • •

SO-RIMM PC-800. SO-RIMM PC-1066. Etc.

Funcionamiento del RDRAM El grafico siguiente muestra como se utilizan los chips de RDRAM para construir un modulo RIMM.

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Se notará que los bancos de RDRAM están conectados juntos, a diferencia de los bancos en la SDRAM. Puesto que el bus de datos del RAMBUS es de solamente 16 bits, y que cada chip de RDRAM puede alimentar individualmente al bus de datos de 16-bits por sí mismo, entonces los RDRAMs no tiene que ser interpolados de la manera en que se hace con los SDRAMs. En su lugar, cada RDRAM se asocia a un solo bus de datos compartido de 16-bits. El canal RAMBUS, el cual incluye el control, la dirección y las líneas de datos, consiste de 30 líneas de impedancia, cada línea se origina del chipset y sigue su camino en el sistema más allá de cada RDRAM, por lo tanto, debe ser terminada en el extremo por un resistor. Los RDRAMs se soldan a las PCB creándose así módulos llamados RIMMs, de igual manera como los SDRAMs se soldan a los DIMMs, pero otra vez, cada RDRAM es asignado a un canal en serie llamado CSP (Chip Scale Package), asi que todas las señales de cada RDRAM son enlazadas al canal RAMBUS y las ranuras vacías de RIMM se deben llenar con CRIMMs o también conocidos como RIMMs de continuidad para mantener el canal y finalmente pueda alcanzar los resistores finales. Un CRIMM no tiene ningún dispositivo RDRAM en él. Todas las ranuras de memoria necesitan ser complementadas con RIMMs de continuidad ya que actúan como un módulo de paso para el canal Rambus. Todos los sistemas permitidos Rambus serán vendidos con todos los conectores necesarios. Cuando es hora de aumentar la capacidad de memoria, los CRIMM serán substituidos por un módulo de RIMM. Teóricamente podríamos tener cualquier número de canales independientes RAMBUS en un sistema, pero las ediciones en el diseño de las placas base imponen límites prácticos. A pesar de que el bus de datos RAMBUS interpola muchos trozos pequeños de un mismo ancho de banda, es no obstante una de las características más polémicas del RAMBUS. Funciona hasta 400MHz, es muy rápido, y puesto que las señales son un numero mínimo para la placa base, esto es más simple que en la interpolación de SDRAMs en el bus de datos. Sin embargo, todavía hay algunas desventajas. Un problema es la longitud de bus rápido y su efecto sobre los costos. Algunos de los ahorros en el costo conseguidos por RAMBUS al utilizar pocas señales, son superados por los costos generados para que el canal de RAMBUS sea una serie de alambres largos que tengan que ejecutarse a 400MHz. Los requerimientos para obtener el bus eleva los costos ya que las tarjetas tienen que ser fabricados a un mayor nivel de calidad para reducir ruido, perdida de capacitancia, variaciones en la línea impedancia, y otros problemas asociados al incremento en las velocidades del bus. Es importante observar, sin embargo, que a pesar de los problemas que podemos citar a cerca del los costos de la memoria RAMBUS, esto no se aplica siempre. Hay situaciones donde el canal de RAMBUS puede reducir costos. Tomemos por ejemplo el Playstation2 de Sony, el cual, contiene dos chips de RDRAM que se soldan directamente a su placa base. Debido a esto, el canal de RAMBUS del PS2's no es muy largo, por lo cual, no utiliza ningún conector de RIMM y funciona con un número mínimo señales y con ello de costo. La siguiente desventaja en el canal de RAMBUS será evidente después de analizar nuevamente el diagrama anterior. Cada SDRAM en un sistema de SDRAM lo separan unas cuantas pulgadas a lo largo de un camino recto rumbo al chipset, de tal forma, que los comandos y los datos no tienen que viajar muy lejos para alcanzar su destino. El canal de RAMBUS, por otra parte, se alarga mientras más RDRAMs se agreguen a él, lo que significa que la cantidad de tiempo que se dilate

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la petición y los datos deban viajar para alcanzar el dispositivo exterior puede prolongarse. Cuando la CPU pide datos de una serie de localizaciones, contempla que lleguen esos datos en el orden que hizo las peticiones, sin importar de donde vienen esos datos, o cuánto tiempo toma conseguir esos datos de tal o cual lugar, lo contrario, si no llegan en orden, se generan problemas. A diferencia de la DRAM, un sistema RDRAM tiene la necesidad de tener la capacidad de retrazar la salida de una serie de peticiones de lectura de modo que cada petición pueda llegar con los datos al chipset juntos y en orden. Así pues, mientras que los chips individuales de RDRAM pudieron haber tenido un tiempo de acceso de 20ns, con una sola petición que se haya localizado mas lejos del chipset aumentara el tiempo de respuesta global del sistema, desperdiciando con ello la ventaja proporcionada por la velocidad de los RDRAM individuales. Finalmente, puesto que el megabus es demasiado largo y pasa a través de muchos dispositivos, y además agregamos las capacitancias generadas por las cargas durante todo el tiempo de propagación de las señales, obtendremos que cuanto más dispositivos se añadan al canal RAMBUS será peor el tiempo de espera. Sin embargo, la placa de disipación de calor, la alta calidad de empaquetamiento, y las especificaciones finales para producir RIMMs se concentran en la reducción de estos tipos de efectos eléctricos indeseados. Intel Corporation ha elegido a la tecnología de memoria diseñada y licenciada por Rambus Inc. para agregarla como la plataforma de la memoria principal en sistemas de alto rendimiento de PC utilizando procesadores Pentium-III y futuros. Hay tres generaciones de tecnología de Rambus. Las primera y segunda generación, son llamadas base y simultánea respectivamente, funcionan con una tasa de transferencia de datos de 600MHz y 700Mhz, se utilizan actualmente en la industria del entretenimiento, estaciones de trabajo gráficos y los gráficos de video. La tercera generación se llama Direct Rambus. Un módulo de memoria Direct Rambus se llama un RIMM. El módulo directo de Rambus RIMM es un subsistema de alto rendimiento de fines generales de la memoria conveniente para el uso en un amplio rango de aplicaciones incluyendo memoria de computadora en ordenadores personales, sitios de trabajo y otras aplicaciones donde se requieren la alta anchura de banda y el tiempo de espera bajo Direct Rambus™ DRAM Direct Rambus DRAM es un tipo de memoria RAM desarrollada por Rambus, Inc. que proporciona un gran ancho de banda de hasta 1.6GB/s. Para poder alcanzar estas prestaciones se crea un subsistema de gestión de memoria, compuesto por: • Controlador de Direct Rambus. • Canal de Direct Rambus. • Conectores de Direct Rambus.

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Controlador de Direct Rambus Está ubicado en un chip, como si fuese el chipset, y dentro del mismo chip se pueden integrar varios controladores. Es el encargado del canal y por tanto de controlar el flujo de datos, el refresco de las memorias, de la señal de reloj, etc. Canal de Direct Rambus Es una conexión eléctrica entre el controlador de Direct Rambus y las memorias RDRAM, con una tasa de transferencia de 800Mb utilizando ambos flancos de reloj. Este canal utiliza bajo voltaje de señalización y alta calidad en las líneas de transmisión. El canal está formado por tres buses independientes, uno de datos de 16bits, uno de acceso a la fila de 3bits y otro de 5bits para acceso a las columnas. El bus de datos es bidireccional permitiendo así operaciones de lectura/escritura, los otros dos buses son de único sentido, desde el controlador hacia las memorias. El canal tiene un terminador, que consiste en unas resistencias conectadas a 1.8v para igualar la impedancia del canal y evitar reflejos de señal. Se utilizan dos señales de reloj una llamada CTM (Clock to Master) y otra CFM (Clock From Master) también se usan sus negadas, CTMN y CFMN. La señal de reloj viaja desde el generador de reloj, pasando por el terminador de canal hasta el controlador de canal, esta señal es la CTM y la CTMN, luego va desde el controlador de canal hasta el terminador donde finalizan, señales CFM y CFMN. Conectores Son de 168 contactos divididos en dos grupos de 84, similares a los de los DIMM. Los RIMM son una continuación de canal, el canal entra por un extremo del RIMM y sale por el otro, ver esquema anterior, por ello no podemos dejar vacío un Conector, si lo hacemos el canal queda abierto y no funciona. Para solucionar este problema, ya que quizá no necesitemos ocupar todos los conectores, como ya sdabemos, hay unos módulos sin memoria llamados módulos de continuidad, que lo único que hacen es cerrar el canal. Los RIMM tienen el mismo tamaño que los DIMM y han sido diseñados para soportar SPD (Serial Presence Detect). También hay RIMM de doble cara o de una cara, y pueden tener cualquier número de chips hasta el máximo de 32 soportados por canal. Hay módulos de 64Mb, 128Mb y 256Mb, la máxima cantidad total de memoria va desde los 64Mb hasta 1Gb por canal. Podemos instalar dos repetidores para aumentar el número de conectores, y así aumentar el numero de RIMMs, con un repetidor aumentamos a 6 conectores y con dos repetidores aumentamos a 12 conectores. Direct RDRAM Es el lugar donde almacenamos los datos. Están divididos en dos partes, una el interfase lógico y otra la matriz de celdas junto con los decodificadores,

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controladores de fila/columna, etc. El enlace lógico se encarga de convertir los paquetes de datos que vienen/van del/al canal en un formato compatible con el de la matriz de celdas, este enlace lógico lo proporciona Rambus Inc. a todos los fabricantes, que paguen las correspondientes licencias claro está, con ello se asegura una compatibilidad entre todos los fabricantes.

DDR2 SDRAM (Double Data Rate SDRAM) Las memorias DDR y DDR2 no son compatibles entre sí. Existen diferencias en el voltaje, la cantidad de pines y las señales entre DDR(1) y DDR(2). Los zócalos DDR2 no aceptan DIMM DDR y viceversa. Note que el orificio de "llave" en DDR2 que ayuda en la inserción correcta de la memoria está ligeramente a un lado de la misma llave en DDR, tal como se muestra en la figura siguiente.

TARJETAS PCMCIA. La Asociación Internacional de Tarjetas de Memoria para Computadoras Personales (Personal Computer Memory Card International Association) es un consorcio de fabricantes de computadoras que revisa los estándares para los adaptadores de tipo tarjeta de crédito utilizados en muchas computadoras notebooks.

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Tipos de tarjetas PCMCIA: Tipo I: tarjetas de 3.3mm que se utilizan generalmente como RAM y ROM. Tipo II: tarjetas de hasta 5.5mm que se utilizan como modems. Tipo III: tarjetas de hasta 10.5mm que normalmente se utilizan como discos duros.

SRAM (Static RAM) La RAM estática, también utiliza células de memoria para almacenar datos, con las diferencias de que es más rápida, más costosa y más grande que la DRAM. La SRAM es volátil, pero no necesita refrescarse constantemente para mantener sus datos. Debido a su bajo costo y menor tamaño, la DRAM se utiliza con mayor frecuencia como memoria principal, mientras que la SRAM, gracias a su velocidad, se utiliza principalmente como memoria caché. Memoria cache. El caché es un bloque pequeño de memoria de alta velocidad (normalmente SRAM), al ser estática, no hay que refrescarla periódicamente para que mantenga la información, con lo cual la CPU no pierde ciclos refrescándola, se localiza entre el CPU y la memoria principal y se utiliza para almacenar datos e instrucciones solicitados frecuentemente. De tal manera, que cuando el procesador necesita cierta información, primero verifica si lo que requiere está en el caché y posteriormente en la memoria principal.

Niveles de caché En general, existen dos niveles de memoria caché: • Caché interna, que normalmente se encuentra dentro del procesador. Algunas veces la caché interna recibe el nombre de caché de nivel 1 (L1)

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• Caché externa, que se localiza en la placa base del sistema. Algunas veces la caché externa recibe el nombre de caché de nivel 2 (L2). En la mayoría de las computadoras personales la capacidad de memoria caché L1 va desde 1KB hasta 32KB, mientras que la caché L2 puede ir desde 64KB hasta 2MB. La forma física de una memoria caché depende del sistema que la va a utilizar, por ejemplo, en equipos con procesador 386 o 486, pueden utilizarse circuitos integrados tipo DIP, mientras que en sistemas actuales pueden utilizarse módulos similares a los SIMMs. En el nuevo AMD K6-III hay caché de tercer nivel, L3. Esta memoria sirve de buffer de datos o instrucciones al procesador. Esta memoria es SRAM, Static RAM, es muy rápida. Así mismo es muy cara y por ello sólo se usa en los procesadores y en pequeñas cantidades, 16Kb a 64Kb en L1, y de 128Kb a 512Kb en procesadores normales y hasta 2Mb en servidores. La caché L2, trabaja a una frecuencia diferente en cada tipo de procesador, así tenemos como en el Pentium la caché va en placa base y trabaja a 66Mhz. En el Pentium II la caché está integrada en la placa del procesador, y está conectada a el con un bus posterior y esto le permite trabajar a la mitad de la frecuencia del micro, y tiene un tamaño de 512Kb. En los Celeron la caché L2 trabaja a la misma frecuencia que el micro y su tamaño es de 128Kb. Cuando hacemos overcloking y aumentamos la velocidad del micro, también estamos aumentando la velocidad de trabajo de la caché, si aumentamos la velocidad le micro más allá de la frecuencia de trabajo de la caché, el micro no arrancará. Memorias del mañana Pues el mañana ya está ahí, en este año está anunciado el chipset Camino de Intel que entre otras cosas traerá el soporte de AGPx4 y la frecuencia de bus de 133Mhz, con la que trabajarán los nuevos PentiumIII. AMD también lanzará el K7 y funcionará con un bus de 200Mhz. Como podéis comprobar el mañana es 'mañana'. Con todo ello las memorias también han de cambiar para ofrecer mayores anchos de banda y menores latencias, así como soportar las nuevas frecuencias de bus. En este momento no hay un estándar claro, aunque se perfila que Intel se saldrá con la suya. Las opciones que hay son: RDRAM SLDRAM ESDRAM Direct RDRAM con módulos RIMM. RDRAM es una memoria que se utiliza en tarjetas gráficas y también en la nueva Nintendo64, soporta un bus de 500Mhz,2ns y es de 3.3v. Hay una nueva versión llamada Concurrent RDRAM con algunas mejoras respecto a la RDRAM. SLDRAM Al igual que la Rambus DRAM, está basada en un protocolo donde todas las señales dirigidas a la RAM están en una misma línea. Dado que el tiempo de acceso no depende de la sincronización de múltiples líneas, puede obtener velocidades hasta de 800 MHz y duplicar las operaciones por cada ciclo de reloj.

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ESDRAM, Enhanced SDRAM, esta memoria es una memoria SDRAM normal pero además se le añade un módulo de SRAM, como la memoria de la cache, este módulo viene a funcionar como la caché del procesador, con ello se consigue un mejor tiempo de respuesta. Ha sido desarrollada por Ramton, es de 7.5ns, 3.3v y timings 2-1-1-1. Soporta 133Mhz de bus. Este tipo de memoria se ve encarecido debido a ese módulo adicional de SRAM. Direct RDRAM, Direct Rambus DRAM, este tipo de memoria ya no está basado en la SDRAM, sino que es un nuevo tipo de arquitectura propietaria de Rambus, con lo cual todos aquellos fabricantes que quieran fabricar este tipo de memorias tendrán que pagar derechos, por ello el precio de la memoria se incrementará aun más. Las especificaciones hablan de 800Mhz de bus y ancho de banda de 1.6Gbs. También viene en un formato distinto, ya no viene en DIMM's ahora son RIMMS, Rambus Inline Memory Module. Pronto habrá un ESPECIAL RAMBUS en donde analizaremos en mayor profundidad este tipo de memorias. SLDRAM, Synk Link SDRAM, desarrollada por el consorcio SynkLink, es también una nueva arquitectura pero no es propietaria, y nace como competencia de un grupo de fabricantes a la RDRAM, propietaria de Rambus Inc. Funciona como la DDR SDRAM, se activa dos veces por ciclo de reloj. Esta memoria tiene una menor latencia y mayor ancho de bus que la RDRAM, soportará hasta 400Mhz de bus y su voltaje será de 2.5v. •

Resumiendo hay dos alternativas serias para el futuro, la RDRAM y la SLDRAM. La primera promovida por Intel y por tanto con bastante empuje en el mercado, aunque con unas prestaciones un poco discutidas.

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Problemas comunes de la memoria Cuando tenga un problema con la memoria, la causa generalmente es una de las siguientes: Configuración inadecuada: Tiene el número de parte erróneo para la computadora o no siguió las reglas de configuración. Instalación inadecuada: La memoria podría no estar asentada correctamente, el socket está mal o el socket necesita limpieza. Hardware defectuoso: El módulo de memoria mismo está defectuoso. El hecho de que muchos problemas de la computadora se manifiesten como problemas de memoria, hace difícil la resolución de las fallas. Por ejemplo, un problema con la tarjeta madre o el software puede producir un mensaje de error de memoria. Este capítulo está diseñado para ayudarle a averiguar si tiene un problema de memoria y en caso afirmativo, ayuda a identificar el problema y rápidamente obtener la solución. Resolución de fallas básicas Los siguientes pasos básicos se aplican a casi todas las situaciones. Asegúrese de que tiene el número de parte correcto de memoria para la computadora. Usted puede averiguar el número de parte en el sitio Web del fabricante. Muchos fabricantes de memoria tienen configuraciones, que indican las compatibilidades del modelo. Si no, llame al fabricante de la memoria que tiene, consulte su manual de la computadora o llame por teléfono al fabricante de la computadora. Confirme que configuró la memoria correctamente. Muchas computadoras requieren la instalación del módulo en bancos de módulos de igual capacidad. Algunas computadoras requieren que el módulo con capacidad más alta se coloque en el banco más bajo. Otras computadoras requieren que se llenen todos los sockets; incluso otros requieren memoria de un solo banco. Sólo hay pocos ejemplos de requerimientos especiales de configuración. Si tiene una computadora de marca utilice nuestro manual de configuración para averiguar las reglas específicas de configuración de la computadora. También puede ponerse en contacto con el soporte técnico para su memoria con el fabricante de la computadora. Reinstale el módulo. Empuje el módulo firmemente hacia el socket. En muchos casos oirá un clic cuando en módulo esté en posición. Asegúrese de que el módulo quedó exactamente en su lugar, comparando la altura del módulo con la altura de otros módulos en los sockets circundantes. Cambie los módulos

Quite la nueva memoria y vea si desaparece el problema. Quite la memoria anterior, reinstale la nueva y vea si el problema persiste. Intente poner la

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memoria en distintos sockets. El intercambio muestra si el problema está en un módulo o en un socket de memoria en especial o si los dos tipos de memoria no son compatibles. Limpie el socket y los pines en el módulo de la memoria Utilice una frazada para secar los pines en el módulo. Utilice aire comprimido ó una aspiradora para PCs para limpiar el socket. No utilice solvente ya que puede corroer el metal o evitar que las guías hagan contacto completo. Flux- Off® es un limpiador que se utiliza específicamente para contactos. Puede comprarlo en tiendas de equipos de computadoras o electrónico. Actualice el BIOS. Los fabricantes de computadora actualizan la información del BIOS con frecuencia y hacen revisiones posteriores de los sitios Web. Asegúrese de tener el BIOS más reciente para su computadora. Esto aplica especialmente cuando instaló recientemente software nuevo o si está actualizando la memoria en forma importante. Cuando ocurre el problema Cuando ocurre un problema es una pista para encontrar la causa. Por ejemplo, la respuesta al mensaje de error de memoria depende de: Si acaba de comprar una nueva computadora. Si acaba de instalar nueva memoria. Si acaba de instalar nuevo software o un nuevo sistema operativo. Si acaba de instalar hardware. Si la computadora había estado corriendo bien y no había hecho ningún cambio reciente. Aquí están las reglas para comenzar: Acaba de comprar una nueva computadora Si acaba de comprar una nueva computadora y esta generando errores de memoria, el problema podría relacionarse con cualquier cosa, incluyendo una mala tarjeta de computadora. En este caso, necesita corregir las fallas de la computadora completa, incluyendo la memoria. Debido a que la persona que le vendió la computadora configuró la memoria y realizó pruebas antes de entregar la computadora, esto puede ayudar más. Acaba de instalar una nueva memoria Si acaba de instalar una nueva memoria, la primera posibilidad es que haya instalado las piezas incorrectas. Vuelva a verificar los números de partes, confirme que configuró e instaló la memoria correctamente. Acaba de instalar un nuevo software o sistema operativo Un nuevo software o sistema operativo tiende a presionar más a la memoria con los sistemas operativos anteriores. Algunas veces la memoria que trabaja bien antes de la instalación del software comienza a generar errores una vez que ejecute software que requiere un uso intensivo de la memoria. El nuevo software tiene fallas y es común que las versiones Beta produzcan errores de memoria. En estos casos, el primer paso sería asegurarse de que tiene la última versión de

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BIOS y los parches de servicio para el software. De lo contrario, póngase en contacto con el distribuidor de la memoria. Un representante de soporte técnico puede tener la experiencia con otros incidentes de software y puede ayudarle para corregir las fallas en una forma más detallada. Acaba de instalar o quitar hardware Si acaba de instalar o quitar hardware y repentinamente recibe mensajes de error de la memoria, el primer lugar para buscar es en la computadora misma. Una conexión se pudo haber aflojado durante la instalación o el nuevo software puede estar defectuoso; en cualquier caso, los errores se manifiestan como problemas de memoria. Asegúrese de que tiene los últimos controladores y el firmware. La mayoría de los fabricantes de hardware colocarán las actualizaciones en los sitios Web. Problemas inesperados Si el sistema se ha estado ejecutando bien y repentinamente empieza a generar errores de memoria, se cae y se congela con frecuencia, la posibilidad de una falla de hardware es la más probable, debido a que los problemas de configuración de instalación se muestran cuando se enciende la computadora. Algunas veces se pueden tener problemas de memoria si la computadora se sobrecalienta o si se tiene un problema con el suministro de energía o si se ha desarrollado corrosión entre el módulo de memoria y el socket, lo que debilita la conexión. Manejo de problemas específicos A continuación se da una lista de las formas más comunes en las que la computadora le informa sobre un problema de memoria. 1. 2. 3. 4.

La computadora no iniciará, sólo hará ruido. La computadora iniciará, pero no reconocerá toda la memoria instalada. La computadora iniciará, pero la pantalla estará en blanco. La computadora informa de un error de memoria. a. Error de discordancia de memoria. b. Paridad de memoria interrumpida en xxxxx. c. Error de dirección de memoria en xxxx. d. Falla de memoria en xxxxx, lee xxxxx, se espera xxxxxx. e. Error de verificación de memoria en xxxxx. 5. La computadora tiene otros problemas causados por la memoria. a. La computadora informa errores en forma intermitente, se apaga con frecuencia o se reinicia espontáneamente. b. Errores de registro. c. Fallas generales de protección, fallas de localización y errores de excepción. 6. El administrador del sistema del servidor informa un error de memoria.

Las siguientes traducciones le ayudaran a entender lo que quiere decir la computadora cuando le da una de estas señales. 1.

La computadora no inicia, sólo hace ruido.

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Cada vez que la computadora inicia, hace un inventario del hardware. El inventario consiste en el reconocimiento que hace el BIOS de la computadora y algunos casos la asignación de direcciones a los componentes en la computadora. Si la computadora no inicia, el CPU no puede comunicarse con el hardware. La causa puede ser una instancia inadecuada o la incapacidad del BIOS para reconocer el hardware. Siga las técnicas de corrección de fallas básicas, poniendo especial atención en el hecho de si el módulo de memoria está instalado por completo y si tiene la última versión del BIOS. 2.

La computadora inicia, pero no reconoce toda la memoria instalada.

Cuando la computadora inicia, una parte del proceso es contar la memoria. En algunas máquinas el conteo aparece en pantalla y en otras se encuentra cubierto. Si el conteo está cubierto, desde el menú de configuración de la computadora vea cuánta memoria marca la computadora. Si la computadora cuenta o enlista un número menor de la memoria que instaló, la computadora no ha reconocido toda la memoria. Algunas veces, la computadora reconocerá una parte del módulo. Esto casi siempre se debe al uso de la clase incorrecta de memoria. Por ejemplo, si la computadora sólo acepta memoria de un solo banco y se le instaló memoria de banco doble, la computadora solo dará la mitad de la memoria en el módulo. Algunas veces la memoria aceptará solamente módulos que contienen chips de memoria con organizaciones específicas. Por ejemplo, el conjunto de chips VX no funciona bien con chips a 64 Mbits. En muchas computadoras, la cantidad máxima de memoria que la computadora pueda reconocer es menor a la cantidad máxima que se puede instalar físicamente. Por ejemplo, la computadora puede tener 3 sockets, cada uno capaz de mantener un módulo de 128MB. Si se llenó cada socket 128MB se tendrían 384MB de memoria. Sin embargo, la computadora solo puede reconocer un máximo de 256MB. En muchos casos se puede evitar este problema consultando el manual de la computadora o el sitio web de configuración de la memoria antes de comprarla. 3.

La computadora inicia pero la pantalla está en blanco.

La razón más común para tener la pantalla en blanco es una tarjeta mal colocada o que la memoria no se ha asentado completamente o que la memoria no sea del tipo que soporta la computadora. Confirme que la memoria está instalada adecuadamente y que los otros componentes en la computadora no se desconectaron o que se salieron de su lugar accidentalmente mientras se instalaba la memoria. Vuelva a verificar que tiene el número de parte correcto para la computadora. Si tiene una memoria sin paridad en la computadora que requiere memoria de verificación de errores o memoria de SDRAM en una computadora que solo soporta EDO, la pantalla puede quedarse en blanco en el inicio. 4.

La computadora informa un error de memoria.

Error de falta de correspondencia de memoria: Esto no es realmente un error. Algunas computadoras requieren que les digan que está bien tener una nueva cantidad de memoria. Utilice el menú de inicio

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para "decírselo" a la computadora. Utilice las indicaciones, ingrese la cantidad, seleccione Guardar y después salga. Errores de dirección o de memoria en la computadora: Todos los siguientes errores y aquellos similares a estos indican que la computadora tiene un problema con la memoria: • Interrupción de paridad de la memoria en xxxxx. • Error de dirección en la memoria en xxxxx. • Falla de memoria en xxxxx, lee xxxxx, se espera xxxxx • Error de verificación de la memoria en xxxxx. Normalmente, la computadora realizará una prueba simple de memoria cuando inicia. La computadora escribirá la información en la memoria y leerá otra vez. Si la computadora no obtiene lo que esperaba, entonces informará sobre un error y algunas veces dará la dirección donde ocurrió ese error. Dichos errores normalmente indican un problema con el módulo de memoria, pero otras veces pueden indicar una tarjeta madre defectuosa o una incompatibilidad entre la memoria anterior y la nueva. Para verificar que la memoria nueva está causando el problema, quite la memoria nueva y vea si el problema desaparece. Después, quite la memoria anterior y sólo instale la nueva. Si el error persiste, llame al fabricante de la memoria y pídale que se la reemplace. 5.

La computadora tiene otros problemas causados por la memoria.

La computadora reporta errores en forma intermitente, se cae con frecuencia o se reinicia espontáneamente: Debido al gran número de causas, estos problemas son difíciles de diagnosticar. Las causas posibles son ESD (Descarga electrostática), sobrecalentamiento, corrosión o un suministro de energía con fallas. Si sospecha que hay un daño por una ESD, póngase en contacto con el fabricante de la memoria y pida un reemplazo. Antes de instalar la nueva memoria, vea la página 87 para mayor información sobre la forma de evitar el ESD. Si sospecha de corrosión, limpie los contactos de la memoria y los sockets de la memoria tal como se explica en la página 98. Si sospecha del suministro de energía, tendrá que hacer una corrección de fallas general de la computadora enfocándose en el suministro de energía. Errores de registro: Windows coloca una porción grande del registro en RAM. Algunas veces una memoria defectuosa causará errores de registro. Windows informa un error de registro y le indica reiniciar. Si los avisos se repiten, quite la memoria que acaba de instalar y reiníciela. Si el error desaparece, pida al fabricante de la memoria que reemplace los módulos de memoria. Fallas generales de protección, fallas de localización y los errores de excepción: La causa más común es el software. Por ejemplo, una aplicación pudo haber liberado la memoria después de salir u ocupa las mismas direcciones de memoria que otra. En estos casos el reinicio debe resolver el problema. Si la computadora repentinamente despliega fallas de protección en general, errores de excepción o fallas de localización después de haber instalado la nueva memoria, quite la

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nueva memoria y vea si se detiene los errores. Si sólo ocurren cuando la nueva memoria está instalada, póngase en contacto con el fabricante de la memoria para obtener ayuda. 6.

El administrador del sistema del servidor informa un error de memoria:

La mayoría de los servidores se envían con administradores de sistema que monitorean la utilización de los componentes y prueban las anormalidades. Algunos de esos administradores de sistemas cuentan errores del software en la memoria. Los errores de software se corrigen mediante la memoria ECC. Sin embargo, si la cantidad de errores de memoria es más alta que las especificaciones, el administrador del sistema envía una advertencia previa a la falla. Esta advertencia permite al administrador de red reemplazar la memoria y evitar un retrazo del sistema. Si el administrador del sistema o el servidor envia una advertencia previa de falla u otro error de memoria, pida al fabricante de la memoria un reemplazo si el administrador del sistema continúa generando errores después del reemplazo de memoria, asegúrese de tener la última versión de BIOS, los parches de servicio del software y firmware. La posibilidad de recibir los módulos de memoria en malas condiciones más de una vez es baja. Póngase en contacto con el fabricante de memoria para ver la resolución de problemas de compatibilidad. Algunas veces el servidor no funciona bien con ciertos tipos de chips de memoria o ciertos diseños de memoria.

El Glosario de memoria RAM La memoria RAM es un espacio de almacenamiento primario en un sistema de computo. Esta trabaja en conjunto con la Unidad Central de Procesamiento (CPU por sus siglas en Ingles), o microprocesador, para almacenar datos, programas, e informacion procesada que puede estar dispuesta y accesible inmediatamente para el CPU o cualquier otro dispositivo. La memoria es vital en las operaciones de las computadoras debido a las conexiones criticas entre los programas y la CPU. La memoria del computador tambien determina el tamaño y numero de programas que pueden ser ejecutados simultaneamente, y ayuda a optimizar las capacidades incrementando la potencia de los microprocesadores. Existen diferentes tipos de memoria, cada una tiene sus propias caracteristicas y beneficios. Desafortunadamente, asi como existen diferentes tipos de memoria, estas pueden confundirnos facilmente. Utilice este glosario para ayudarse a disminuir las confusiones, o como una referencia rapida para refrescar su memoria de vez en vez. Actualizar

La actualización mantiene los datos almacenados en DRAM. El proceso de actualización de celdas eléctricas de un componente DRAM es similar a recargar las baterías. Distintos componentes DRAM requieren distintos métodos de actualización. Almacenamiento

Un dispositivo que mantiene datos, tal como el disco duro o el CD-ROM. Ancho de banda La cantidad de datos que se mueven en líneas electrónicas, tales como un bus, por segundo. Generalmente, el ancho de banda se mide en bits por segundo, bytes por segundo o ciclos por segundo (Hertzios). ANSI

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(Instituto Norteamericano de Normas Nacionales) La organización estadounidense responsable de establecer las normas de tecnología de la información. ASCII

(Código de normas norteamericanas para el intercambio de información) Un método de codificar texto en forma de valores binarios. El sistema del código ASCII contiene 256 combinaciones de números binarios de 7 y 8 bits para representar cualquier tecla que se oprima.

ATA Flash card (o tarjeta ATA Flash) Una tarjeta PC dedicada a almacenar datos en dispositivos portátiles. ATA Flash Cards son similares a las unidades de discos duros. Auto-actualización Una tecnología de memoria que permite que DRAM se actualice a sí misma y que sea independiente del CPU o de un conjunto externo de circuitos de actualización. La tecnología de auto-actualización se construye en el chip DRAM mismo y reduce dramáticamente el consumo de energía. Las computadoras portátiles utilizan esta tecnología. Banco Véase banco de memoria. Banco de memoria Una unidad lógica de memoria en una computadora, cuyo tamaño determina el CPU. Por ejemplo, un CPU a 32 bits requiere bancos de memoria que proporcionen 32 bits de memoria a la vez. Un banco puede consistir en uno o más módulos de memoria. Banco doble Módulo de memoria que tiene dos bancos. Banco sencillo Un módulo que sólo tiene un banco o fila. BGA (Estructura de rejilla de bola) Un empaque de chips que tiene esferas soldadas en la parte inferior para el montaje. BGA permite realizar una reducción en el tamaño de empaque del colorante, la mejor disipación de calor y mayores densidades del módulo. Binario

BIOS

Un sistema de numeración que utiliza combinaciones de 0 y 1 para representar datos. También se conoce como Base 2. (Sistema básico de entrada/salida) Rutina de inicio que prepara la computadora para la operación.

Bit

La unidad más pequeña de información que procesa la computadora. Un bit es 1 ó 0. Búfer

Un área de espera para datos compartidos por los dispositivos que operan a distintas velocidades o tienen distintas prioridades. Un búfer permite que un dispositivo opere sin retrasos que impongan otros dispositivos.

Bus

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Una ruta de datos en la computadora, la cual consiste de diversos cables en paralelo a los que están conectados el CPU, la memoria y todos los dispositivos de entrada/salida. Bus de memoria El bus que va del CPU a las ranuras de expansión de memoria. Bus frontal (FSB) La ruta de datos que va del CPU a la memoria principal (RAM). Bus frontal (FSB) La ruta de datos que va del CPU a la memoria principal (RAM). Bus independiente doble (DIB) Una arquitectura de bus desarrollada por Intel que ofrece un ancho de banda más grande con acceso a dos buses distintos (frontal y posterior) al procesador. Las computadoras Pentium II tiene DIB. Bus local VESA (VL - Bus) Un bus local a 32bits que va del CPU a los dispositivos periféricos a una velocidad de 40MHz. Bus posterior (BSB) La ruta de datos que va del CPU a la memoria caché L2. Byte

Ocho bits de información. El byte es la unidad fundamental del procesamiento de la computadora; casi todas las especificaciones y medidas del desempeño de la computadora se dan en bytes o múltiplos. Véase kilobytes y megabytes.

Caché de expulsión entubado Memoria caché que reduce en estados en espera y acelera el acceso a la memoria utilizando funciones de tubería y explosión. Caché de nivel I (L1) También conocido como caché primario, Caché L1 es una pequeña cantidad de memoria de alta velocidad que reside sobre o muy cerca del procesador. Caché L1 suministra al procesador los datos e instrucciones solicitados con más frecuencia. Caché de nivel 2 (L2) También conocida como caché secundaria, Caché L2 es una pequeña cantidad de memoria de alta velocidad que se encuentra cerca del CPU y generalmente en la tarjeta madre. La Caché L2 suministra al procesador los datos e instrucciones solicitados con más frecuencia. Dependiendo de la tarjeta madre, la caché de Nivel 2 se puede actualizar. Canal Rambus La ruta de datos de los sistemas Rambus. Debido a que la anchura de los datos es estrecha (dos bytes), los módulos Rambus transfieren datos a una velocidad de hasta 800MHz. CAS

(Estroboscopio de dirección de columnas) Una señal de chips de memoria que asegura la dirección de la columna a una ubicación en particular en la matriz fila - columna.

ccNUMA (Acceso de memoria coherente de caché, no uniforme) Una arquitectura flexible que utiliza componentes de bajo costo modulares y ofrece potencial de escalabilidad multidimencional a servidores de extremo alto.

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Chip Kill una falla individual del chip de memoria, así como de errores de múltiples bits en cualquier parte del chip de memoria. Ciclo de bus Una transacción sencilla entre la memoria principal y el CPU. CompactFlash Un factor de forma pequeño y ligero para tarjetas de almacenamiento desmontables. Las tarjetas CompactFlash son durables, operan a bajos voltajes y retienen datos cuando está apagada la energía. Sus usos incluyen cámaras digitales, teléfonos celulares, impresoras, computadoras portátiles, localizadores y grabadoras de audio. Compuesto o entubado Un término de Apple Computer, Inc. para el módulo de memoria que utilizaban en la tecnología anterior y que contenía más chips, pero que eran de baja densidad. Conector RIMM Un soque de memoria Direct Rambus. Conjunto de chips Microchips que dan soporte al CPU. Generalmente, el conjunto de chips contiene varios controladores que gobiernan la forma en que viaja la información entre el procesador y otros componentes. CPU

(Unidad de procesamiento central) El chip de computadora que tiene la responsabilidad primaria de interpretar comandos y ejecutar programas. El CPU también se conoce como el procesador o microprocesador.

DDR SDRAM (Memoria de acceso directo dinámico sincrónico de velocidad de doble datos) La última generación de tecnología SDRAM. Los datos se leen tanto en el extremo ascendente como en el descendente del reloj de la computadora, generando así un ancho de banda doble del SDRAM estándar. Con SDRAM DDR, la velocidad de la memoria se duplica sin aumentar la frecuencia del reloj. Depósito de calor Un componente, generalmente de una aleación de zinc, que disipa el calor. Los CPU requieren depósitos de calor. Detección de Un chip EEPROM que contiene información sobre el tamaño y la velocidad, así como presencia serial otras especificaciones e información del fabricante de un módulo de memoria. Detección de presencia serial Un chip EEPROM que contiene información sobre el tamaño y la velocidad, asà como otras especificaciones e información del fabricante de un módulo de memoria. DIMM

(Módulo de memoria en línea dual) El conjunto de tarjetas de circuitos impresos con contactos de oro y dispositivos de memoria. Un DIMM es similar a un SIMM, pero con una diferencia principal: a diferencia de las guías de metal a cada lado de un SIMM, que se "unen" eléctricamente, las guías a cada lado del DIMM son independientes eléctricamente.

DIP

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(Empaque en línea dual) Un empaque de componente de DRAM. Los DIP se pueden instalar en sockets o soldar en forma permanente en orificios en el conjunto de tarjetas de circuitos impresos. El empaque de bits fue extremadamente popular cuando se instalaba la memoria directamente en la tarjeta madre. Dispersor de calor Una cubierta, generalmente de aluminio, que tapa un dispositivo electrónico y disipa calor. DRAM (Memoria dinámica de acceso aleatoria) La forma más común de RAM. DRAM puede mantener datos sólo durante un corto tiempo. Para retener datos, DRAM debe actualizarse periódicamente. Si las celdas no se actualizan, los datos desaparecen. ECC (Código de corrección de errores) Un método para verificar la integridad de los datos en DRAM. ECC proporciona una detección de errores más elaborada que la paridad; ECC puede detectar errores de bits múltiples y puede localizar y corregir errores de bits sencillos. EDO

(Datos ampliados hacia fuera) Una tecnología de DRAM que hace más corto el ciclo de lectura entre la memoria y el CPU. Las computadoras que lo soportan, la memoria EDO permiten que un CPU tenga acceso a la memoria en 10 ó 20% más rápido en comparación con la memoria en modo de localización rápida.

EDRAM (DRAM mejorada) La memoria de DRAM Enhanced Memory Sistems, Inc. que contiene una pequeña cantidad de SDRAM. EEPROM

EEPROM

(Memoria de sólo lectura programable y borrable en forma eléctrica) Un chip de memoria que retiene el contenido de datos después de haber quitado la energía. se puede borrar y volver a programar dentro de la computadora o en forma externa.

EISA (ISA ampliado) Una arquitectura de bus que amplió el Bus ISA de 16bits a 32bits. EISA opera a 8MHz y tiene una velocidad de transferencia de datos pico de 33MB por segundo. EISA se introdujo en 1988 como una alternativa abierta al bus de Canal micro propiedad de IBM. Entubado Una técnica en la que la memoria carga los contenidos en la memoria solicitados en una pequeña memoria caché compuesta de SRAM e inmediatamente comienza a buscar el siguiente contenido de memoria. Esto crea una tubería en dos etapas, en la que los datos se leen o se escriben en SRAM en una etapa y los datos se leen o se escriben en la memoria en otra etapa. EOS

EPROM

(ECC o SIMM) Una tecnología de verificación de integridad de datos de IBM que describe la verificación de integridad de datos de ECC en un SIMM. (Memoria de sólo lectura programable y borrable) Un chip programable y que se puede volver a usar que detiene su contenido hasta que se borra bajo luz ultravioleta. Un equipo especial borra y reprograma los EPROM.

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ESDRAM

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(DRAM sincrónicamente mejorada) Un tipo de SDRAM desarrollada por SDRAM Enhanced Memory Systems, Inc. reemplaza la SDRAM incrustada en sistemas integrados y ofrece una velocidad comparable, pero con menos consumo de energía y menor costo.

Esquema de bancos Un método de diagrama de configuraciones de memoria. El esquema de bancos consiste en filas y/o columnas que representan sockets de memoria en una tarjeta de computadora. Las filas indican sockets independientes; las columnas indican bancos. Estado en espera Un periodo inactivo para el procesador. Los estados en espera son el resultado de distintas velocidades de reloj del procesador y la memoria, en los cuales la memoria generalmente es más lenta. Factor de forma El tamaño, configuración y otras especificaciones utilizadas para describir el hardware. Ejemplos de factores de memoria son: SIMM, DIMM, RIMM, 30 pines, 70 pines y 168 pines. Gigabyte Aproximadamente 1,000 millones de bytes o exactamente 1byte x 1,0243 (1,073, 741, 824) bytes. Gigabit

Aproximadamente 1,000 millones de bits o exactamente 1bit x 1,0243 (1,073, 741, 824) bits.

Hub del controlador de memoria (MCH) La interfaz entre el procesador, el puerto de gráfico acelerado y RDRAM en la tarjeta madre que utilizan conjuntos de chips de 820 u 840 de Intel. Hub traductor de memoria (MTH) la interfaz que permite que se soporte la memoria SDRAM en un Canal Direct Rambus para las tarjetas madre que utilizan conjuntos de chip de 820 de Intel. IC (Circuito integrado) Un circuito electrónico en un chip semiconductor. El circuito incluye componentes y conectores. Generalmente, un chip semiconductor se moldea en una caja de plástico cerámica y tiene pines de conector externas. Intercambio Utilizando parte de la unidad de disco duro, como memoria cuando RAM está llena. Véase Memoria Virtual. Inter-estratificación Técnicas para incrementar la velocidad de la memoria. Por ejemplo, con bancos de memoria por separado para direcciones pares y nones, el siguiente byte de memoria se puede acceder mientras se actualiza el byte actual. JEDEC

Kilo bit

(Joint Electron Device Engineering Council) Un organismo de la Alianza de Industrias Electrónicas (CIA) que establece las normas de ingeniería de semiconductores. Aproximadamente mil bits o exactamente 1 bit x 210 (1,024) bits.

Kilo byte

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Aproximadamente mil bytes o exactamente 1 byte x 210 (1,024) bytes. Latencia CAS La proporción entre el tiempo de acceso de las columnas y el tiempo de ciclo de reloj. La Latencia 2 (CL2) ofrece un ligero aumento de rendimiento sobre la Latencia CAS (CL3). Linear Flash Card Una tarjeta PC dedicada a almacenar códigos en ruteadores, computadoras portátiles, PDAs, cámaras digitales y otros dispositivos digitales. Medio byte La mitad de un byte de 8bits, ó 4bits Megabit

Aproximadamente un millón de bits o exactamente 1bit x 1,0242 (1,048,576) bits.

Megabyte Aproximadamente un millón de bytes o exactamente 1bit x 1,0242 (1,048,576) bytes. Memoria caché Una pequeña cantidad (normalmente menos de 1MB) de memoria de alta velocidad que reside dentro o cerca del CPU. La memoria caché proporciona al procesador los datos e instrucciones solicitados con más frecuencia. La memoria caché de Nivel 1 (caché primario) es la más cercana al procesador. La caché de Nivel 2 (caché secundaria) es la segunda caché más cercana al procesador y generalmente se encuentra en la tarjeta madre. Memoria La memoria de acceso aleatorio de una computadora. La memoria mantiene temporalmente datos e instrucciones para el CPU. Véase RAM. Memoria con búfer Un módulo de memoria que contiene búfers. Los búfers vuelven a impulsar las señales a través de los chips de memoria y permiten que el módulo incluya más chips de memoria. No se pueden mezclar la memoria con búfer y sin búfer. El diseño del controlador de memoria de la computadora establece si la memoria debe contener búfer o no. Memoria de Acceso aleatoro de ventana (WRAM) Memoria de dos puertos de Samsung Eletronics (dos puertos de datos por separado) que normalmente está en una tarjeta de video o de gráficos. WRAM tiene un ancho de banda 25% más grande que VRAM, pero cuesta menos. Memoria de canal virtual (VCM) VCM es una arquitectura de memoria desarrollada por NEC. VCM permite que diferentes bloques de memoria, cada uno con su propio búfer, hagan interfaz en forma separada con el controlador. De esta forma, las tareas del sistema pueden tener asignado en sus propios canales virtuales. La información relacionada con una función no comparte el espacio de búfer con otras tareas que se ejecutan en forma simultánea, haciendo de esta forma que la operación sea mucho más eficiente en general. Memoria de marca Personalización de memoria diseñada para una computadora en específico. Memoria de tarjeta de crédito Un tipo de memoria que normalmente es para computadoras portátiles. La memoria de tarjeta de crédito es del tamaño de una tarjeta de crédito.

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Memoria flash Una memoria en estado sólido, no volátil y reescribible que funciona como una combinación de RAM y disco duro. La memoria flash es durable, opera a bajos voltajes y retiene datos cuando está apagada la energía. Las tarjetas de memoria flash se utilizan en cámaras digitales, teléfonos celulares, impresoras, computadoras portátiles, localizadores y grabadores de audio. Memoria registrada La memoria SDRAM que contiene registros directamente en el módulo. Los registros vuelven a impulsar las señales a través de los chips de memoria y permiten que el módulo se construya con más chips de memoria. La memoria registrada y sin búfer no se pueden mezclar. El diseño del controlador de la memoria de la computadora establece el tipo de memoria que requiere la computadora. Memoria virtual Memoria simulada. Cuando RAM está lleno, la computadora intercambia datos con el disco duro en ambos sentidos cuando es necesario. Véase Intercambio. Memorias sin búfer Memoria que no contiene búfers o registros localizados en el módulo. En lugar de esto, estos dispositivos se localizan en la tarjeta madre. Micro BGA (BGA) La técnica de empaque de chips BGA Tessera, Inc. permiten la reducción en el tamaño de empaque, disipación de calor mejorada y mayores densidades del módulo. Miniature card (Tarjeta Miniatura) Una tarjeta de memoria Linear Flash pequeña, de bajo costo, diseñado para aumentar la memoria, almacenar datos de voz/imagen, almacenar y recuperar voz/Email. La Miniature Card es usada en palmtops, cámaras digitales, MP3 players, teléfonos inteligentes y otros dispositivos digitales. Modo de explosión Transmisión a alta velocidad de un bloque de datos (una serie de direcciones consecutivas) cuando el procesador solicita una dirección sencilla. Modo de localización rápido Una forma temprana de DRAM. La ventaja de modo de localización rápido sobre tecnologías anteriores de memoria del modo de localización fue el acceso más rápido a los datos en la misma fila. MMC (multimedia card) Una tarjeta de memoria flash en tamaño miniatura capaz de almacenar gran cantidad de datos multimedia (ej. música, imágenes, dialecto, video, texto, etc.). Tarjetas MMC con frecuencia son usadas en MP3 players, PDAs y otros dispositivos electrónicos portátiles. Nano segundo (ns) Una mil millonésima parte de un segundo (1/1,000,000,000). Los tiempos de acceso de los datos de memoria se encuentra en nona segundos. Por ejemplo, los tiempos de acceso de memoria para los módulos SIMM típicos de 32 y 72 pines varían de 60 a 100 nano segundos. No compuesto o "non-composite" Un término de Apple Computer, Inc. para un módulo de memoria que utilizaba una nueva tecnología y contenía menos chips, pero de más alta densidad. Los módulos no compuestos eran más confiables y más caros que los módulos compuestos. Paquete a escala de chips

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(CSP) Empaque delgado de chips mediante en el cual las conexiones eléctricas normalmente se hacen a través de una estructura de rejilla de esfera. El empaque de escala de chips se utiliza en la memoria RDRAM y memoria flash. Paridad

Verificación de integridad de datos que agrega un bit sencillo en cada byte de datos. El bit de paridad se utiliza para detectar errores en los datos de 8bits.

Paridad impar Verificación de integridad de datos en la que el bit de paridad verifica un número impar de 1s. Paridad par Un tipo de verificación de integridad de datos mediante la cual el bit de paridad verifica que haya un número par de 1. PCB

PCI

(Conjunto de tarjetas de circuitos impresos) Tarjetas generalmente planas y de capas múltiples hechas de fibra de vidrio con rastros eléctricos. La superficie y las subcapas utilizan rastros de cobre para proporcionar conexiones eléctricas para chip y otros componentes. Los ejemplos de PCB incluyen: tarjetas madre, SIMM y memorias para tarjetas de crédito. (Interconexión de componentes periféricos) Un bus periférico que puede enviar 32 ó 64bits de datos en forma simultánea. PCI ofrece capacidad de plug-and-play.

Puerto acelerado de gráficos (AGP) Una interfaz desarrollada por Intel que permite hacer gráficos a alta velocidad. Los datos de gráficos se mueven entre el controlador de gráficos de la PC y la memoria de la computadora en forma directa, en lugar de quedarse en la memoria de video caché. RAM

(Memoria de acceso aleatorio) Una configuración de celdas de memoria que mantiene datos para el procesamiento en una unidad central de procesamiento (CPU). Aleatorio significa que el CPU puede recuperar datos de cualquier dirección dentro de RAM. También véase Memoria.

Ram de ciclo rápido (FCRAM) FCRAM es una tecnología de memoria que está desarrollando actualmente Toshiba y Fujitsu. FCRAM no tiene el objetivo de utilizarse como memoria principal para PC sino que se utilizará en aplicaciones de especialidad, como servidores de extremo alto, impresoras y sistemas de conmutación de telecomunicaciones. RAM EDO de explosión (BEDO) La memoria EDO que puede procesar cuatro direcciones de memoria en una explosión. El rango develocidades de bus es de 50MHz a 66MHz (en comparación con los 33MHz para EDO y 25MHz para modo de localización rápida). Ram estática (SRAM) Un chip de memoria que requiere que la energía retenga el contenido. SRAM es más rápida que DRAM, pero es más cara y ocupa más espacio. Un uso típico para SRAM es la memoria caché. Rambus

(1) Rambus, Inc. desarrolla y da licencias de tecnología de diseño de circuitos y lógica de memoria y alto desempeño y proporciona diseño de productos, disposición e información de prueba a los dueños de licencias. (2) Direct Rambus es una

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terminología de memoria de alta velocidad que utiliza un bus estrecho a 16bits (canal de Rambus) para transmitir datos a velocidades de hasta 800MHz. Véase Canal Rambus. Rambus concurrente La segunda generación de la tecnología Rambus. Rambus concurrente se ha utilizado en computadoras con base de gráficos televisores digitales y aplicaciones de video juegos (tal como Nintendo 64, a partir de 1997). Rambus de base La primera generación de la tecnología Rambus se distribuyó por primera vez en 1995. Rambus directo La tercera generación de tecnología Rambus, que ofrece una arquitectura de DRAM para PC de alto desempeño. Las transferencias de datos a velocidades de hasta 800MHz en un canal estrecho de 16bits, comparado con el SDRAM actual, que opera a 100MHz en un bus de 64bits de ancho. RAS

Una señal de chip de memoria que asegura la dirección de la fila de una ubicación en particular en una matriz de fila-columna.

RIMM de continuidad (C-RIMM) Un módulo de memoria Rambus directo (Direct Rambus) que no contiene chips de memoria. C-RIMM proporciona un canal continuo para la señal. En un sistema Direct Rambus, los conectores externos se deben llenar con C-RIMMs. RIMM® El nombre de marca para el módulo de la memoria Direct Rambus. Un RIMM se adapta al factor de forma del DIMM y transfiere 16bits de datos en el momento. SDRAM

(DRAM sincrónica) Una tecnología DRAM que utiliza un reloj para sincronizar la entrada y la salida de señal en un chip de memoria. El reloj se coordina con el reloj del CPU para que la temporización de los chips de memoria la temporización del CPU estén en sincronía. La DRAM sincrónica ahorra tiempo al ejecutar comandos y transmitir datos, incrementando así el desempeño general de la computadora. SDRAM permite que el CPU tenga acceso a la memoria aproximadamente un 25% más rápido que la memoria EDO.

SD (Secure Digital) Card Una tarjeta de memoria flash de alta seguridad en tamaño miniatura con alta capacidad, creado por Matsushita Electric (Panasonic), SanDisk y Toshiba. Provee almacenamiento de datos y acceso I/O en una variedad de dispositivos electrónicos. SGRAM (Memoria de acceso aleatorio de gráficos sincrónicos) Memoria de video que incluye características de lectura/escritura específica de gráficos. SGRAM permite que los datos se recuperen y modifiquen en bloques en lugar de hacerlo individualmente. El hacerlo en bloques reduce el número de lecturas y escrituras que debe realizar una memoria e incrementa el desempeño del controlador de gráficos. SIMM

(Módulo de memoria de línea única) Una tarjeta de circuitos impresos que tiene dispositivos de memoria y contactos de oro o estaño/plomo. Un SIMM se conecta a un socket de expansión de memoria y de la computadora. Los SIMM ofrecen dos ventajas principales: Son fáciles de instalar y tienen un consumo mínimo de superficie de la tarjeta. Un SIMM montado verticalmente sólo requiere una fracción del espacio que requiere un DRAM montado horizontalmente. Un SIMM puede tener desde 30 y hasta

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200 pines. En un SIMM, las guías de metal a cada lado de la tarjeta están unidas eléctricamente. SLDRAM (Synclink) Un caso obsoleto hoy en día, SLDRAM tenía una tecnología de memoria principal desarrollada por un grupo de doce fabricantes de DRAM como una alternativa a la tecnología Direct Rambus. Smart card o tarjeta inteligente Un dispositivo electrónico similar a una tarjeta de crédito que se puede almacenar y programar mejorando al mismo tiempo la seguridad. Las aplicaciones incluyen identificación, tránsito masivo y bancos. SmartMedia (SSFDC) Una tarjeta de memoria flash muy delgada utilizada para almacenar datos en cámaras digitales, PDAs, grabadoras de audio digital y otros dispositivos portátiles. SO DIMM (Módulo de memoria en línea dual de diseño pequeño) Una versión mejorada de un DIMM estándar. Un DIMM de diseño pequeño de 72 pines tiene aproximadamente la mitad de la longitud de un SIMM de 72 pines. SO RIMM El nombre con marca registrada para un módulo de memoria Direct Rambus en computadoras portátiles. SO RIMM proporciona un ancho de banda de memoria comparable a las configuraciones de memoria de las computadoras de escritorio. Socket de SIMM Un componente de tarjeta madre que mantiene un solo SIMM. SOJ

(Guía J de diseño pequeño) Una forma común de empaque DRAM montado en superficie. Un SOJ es un empaque rectangular con guías en forma de J en dos lados largos. SSFDC Véase SmartMedia

sTSOP (Shrink Thin Small Outline Package) Una clase de empaque de chip similar a TSOP, pero la mitad del tamaño. Su diseño compacto permite a diseñadores de módulos añadir más chips de memoria en el mismo espacio. Tarjeta del sistema Véase tarjeta madre. Tarjeta lógica Véase tarjeta madre. Tarjeta madre También conocida como la tarjeta lógica, tarjeta principal o tarjeta de la computadora, la tarjeta madre es la tarjeta principal de la computadora y en la mayoría de los casos mantiene a todo el CPU, la memoria y/o las funciones de E/S o tiene ranuras de expansión para ellas. Tarjeta para PC (PCMCIA Asociación Internacional de Tarjetas de Memoria de Computadoras Personales) Una norma que permite la intercambiabilidad de distintos componentes de computadora en el mismo conector. La norma PCMCIA soporta dispositivos de entrada-salida, incluyendo la memoria, el fax/módem, el puerto SCSI y los productos para redes.

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Tecnología de línea de transmisión Una tecnología que soporta el bus inverso en los sistemas Direct Rambus. La información se pone en tubos rápidamente en paquetes simultáneos. El controlador de memoria vuelve a ensamblar los paquetes para la transferencia del bus frontal y la comunicación con el procesador. Tiempo de acceso El tiempo promedio (en nano segundos) para que RAM complete un acceso. El tiempo de acceso se compone del tiempo y la latencia del inicio de la dirección (el tiempo que toma en iniciar una solicitud de datos y preparar el acceso). TSOP (Empaque de diseño pequeño delgado) Un empaque DRAM que utiliza guías en forma de alas de pelícano a ambos lados. TSOP DRAM se monta directamente en la superficie de un conjunto de tarjetas de circuitos impresos. El paquete TSOP tiene un tercio de espesor del SOJ. Generalmente, los componentes TSOP se encuentran en un DIMM de diseño pequeño y memorias en tarjeta de crédito. Velocidad de actualización El número de filas de componentes de DRAM que se debe actualizar. Las tres velocidades comunes de actualización son de 2K, 4K y 8K. VRAM

(Memoria de acceso aleatorio de video) Memoria de dos puertos (dos puertos de datos por separado) que se encuentra normalmente en una tarjeta de video o de gráficos. Un puerto se dedica al CRT y actualiza la imagen. El segundo puerto es para el CPU o el controlador de gráficos y cambia los datos de imagen en memoria.

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